Засіб визначення концентрації незаповнених глибоких центрів у структурі низькоомна плівка-високоомна підложка

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к области межоперационного контроля при изготовлении полупроводниковых приборов. Целью изобретения является упрощение и повышение информативности способа. Измеряют зависимость емкости С прижимного контакта - барьера Шоттки от прикладываемого к барьеру напряжения V в диапазоне напряжений, в котором отсутствует рост тока через барьер, связанный с лавинным пробоем. Измерение зависимости C(V) проводят при разных частотах f. Определяют частоту f 0 , ниже которой отсутствует дисперсні вольт-фарадных зависимостей. По завесумости C(V) на ее растущем участке определяют концентрацию незаполненных глубоких центров в подложке по формуле N, где S - плозцадь зонда, создающего барьер Шоттки; g - заряд электрона;. £ - диэлектрическая постоянная; £ 0 - диэлектрическая проницаемость полупроводникового материала. 2 табл., 2 ил. Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к области межоперационного контроля при изготовлении полупроводниковых приборов. Известны способы определения концентрации незаполненных глубоких центров в полупроводниковых пластинах, основанные на всевозможных модификациях вольт-емкостных методик. Однако эти способы не позволяют проводить измерения в тонкопленочных структурах вблизи перехода плен33-91 / ^ ка - подложка, поскольку в таких структурах в силу смыкания области обеднения под барьерным электродом с областью обеднения перехода пленка - подложка становятся неприменимыми известные соотношения между измеряемой емкостью и искомой концентраци ей глубоких центров. Измерение же кон центрации глубоких уровней вблизи поверхности подложки до создания на ней пленки неинформативно, так как в процессе нанесения пленки в подложке на границе раздела пленка - под < g 1676392 ложка возникают новые глубокие ценка на растущем участке C-V - зависитры, мости по формуле Наиболее близким техническим решением, выбранным в качестве прототипа, является способ определения концентрации незаполненных глубоких центров где S - площадь зонда, создающего в подложке тонкопленочных структур барьер Шоттки; вблизи границы раздела пленка - подg - заряд электрона; ложка. Данный способ заключается в £ о - диэлектрическая постоянная; создании на пленке в области измере£ - диэлектрическая проницаемость ния двух омических контактов и однополупроводникового материала. го управляющего электрода на подложПри выводе соотношения для N предке, измерении зависимости тока между полагалось, что перезарядка глубоких омическими контактами от напряжения, центров успевает следовать за измеопределении по этой зависимости тока нением напряжения переменного тестонасыщения, подаче напряжения Vg на вого сигнала малой амплитуды, с поуправляющий электрод и измерении измощью которого измеряется емкость. менения тока насыщения Д І . Причем Этим и обусловлено требование к часмещающее напряжение Vn выбирается стоте f тестового сигнала: f