Спосіб створення комірки магнітної пам’яті

Реферат: Спосіб створення комірки магнітної пам'яті шляхом формування системи включає основну структуру (MTJ-структуру). Основну структуру формують так, що вона має вольт-амперну характеристику з від'ємним диференційним опором. UA 85338 U (12) UA 85338 U UA 85338 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 Корисна модель належить до області електрофізичних методів створення елементів магнітної пам'яті з метою покращення їх електрофізичних характеристик та може бути застосована у всьому спектрі приладів, що використовують електронну магнітну пам'ять (мобільні телефони, цифрові фотоапарати та камери, комп'ютерна техніка тощо), основою якої є MTJ-структура. Відомий спосіб створення комірки магнітної пам'яті (United States Patent US 2011/0129946 A1, H01L 21/00 (2006.01), 2011-06-02) на основі MTJ-структури, для чого на поліровану поверхню монокристалічної підкладки послідовно напилюють шари феромагнітного матеріалу, між якими розміщують шар діелектрика. Недоліком відомого способу є мале значення величини тунельного магнітоопору, яке є недостатнім для надійного зчитування інформації з комірки пам'яті. Найбільш близьким за технічною суттю та результатом, що досягається, до способу, що заявляється, є спосіб створення комірки магнітної пам'яті (Proposal and experimental demonstration of magnetic tunnel junction connected in parallel with tunnel diode // T. Uemura, S. Honma, T. Marukame and M. Yamamoto. - Electronics Letters, Vol. 39, №. 21, October 2003), в якому формують дві структури: основну - структуру з магнітним тунельним переходом (MTJструктуру) та додаткову - структуру з від'ємним диференційним опором (типу тунельного діоду), поєднують ці обидві структури між собою паралельно або послідовно, що дозволяє суттєво підвищити магнітний опір та надійність зчитування інформації з комірки пам'яті. Недоліком відомого способу є наявність додаткової структури та її фізичних зв'язків з основною, що значно підвищує трудомісткість процесу створення комірки магнітної пам'яті та знижує її надійність. В основу корисної моделі поставлена задача розробити спосіб створення комірки магнітної пам'яті шляхом формування основної структури (MTJ-структури), яка має вольт-амперну характеристику (ВАХ) з від'ємним диференційним опором, за рахунок чого підвищується надійність комірки магнітної пам'яті. Поставлена задача вирішується тим, що в способі створення комірки магнітної пам'яті шляхом формування системи, що включає основну структуру (MTJ-структуру), згідно з корисною моделлю, основну структуру формують так, що вона має вольт-амперну характеристику (ВАХ) з від'ємним диференційним опором. Запропонований спосіб реалізується наступним чином. Приклад. На полірованій поверхні підкладки, наприклад, з ситалу, формували основну структуру (MTJ-структуру), а саме - послідовно наносили наприклад електронно-променевим напилюванням шари (наприклад товщиною 25 нм та 45 нм) феромагнітного матеріалу, наприклад заліза, між якими розміщували шар (наприклад товщиною 7 нм) діелектрика, наприклад оксид магнію, причому напилення діелектрика проводили в середовищі наприклад метану, з якого діелектрик насичувався легуючим елементом, наприклад вуглецем, що утворював в забороненій енергетичній зоні, якою є діелектричний шар MTJ-структури, додаткові енергетичні зони провідності, які дозволили сформувати MTJ-структуру з ВАХ, що мала ділянку з від'ємним диференційним опором (див. креслення). Реалізація способу пояснюється кресленням, на якому наведено ВАХ основної структури (MTJ-структури). Таким чином, запропонований спосіб створення комірки магнітної пам'яті на основі MTJструктури забезпечує формування в ній ВАХ з від'ємним диференційним опором і дозволяє підвищити надійність такої комірки за рахунок уникнення створення в ній додаткової структури та фізичних зв'язків між нею та основною структурою. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ 50 Спосіб створення комірки магнітної пам'яті шляхом формування системи, що включає основну структуру (MTJ-структуру), який відрізняється тим, що основну структуру формують так, що вона має вольт-амперну характеристику (ВАХ) з від'ємним диференційним опором. 1 UA 85338 U Комп’ютерна верстка А. Крулевський Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2