Патенти з міткою «напівпровідникової»

Номер патенту: 112879

Опубліковано: 10.11.2016

Автори: Мартен Крістіан, Ранкулі Гілберт

МПК: C30B 29/06, C30B 11/00, C30B 11/14 ...

Мітки: напівпровідникової, монокристалічної, виробництва, спосіб, заготовки, кристалізатор

Формула / Реферат:

1. Кристалізатор (1) для виготовлення заготовок з кристалічного напівпровідникового матеріалу, такого як кремній, причому зазначений кристалізатор має периферійні бокові стінки (1b) та дно (1а), і принаймні частина вищезгаданого дна є вкритою верхнім шаром (2), який відрізняється тим, що вищезгаданий верхній шар (2) має товщину δ принаймні 500 мкм і при температурі деформації, нижчій за 1400 °C, вищезгаданий верхній шар здатен до...

Номер патенту: 69073

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Пилипець Сергій Сергійович, Рябцев Володимир Григорович, Андрієнко Володимир Олександрович, Уткіна Тетяна Юріївна

МПК: G11C 7/00

Мітки: самотестування, вбудованими, ремонту, засобами, напівпровідникової, мікросхема, пам'яті

Формула / Реферат:

Мікросхема напівпровідникової пам'яті з вбудованими засобами самотестування та ремонту, що містить основний масив запам'ятовуючих комірок, контролер самотестування, генератори кодів адреси та даних, мультиплексори кодів операцій МХ1, адреси МХ2 і даних МХ3, компаратор, причому перші, другі та треті виходи контролера самотестування підключені до перших входів мультиплексора кодів операцій МХ1, генератора кодів адреси і генератора кодів даних...

Номер патенту: 68985

Опубліковано: 25.04.2012

Автори: Рябцев Володимир Григорович, Андрієнко Володимир Олександрович, Уткіна Тетяна Юріївна

МПК: G11C 7/00

Мітки: засобами, допустимого, теплового, напівпровідникової, мікросхема, режиму, вбудованими, пам'яті, самотестування, забезпечення

Формула / Реферат:

Мікросхема напівпровідникової пам'яті з вбудованими засобами забезпечення допустимого теплового режиму самотестування, яка містить масив комірок пам'яті, оснащений дешифраторами адреси X, Y, входи яких підключені до виходів комутатора адреси X і комутатора адреси Y відповідно, і підсилювачами зчитування, входи/виходи яких підключені до перших входів/виходів селектора і перших входів компаратора даних, другі входи/виходи селектора підключені...

Номер патенту: 56581

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Андрієнко Володимир Олександрович, Уткіна Тетяна Юріївна, Рябцев Володимир Григорович

МПК: G11C 7/00

Мітки: мікросхема, вбудованими, пам'яті, захистом, напівпровідникової, перегрівання, самотестування, засобами

Формула / Реферат:

Мікросхема напівпровідникової пам'яті з вбудованими засобами самотестування та захистом від перегрівання, яка містить масив комірок пам'яті, оснащений дешифраторами адреси X, Y, входи яких підключені до виходів комутатора адреси X і комутатора адреси Y відповідно, і підсилювачами зчитування, входи/виходи яких підключені до перших входів/виходів селектора і перших входів компаратора даних, другі входи/виходи селектора підключені до перших...

Номер патенту: 55850

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Стусь Наталія Вікторівна, Стратійчук Денис Анатолійович, Лісняк Владислав Владиславович, Смірнова Тамара Іванівна

МПК: H01J 9/02

Мітки: кераміки, k7nb14p9o60, високих, тисків, отримання, напівпровідникової, умовах, температур, калій-ніобій-фосфатної, бронзи, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кераміки напівпровідникової калій-ніобій-фосфатної бронзи К7Nb14Р9О60 в умовах високих тисків та температур, який включає змішування еквімолярних кількостей калій-, ніобій- та фосфорвмісних компонентів з наступним двостадійним нагріванням отриманої суміші до високої температури, який відрізняється тим, що як калій- та фосфоровмісний компонент використовують порошок метафосфату калію (KPO3), а двостадійне нагрівання проводять...

Номер патенту: 49179

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Рябцев Володимир Григорович, Уткіна Тетяна Юріївна, Андрієнко Володимир Олександрович

МПК: G11C 7/00

Мітки: напівпровідникової, пам'яті, вбудованими, багатоверсійного, мікросхема, самотестування, засобами

Формула / Реферат:

Мікросхема напівпровідникової пам'яті з вбудованими засобами багатоверсійного самотестування, що містить масив комірок пам'яті, оснащений дешифраторами адреси X,Y, входи яких підключені до виходів комутатора адреси Х і комутатора адреси Y відповідно, і підсилювачами зчитування, входи/виходи яких підключені до перших входів/виходів селектора і перших входів компаратора даних, другі входи/виходи селектора підключені до перших входів/виходів...

Номер патенту: 47842

Опубліковано: 25.02.2010

Автори: Андрієнко Володимир Олександрович, Рябцев Володимир Григорович, Уткіна Тетяна Юріївна

МПК: G11C 7/00

Мітки: напівпровідникової, мікросхема, вбудованими, самотестування, засобами, пам'яті

Формула / Реферат:

Мікросхема напівпровідникової пам'яті з вбудованими засобами самотестування, яка містить масив комірок пам'яті, оснащений дешифраторами адреси X, Y, входи яких підключені до виходів комутатора 1 і комутатора 2 відповідно, і підсилювачами зчитування, входи/виходи яких підключені до перших входів/виходів селектора і перших входів компаратора даних, другі входи/виходи селектора підключені до перших входів/виходів елементів введення/виведення,...

