Спосіб виготовлення енергонезалежної напівпровідникової запам’ятовуючої комірки з окремим тунельним вікном
Номер патенту: 73508
Опубліковано: 15.08.2005
Автори: Штайн фон Камінскі Елард, Вавер Петер, Вольф Конрад, Хайтцш Олаф, Лудвіг Хрістоф, Шпрінгманн Олівер, Куттер Хрістоф, Реннекамп Райнхольд, Рьоріх Майк, Хуккельс Кай
Формула / Реферат
1. Спосіб виготовлення енергонезалежної напівпровідникової запам'ятовуючої комірки з окремим тунельним вікном, що включає технологічні операції виготовлення комірки тунельного вікна (TF) шляхом формування тунельної області (TG), тунельного шару (4), запам'ятовуючого шару (Т5) тунельного вікна, діелектричного шару (Т6) тунельного вікна і шару (Т7) керуючого електрода тунельного вікна, і транзисторної запам'ятовуючої комірки (TZ) шляхом формування канальної області (KG), шару (3) затвора, запам'ятовуючого шару (5), діелектричного шару (6) і шару (7) керуючого електрода, відокремлено одна від іншої в активних областях напівпровідникової підкладки (100), а також з'єднувальної області (VB) для з'єднання комірки тунельного вікна (TF) із транзисторною запам'ятовуючою коміркою (TZ) в неактивній області напівпровідникової підкладки (100), який відрізняється тим, що формування тунельної області (TG) в активній області комірки тунельного вікна (TF) здійснюють після формування тунельного шару (4).
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що легування тунельної області (TG) включає самосуміщене формування імплантаційних областей (2) з використанням щонайменше одного шару комірки тунельного вікна (TF) як маски.
3. Спосіб за п. 2, який відрізняється тим, що при формуванні імплантаційних областей (2) імплантацію (ІT) здійснюють під тунельний шар (4) вертикально і/або під нахилом.
4. Спосіб за п. 2 або 3, який відрізняється тим, що формування тунельної області (TG) здійснюють таким чином, що імплантаційні області (2) повністю простягаються під тунельним шаром (4).
5. Спосіб за п. 2 або 3, який відрізняється тим, що формування тунельної області (TG) здійснюють таким чином, що при прикладенні робочої напруги зони просторових зарядів (RLZ) імплантаційних областей (2) повністю змикаються під тунельним шаром (4).
6. Спосіб за одним із пп. 1-5, який відрізняється тим, що з'єднувальну область (VB5) для запам'ятовуючих шарів формують одночасно із запам'ятовуючим шаром (5) транзисторної запам'ятовуючої комірки (TZ) і запам'ятовуючим шаром (Т5) тунельного вікна (TF).
7. Спосіб за одним із пп. 1-6, який відрізняється тим, що з'єднувальну область (VB7) для керуючих електродів формують одночасно з шаром (7) керуючого електрода транзисторної запам'ятовуючої комірки (TZ) і шаром (Т7) керуючого електрода тунельного вікна (TF).
8. Спосіб за одним із пп. 1-7, який відрізняється тим, що для формування тунельної області (TG) використовують метод імплантації матричного стоку.
9. Спосіб за одним із пп. 1-7, який відрізняється тим, що для формування тунельної області (TG) використовують метод імплантації слаболегованого стоку.
10. Спосіб за одним із пп. 1-9, який відрізняється тим, що енергонезалежну напівпровідникову запам'ятовуючу комірку виготовляють як запам'ятовуючу комірку програмованого постійного запам'ятовуючого пристрою з електричним стиранням (ЕСППЗП=EEPROM).
Додаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for producing a nonvolatile semiconductor memory cell with a separate tunneling window
Назва патенту російськоюСпособ создания энергонезависимой полупроводниковой запоминающей ячейки с отдельным туннельным окном
МПК / Мітки
МПК: H01L 29/788, H01L 21/336
Мітки: тунельним, спосіб, вікном, енергонезалежної, окремим, напівпровідникової, комірки, запам'ятовуючої, виготовлення
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/6-73508-sposib-vigotovlennya-energonezalezhno-napivprovidnikovo-zapamyatovuyucho-komirki-z-okremim-tunelnim-viknom.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення енергонезалежної напівпровідникової запам’ятовуючої комірки з окремим тунельним вікном</a>
Спосіб прогнозування переадресувань від комірки до комірки рухомого абонента для супутникової стільникової системи зв’язку
Номер патенту: 27279
Опубліковано: 15.09.2000
Автори: Реймонд Джозеф Леопольд, Барі Роберт Бертігер, Кеннет Мейнард Петерсон
МПК: H04B 7/185
Мітки: стільникової, системі, зв'язку, спосіб, рухомого, прогнозування, переадресувань, абонента, комірки, супутникової
Формула / Реферат:
(57) 1. Способ прогнозирования переадресовок от ячейки к ячейке подвижного абонента для спутниковой сотовой системы связи, содержащей спутник, находящийся на околоземной орбите и проецирующий множество ячеек, каждая из которых ограничивает зону, в пределах которой можно осуществлять связь с подвижным абонентом, и процессор спутника для осуществления прогнозирования переадресовок от ячейки к ячейке, отличающийся тем, что определяют положение...
Спосіб виготовлення електрохімічної комірки
Номер патенту: 44271
Опубліковано: 15.02.2002
Автори: Нікс Кевін Джон, Кулі Грехем Едвард
МПК: H01M 8/24, H01M 2/02, H01M 12/00, C08J 7/00, H01M 8/02
Мітки: спосіб, електрохімічної, виготовлення, комірки
Формула / Реферат:
1. Способ изготовления электрохимической ячейки, обладающей долговременной химической стабильностью по отношению к растворам анолита и католита при значениях рН менее 2 и выше 12, который включает стадииа) термической обработки полимерного материала, способного к переходу в стеклообразное состояние и/или к термическому переходу в расплавленное состояние, с формованием конструкции ячейки или элемента конструкции ячейки,...
Мікропориста діафрагма для електролізної комірки, спосіб її виготовлення , катодний елемент на її основі та спосіб його виготовлення
Номер патенту: 27692
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Башо Жан, Стютзман Паскаль
МПК: C25B 13/00
Мітки: мікропориста, спосіб, основі, катодний, виготовлення, діафрагма, елемент, комірки, електролізної
Формула / Реферат:
(57)1. Микропористая диафрагма для электролизной ячейки, формуемая in situ влажным методом, содержащая фтористый полимер и минеральные волокна, отличающаяся тем, что минеральные волокна дополнительно содержат политетрафтор этиленовые волокна, при следующих весовых соотношениях ингредиентов (вес. %):Фтористый полимер 3-35, гель оксогидроксида, по меньшей мере, одного металла, выбранного из групп IVA, IVB, VB и VIВ периодической...
Схемний пристрій для обробки даних та спосіб аутентифікації вмісту енергонезалежної області пам’яті
Номер патенту: 62003
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Ведель Армін, Хесс Ервін, Покрандт Вольфганг, Гаіл Маркус
МПК: G07F 7/10
Мітки: пристрій, схемний, даних, спосіб, пам'яті, енергонезалежної, обробки, вмісту, області, аутентифікації
Формула / Реферат:
1. Схемний пристрій для обробки даних, що містить щонайменше одну енергонезалежну область (SB1...SBn) пам'яті з електричним записом і стиранням, схему адресації (AS), яка складається з декодера даних (SD), декодера рядків (ZD) і декодера областей даних (BD), поставлена у відповідність області пам'яті і з'єднана з областю пам'яті через адресні шини (шини колонок SL, шини рядків ZL, шини областей пам’яті BL1...BLn), схему аутентифікації даних...
Спосіб комплексного контролю споживання окремим навантаженням електричної енергії
Номер патенту: 65855
Опубліковано: 15.04.2004
Автори: Трунова Ірина Михайлівна, Дзюба Наталія Анатоліївна
МПК: G01R 21/00, H03K 29/00
Мітки: спосіб, комплексного, окремим, електричної, енергії, навантаженням, контролю, споживання
Формула / Реферат:
Спосіб комплексного контролю споживання окремим навантаженням електричної енергії, згідно з яким кожне окреме навантаження є часткою сукупного навантаження з загальним лічильником і приєднане до мережі змінного струму через окремий комутуючий пристрій та має перший та другий аналогові модулі, які визначають відповідно напруги та струми мережі змінного струму та формують аналогові сигнали напруги та струмів, які за допомогою аналогового...
Попередній патент: Наповнювач і спосіб виробництва ігристого вина з його використанням
Наступний патент: Протизапальний, ранозагоювальний та антимікробний засіб для місцевого застосування
Випадковий патент: Синхронний генератор з постійними магнітами