Федулов Віктор Васильович

Номер патенту: 115174

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Голтвянський Юрій Васильович, Кладько Василь Петрович, Оберемок Олександр Степанович, Сафрюк Надія Володимирівна, Сабов Томаш Мар'янович, Федулов Віктор Васильович, Мельник Віктор Павлович, Романюк Андрій Борисович

МПК: H01L 21/265, H01L 31/18

Мітки: індію, виготовлення, антимоніді, спосіб, фотодіодів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів, який включає створення на поверхні антимоніду індію 1-го типу провідності з концентрацією легуючих атомів не більше 3·1015 см-3 локальних областей р-n переходу шляхом імплантації іонів, які дозволяють створити 2-ий тип провідності в приповерхневій області підкладки, нанесення маски за допомогою якої долеговують області 1-го типу провідності до концентрації 1017-1019 см-3, зняття маски, після чого...