Сабов Томаш Мар’янович

Номер патенту: 115174

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Оберемок Олександр Степанович, Голтвянський Юрій Васильович, Федулов Віктор Васильович, Кладько Василь Петрович, Мельник Віктор Павлович, Сафрюк Надія Володимирівна, Романюк Андрій Борисович, Сабов Томаш Мар'янович

МПК: H01L 21/265, H01L 31/18

Мітки: фотодіодів, індію, спосіб, виготовлення, антимоніді

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів, який включає створення на поверхні антимоніду індію 1-го типу провідності з концентрацією легуючих атомів не більше 3·1015 см-3 локальних областей р-n переходу шляхом імплантації іонів, які дозволяють створити 2-ий тип провідності в приповерхневій області підкладки, нанесення маски за допомогою якої долеговують області 1-го типу провідності до концентрації 1017-1019 см-3, зняття маски, після чого...