Номер патенту: 40675

Опубліковано: 27.04.2009

Автори: Андрієнко Володимир Олександрович, Уткіна Тетяна Юріївна, Рябцев Володимир Григорович

МПК: G11C 29/00

Мітки: тестування, прилад, напівпровідникової, пам'яті

Формула / Реферат:

Прилад для тестування напівпровідникової пам'яті, який містить змінне джерело електроживлення, блок зв'язку з персональним комп'ютером, блок керування та індикації, входи/виходи яких через шину зв'язку з'єднані з першими входами/виходами интерфейсного блока, другі входи/виходи якого з'єднані з входами/виходами генератора тактових імпульсів, а треті входи/виходи інтерфейсного блока з'єднані з входами/виходами формувача синхросигналів, виходи...

Номер патенту: 73508

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Рьоріх Майк, Вавер Петер, Шпрінгманн Олівер, Вольф Конрад, Хуккельс Кай, Реннекамп Райнхольд, Штайн фон Камінскі Елард, Куттер Хрістоф, Хайтцш Олаф, Лудвіг Хрістоф

МПК: H01L 29/788, H01L 21/336

Мітки: комірки, енергонезалежної, тунельним, вікном, спосіб, запам'ятовуючої, виготовлення, напівпровідникової, окремим

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення енергонезалежної напівпровідникової запам'ятовуючої комірки з окремим тунельним вікном, що включає технологічні операції виготовлення комірки тунельного вікна (TF) шляхом формування тунельної області (TG), тунельного шару (4), запам'ятовуючого шару (Т5) тунельного вікна, діелектричного шару (Т6) тунельного вікна і шару (Т7) керуючого електрода тунельного вікна, і транзисторної запам'ятовуючої комірки (TZ) шляхом...

Номер патенту: 57154

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Седлак Хольгер, Райнер Роберт

МПК: G06F 21/00, G06F 12/14, G06F 1/00 ...

Мітки: сигналом, приведення, схемі, інтегральна, варіанти, тактовим, інтегральної, напівпровідникова, схема, напівпровідникової, спосіб, керованої, дію, керована

Формула / Реферат:

1. Напівпровідникова інтегральна схема, що містить певну кількість керованих тактовим сигналом (СІint), здатних виконувати операції як паралельно, так і послідовно, функціональних вузлів (S1, S2, S3, HS), яка відрізняється тим, що вихід схеми формування тактового сигналу (СІint) через керовані перемикальні пристрої (МР1, МР2, МР3, МР4) з'єднаний з тактовими входами функціональних вузлів (S1, S2, S3, HS), керуючі входи перемикальних пристроїв...

Номер патенту: 52266

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Стрижак Петро Євгенович, Удовіченко Володимир Володимирович, Іващенко Тетяна Семенівна

МПК: C23C 18/16, H01L 21/205

Мітки: прозорої, сульфіду, нанесення, напівпровідникової, спосіб, плівки, міді

Формула / Реферат:

1. Спосіб нанесення прозорої напівпровідникової плівки сульфіду міді на діелектричну підкладку, шляхом висадження сульфіду міді при взаємодії речовин, що містять мідь та сірку, який відрізняється тим, що нанесення проводять у рідкому середовищі, висадження проводять одночасно з утворенням сульфіду міді в присутності кислоти аскорбінової, а як речовини, що містять мідь та сірку, використовують комплексну сполуку міді (П) загальної формули...

Номер патенту: 40748

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Івон Олександр Іванович, Колбунов Вадим Родиславович, Черненко Іван Михайлович

МПК: H01B 3/12, C04B 35/495, C03B 32/00 ...

Мітки: основі, ванадію, напівпровідникової, кераміки, спосіб, одержання, діоксиду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання напівпровідникової кераміки на основі діоксиду ванадію, який включає змішування основної компоненти та склоутворюючого додатку у ваговому співвідношенні від 95:5 до 70:30 відповідно, пресування суміші, спікання її при температурі 800-1100°С в інертному газовому середовищі протягом 10-30 хвилин, який відрізняється тим, що як основну компоненту використовують стехіометричний діоксид ванадію, а як склоутворюючий додаток -...

Номер патенту: 29571

Опубліковано: 15.11.2000

Автори: Савченко Ганна Павлівна, Болгов Сергій Семенович, Малютенко Володимир Костянтинович

МПК: H01L 21/66

Мітки: пластини, напівпровідникової, однорідності, контролю, засіб

Текст:

...20 ра. На пути оптического пучка у с т а навливают коротковолновый фильтр и з лучения. Регулировка длинноволнового края поглощения достигается путем 25 его перемещения в направлении, перпендикулярном оптической оси линзовой системы. Фильтр имеет метки, п о казывающие ДЛИННОЕОЛНОВЬЕЙ край поглощения в данной точке фильтра. По этим меткам можно судить -о длине волны, 30 соответствующей границе фильтрации 7чгр на уровне оптической оси линзовой...