H01L 31/04 — призначені для роботи в якості фотоелектричних перетворювачів, наприклад фотоелектричні модулі або поодинокі фотоелектричні елементи

Номер патенту: 22448

Опубліковано: 03.03.1998

Автори: Вєтчінін Дмитро Віталійович, Півоваров Дмитро Августинович

МПК: H01L 31/04

Мітки: електромагнітного, випромінювання, пристрій, електричну, перетворення, енергію

Формула / Реферат:

Пристрій перетворення електромагнітного випромінювання в електричну енергію, що містить антену, змішувач, детектор та гетеродин, який відрізняється тим, що як гетеродин використано другу антену.

Номер патенту: 16681

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Вербицький Олег Петрович, Рижиков Володимир Діомидович, Селегенев Євген Михайлович, Сілін Віталій Іванович

МПК: H01L 31/04, G01T 1/24, G01T 1/20 ...

Мітки: іонізуючих, напівпровідниковий, детектор, одержання, спосіб, випромінювань, інтегральній

Формула / Реферат:

1. Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений, содержащий выполненные из соединений АIIВVI сцинтиллятор и интегрально нанесенный на него фотоприемник, образующий р-n-переход с материалом сцинтиллятора, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности детектора и ее стабильности во времени, р-n-переход состоит из твердого раствора соединений АIIВVI, покрывающего поверхность сцинтиллятора.2. Детектор по п. 1,...

Номер патенту: 14924

Опубліковано: 04.03.1997

Автори: Горбань Анатолій Петрович, Макаров Анатолій Володимирович, Пінчук Віталій Миколайович, Петряков Володимир Олексійович, Уруський Олег Семенович, Бойко Григорій Степанович

МПК: H01L 31/04

Мітки: виготовлення, спосіб, елементів, сонячних, модуля, фотоелектричного

Формула / Реферат:

1. Способ изготовления фотоэлектрических модулей из солнечных элементов, основанный на последовательно-параллельной коммутации солнечных элементов между собой металлическими шинками и приклеивании скоммутированных солнечных элементов к поверхности носителя, на котором собирают модуль, отличающийся тем, что металлические шинки, осуществляющие параллельное соединение тыльных электродов ряда солнечных элементов между собой, выполняют из...

Номер патенту: 8567

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Ключников Олександр Олександрович, Щербін Володимир Миколайович, Михайлов Віктор Іванович

МПК: H01L 21/02, H01L 31/04

Мітки: напівпровідникових, детекторів, випромінювання, компенсації, іонізуючого, домішкової, провідності, пристрій

Формула / Реферат:

Устройство для компенсации примесной про­водимости полупроводниковых детекторов иони­зирующих излучений, состоящее из термостата, двух плоских потенциальных контактов и источ­ника питания, отличающееся тем, что, с целью повышения его производительности путем умень­шения времени компенсации, в него введены дополнительные потенциальные контакты, коллиматор и источник ионизирующего излуче­ния, причем каждый контакт соединен с другим контактом...

Номер патенту: 2114

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Губа Микола Федорович, Походенко Віталій Дмитрович

МПК: H01L 31/04

Мітки: енергії, перетворення, енергію, елемент, твердотільний, фотогальванічний, електричну, світла

Формула / Реферат:

Твердотельный фотогальванический элемент для преобразования энергии света в єлектрическую энергию на основе сэндвич-структуры, включающий неорганический полупроводник кремний n-типа проводимости, электропроводящий органический полимер и пленку золота, отличающийся тем, что в качестве элехтропроводящего органического полимера используют поли-N-эпоксипропилкарбазол, допированный пентахлоридом сурьмы, с толщиной слоя

Номер патенту: 1191

Опубліковано: 30.12.1993

Автори: Походенко Віталій Дмитрович, Губа Микола Федорович

МПК: H01L 31/04

Мітки: фотогальванічний, світла, електричну, енергії, енергію, перетворення, елемент, твердотільний

Формула / Реферат:

Твердотельный фотогальванический элемент для преобразования энергии света в электрическую энергию на основе сэндвич-структуры, включающей слой неорганического полупроводника А2В6 n-типа, слой электропроводящего органического полимера и слой золота, отличающийся тем. что в качестве неорганического полупроводника A2B6 n - типа используют поликристаллический теллурид кадмия, а в качестве электропроводящего органического полимера -...