Сафрюк Надія Володимирівна
Спосіб виготовлення фотодіодів на антимоніді індію
Номер патенту: 115174
Опубліковано: 10.04.2017
Автори: Сафрюк Надія Володимирівна, Кладько Василь Петрович, Оберемок Олександр Степанович, Голтвянський Юрій Васильович, Романюк Андрій Борисович, Мельник Віктор Павлович, Федулов Віктор Васильович, Сабов Томаш Мар'янович
МПК: H01L 21/265, H01L 31/18
Мітки: спосіб, виготовлення, антимоніді, індію, фотодіодів
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотодіодів, який включає створення на поверхні антимоніду індію 1-го типу провідності з концентрацією легуючих атомів не більше 3·1015 см-3 локальних областей р-n переходу шляхом імплантації іонів, які дозволяють створити 2-ий тип провідності в приповерхневій області підкладки, нанесення маски за допомогою якої долеговують області 1-го типу провідності до концентрації 1017-1019 см-3, зняття маски, після чого...
Спосіб створення омічного контакту до inn
Номер патенту: 108190
Опубліковано: 11.07.2016
Автори: Сай Павло Олегович, Бєляєв Олександр Євгенович, Виноградов Анатолій Олегович, Кладько Василь Петрович, Шеремет Володимир Миколайович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Саченко Анатолій Васильович, Болтовець Микола Силович, Сафрюк Надія Володимирівна, Конакова Раїса Василівна
МПК: H01L 21/268, H01L 29/45
Мітки: спосіб, контакту, омічного, створення
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до InN, який включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм, який відрізняється тим, що як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd, a напилювання проводять на...