H01L 21/304 — механічна обробка, наприклад шліфування, полірування, різання

Номер патенту: 98314

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Танікелла Брахманандам В., Сімпсон Метью А., Ведантхам Рамануджам, Ріццуто Роберт А., Чіннакаруппан Паланіаппан

МПК: H01L 21/20, B24B 37/005, B24B 7/00 ...

Мітки: основі, сапфірні, процесі, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Процес створення партії сапфірових підкладок, який включає:шліфування поверхні кожної сапфірової підкладки за допомогою першого фіксованого абразиву таким чином, що перша поверхня має с-площинну орієнтацію, де зазначена партія сапфірових підкладок містить принаймні 20 сапфірових підкладок, ташліфування зазначеної поверхні сапфірової підкладки за допомогою другого фіксованого абразиву, де другий фіксований абразив є більш...

Номер патенту: 95044

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Шпирко Григорій Миколайович, БАНДУРИН ЮРІЙ АНАТОЛІЙОВИЧ, Гаврилко Петро Петрович, Риган Михайло Юрійович, Ткаченко Віктор Іванович

МПК: B28D 5/04, H01L 21/304

Мітки: матеріалу, пристрій, різання

Формула / Реферат:

Пристрій для різання матеріалу, який містить перетворювач крутного моменту, несучу раму різального елемента, встановлену з можливістю зворотно-поступального руху, який відрізняється тим, що перетворювач крутного моменту виготовлений у вигляді диска, на периферії якого прикріплені магніти, полюси яких почергово розміщені в різні сторони, до несучої рами прикріплені два магніти таким чином, що периферійна частина диска знаходиться між...

Номер патенту: 70408

Опубліковано: 15.10.2004

Автори: Берінгов Сергій Борисович, Скобаро Андрій Олексійович, Сухоставець Володимир Маркович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/06, H01L 21/304, C30B 29/00 ...

Мітки: сонячних, кремнію, мультикристалічного, спосіб, елементів, одержання, пластин

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання пластин для сонячних елементів з мультикристалічного кремнію, що включає різання на брикети злитка, отриманого з розплаву кремнію методом спрямованої уздовж вертикальної осі кристалізації, і різання брикетів на пластини, який відрізняється тим, що різання злитка на брикети проводять у площинах, паралельних і перпендикулярних вертикальній осі злитка, а різання брикету на пластини здійснюють у площині, паралельній...

Номер патенту: 59840

Опубліковано: 15.09.2003

Автори: Микитюк Василь Іванович, Ластівка Василь Іванович

МПК: B24B 7/00, H01L 21/304

Мітки: обробки, пластин, пристрій, односторонньої

Формула / Реферат:

1. Пристрій для односторонньої обробки пластин, що містить щонайменше одну встановлену в утримувальному елементі головку для кріплення пластин і шліфувач, які розміщені з можливістю горизонтального переміщення один відносно одного, який відрізняється тим, що він додатково містить головководій з приводом для його обертання, головководій містить щонайменше один ексцентричний по відношенню до осі його обертання отвір, утримувальний елемент...

Номер патенту: 13252

Опубліковано: 28.02.1997

Автори: Богданов Євген Іванович, Репік Валерій Петрович, Живов Михайло Давидович

МПК: H01L 21/304

Мітки: пристрій, напівпровідникових, пластин, відмивання

Формула / Реферат:

Устройство для отмывки полупроводниковых пластин, содержащее держатель пластины с вертикальной осью вращения, цилиндрический рабочий инструмент, установленный с возможностью вращения относительно оси, параллельной плоскости держателя, и средства подачи жидкости в зону обработки, отличающееся тем, что рабочий инструмент выполнен в виде трубок из упругого пористого полирующего материала, расположенных по образующим цилиндра.

Номер патенту: 7561

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Горбань Анатолій Петрович, Тетяненко Микола Петрович, Іваницький Олег Петрович, Костильов Віталій Петрович, Громашевський Вячеслав Львович

МПК: H01L 21/304

Мітки: структур, кремнію, спосіб, обробки, кремній-двоокис

Формула / Реферат:

Способ обработки структур кремний-дву­окись кремния, включающий операцию измене­ния параметров дефектов, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, энергоемко­сти процесса и повышения качества, изменение параметров дефектов производят путем возбужде­ния в структурах ультразвуковых колебаний с ча­стотой 0,1 - 60 МГц, интенсивностью 0,5-7 Вт/см2 в течение 5-30 мин при температуре структуры не более 1000С.