Товсті сегнетоелектричні плівки на основі цирконату-титанату свинцю

Корисна модель відноситься до області радіотехніки і може бути використана для виготовлення сенсорів механічних систем. В даний час плівки на основі функціональних матеріалів одержали широке практичне застосування і з кожним роком їхня роль у мініатюризації компонентів електронної апаратури усе зростає [1]. Товсті плівки на основі цирконату-ти танату свинцю використовуються для виготовлення мікроактиваторів, мікронасосів, п'єзотрансформаторів, п'єзодвигунів [2,3]. Ряд авторів для одержання товстих плівок пропонують наносити дрібнодисперсний порошок високошвидкісним імпульсним впливом його на підкладку [4]. Недоліком цих методів є висока температура спікання плівок (вище 1000°С) і застосування дорогих (Pt, Pt-Pd) електродів. Високі температури спікання приводять до важкоконтрольованого випару оксиду свинцю [5]. Найбільш близьким за складом і досягаємим результатом для використання в якості наповнювача товстих сегнетоелектричних плівок є один з отриманих нами раніше матеріалів на основі цирконату-ти танату свинцю [6] ЦТССТ-3 (цирконат-титанат свинцю стронцію) [7], що являє собою п'єзокерамічний матеріал на основі цирконатутитанату свинцю з заміщенням 0,5% ат. свинцю стронцієм з добавками оксидів вісмуту, цинку, марганцю, лантану при наступному співвідношенні компонентів, мол.% оксид вісмуту 0,75 оксид марганцю 1,0 оксид цинку 2,0 оксид лантану 0,55 цирконат-титанат свинцю с заміщенням 0,5% ат. стронцієм решта. Вміст цирконату-титанату свинцю складає (50-55)% мол. В основу корисної моделі поставлена задача одержання товстих сегне-тоелектричних плівок на основі цирконату-ти танату свинцю з низькою температурою спікання. Поставлена задача вирішується тим, що товсті сегнетоелектричні плівки на основі цирконату-титанату свинцю, що містять оксид вісмуту, оксид марганцю, оксид цинку, оксид лантану, цирконат-титанат свинцю з заміщенням 0,5% ат. свинцю стронцієм, згідно корисної моделі, плівки містять наповнювач, у якості якого використовують дрібнодисперсну синтезовану шихту п'єзокерамічного матеріалу ЦТСС Т-3 (цирконат-титанат свинцю стронцію) при наступному співвідношенні компонентів у мол.% оксид вісмуту 0,75 оксид марганцю 1,0 оксид цинку 1,0 оксид лантану 0,55 цирконат-титанат свинцю, що складає 50-55% мол з заміщенням 0,5% ат. свинцю стронцієм решта з додатковим вмістом 1-4% ваг. оксиду вісмуту, що містить в собі органічне сполучне, у якості якого використовують ТЕД-10 (терпінеол, етилцелюлоза, дібутиловий ефір фталевої кислоти) при наступному співвідношенні компонентів у мас.% терпінеол 56-60 етилцелюлоза 3,6-5,0 дібутиловий ефір фталевої кислоти 35,7-38,7. Матеріал, що заявляється, для одержання товстих сегнетоелектричних плівок відрізняється уведенням добавки 1-4% ваг. оксиду вісмуту в синтезовану ши хту п'єзокерамічного матеріалу ЦТСС Т-3, що служить наповнювачем, змішуванням з органічною сполучною ТЕД-10. У результаті цього температура спікання плівок такого складу знижується до 800-850°С , що виключає виділення токсичних парів оксиду свинцю в атмосферу. Приклад 1. Синтезовану дрібнодисперсну ши хту ЦТСС Т-3 з розміром часток