Адонкін Георгій Тимофійович

Номер патенту: 108015

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Пузіков Андрій Вячеславович, Мірошников Юрій Петрович, Будніков Олександр Тимофійович, Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович

МПК: C30B 15/14, C30B 29/16

Мітки: оксидів, тугоплавких, вирощування, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів, що включає горизонтально спрямовану кристалізацію розплаву в захисній атмосфері, яка містить оксид вуглецю, при тиску 10-30 Па, який відрізняється тим, що концентрацію азоту в захисній атмосфері забезпечують не вище 2 об. %, а кристалізацію здійснюють при потужності нагрівача над вільною поверхнею розплаву збільшеною на 20-25 % у порівнянні і нижньою частиною розплаву.

Номер патенту: 60241

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Картамишев Георг Олександрович, Бараннік Сергій Віталійович, Каніщев Василь Миколайович, Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович

МПК: C30B 13/02

Мітки: спосіб, зокрема, монокристалів, корунду, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, зокрема корунду, згідно з яким, в тигель завантажують початкову сировину, розміщують тигель у ростовій печі, розплавляють сировину, витягують у холодну зону з постійним прискоренням, який відрізняється тим, що фіксують момент різкого зростання (стрибок) швидкості кристалізації, одночасно фіксують ростову координату і швидкість витягування, зупиняють вирощування, тигель повертають назад на відстань, що...

Номер патенту: 86876

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Гринь Леонід Олексійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Мірошников Юрій Петрович, Ніжанковський Сергій Вікторович

МПК: C30B 11/00, C30B 15/00, C30B 13/00 ...

Мітки: алюмінію, вирощування, оксиду, монокристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...

Номер патенту: 78462

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Сідельнікова Наталія Степанівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Данько Олександр Якович, Стрілець Геннадій Васильович, Мірошников Юрій Петрович, Адонкін Георгій Тимофійович, Качала Володимир Юхимович

МПК: C30B 29/20, C01F 7/46, C01F 7/02 ...

Мітки: одержання, глинозему, лейкосапфіру, монокристалів, вирощування, спосіб, сировини

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сировини з глинозему для вирощування монокристалів лейкосапфіру, який включає сплавку суміші глинозему з 0,4-0,6 мас. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, одержання продукту плавки в гарнісажі і його наступне дроблення, який відрізняється тим, що роздроблений глиноземний матеріал попередньо перед вирощуванням засипають у тигель з встановленою у ньому затравкою, тигель поміщають у камеру печі з графітовою...

Номер патенту: 50000

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Каніщев Василь Миколайович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Ніжанковський Сергій Вікторович, Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович

МПК: C01F 7/02, C30B 29/20

Мітки: спосіб, корунду, розплаву, одержання, вирощування, монокристалів, шихти

Формула / Реферат:

Спосіб одержання шихти для вирощування монокристалів корунду із розплаву, який включає завантаження порошку глинозему у камеру печі, його нагрів зверху і плавлення в гарнісажі, роздрібнення продукту плавки, який відрізняється тим, що в порошок глинозему додають 0,4...0,6 ваг. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, порошок глинозему перед сплавленням прожарюють у газовому середовищі на основі монооксиду вуглецю при тиску...

Номер патенту: 460

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Каніщев Василь Миколайович, Адонкін Георгій Тимофійович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Данько Олександр Якович, Ніжанковський Сергій Вікторович

МПК: F27B 9/00, F27B 1/00, G01N 21/71 ...

Мітки: розплаву, вирощування, монокристалів, одержання, шихти, піч

Формула / Реферат:

Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву з днищем, кожухом і склепінням, які охолоджено зовні та футеровано, та розташованим усередині неї нагрівачем, яка відрізняється тим, що склепіння печі футеровано графітом, а нагрівач виконано за типом нагрівача опору.

Номер патенту: 21982

Опубліковано: 30.04.1998

Автори: Сідельнікова Наталія Степанівна, Каніщєв Василь Миколайович, Катрич Микола Петрович, Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Будніков Олександр Тимофійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/20

Мітки: тугоплавких, кристалізацією, спосіб, пластин, направленою, складних, горизонтальною, вирощування, варіанти, монокристалічних, оксидів

Формула / Реферат:

1. Способ вуращивания монокристаллических пластин сложных тугоплавких оксидов гори-зонтальной направленной кристаллизацией, включающий плавление исходной шихту, затравление й последующее вуращивание прямоугольной части монокристаллической пластину перемещением тигля через градиентное тспловое поле со скоростью 1-2 мм/час, отличающийся тем, что переднюю треугольную часть монокристаллической пластину вуращивают перемещением тигля через...

Номер патенту: 18923

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Качала Володимир Юхимович, Калашников Олександр Миколайович, Данько Олександр Якович, Катрич Микола Петрович, Мірошников Юрій Петрович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/00, C30B 15/00 ...

Мітки: алюмінію, оксиду, вирощування, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

 Способ выращивания монокристаллов оксида алюминия, включающий направленную кристаллизацию расплава в защитной газовой среде, отличающийся тем, что кристаллизацию проводят в защитной атмосфере оксида углерода при давлении от 30 до 60 Па.

Номер патенту: 16740

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Данько Олександр Якович, Катрич Микола Петрович, Мірошников Юрій Петрович, Калашников Олександр Миколайович, Качала Володимир Єфімович, Адонкін Георгій Тимофійович

МПК: C30B 11/00, C30B 15/00, C30B 13/00 ...

Мітки: оксидів, спосіб, монокристалів, тугоплавких, вирощування

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов туго­плавких оксидов, включающий направленную кристаллизацию расплава в замкнутом объеме кристаллизационной камеры в защитной атмосфе­ре, содержащей аргон и водород при давлении, пре­вышающем атмосферное, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа и увеличения выхода годных монокристаллов, перед кристаллизацией в камере создают давление 20-30 Па и проводят в ней термическую диссоциацию...