Данько Олександр Якович

Номер патенту: 108015

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Будніков Олександр Тимофійович, Данько Олександр Якович, Мірошников Юрій Петрович, Пузіков Андрій Вячеславович

МПК: C30B 15/14, C30B 29/16

Мітки: вирощування, спосіб, тугоплавких, оксидів, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів тугоплавких оксидів, що включає горизонтально спрямовану кристалізацію розплаву в захисній атмосфері, яка містить оксид вуглецю, при тиску 10-30 Па, який відрізняється тим, що концентрацію азоту в захисній атмосфері забезпечують не вище 2 об. %, а кристалізацію здійснюють при потужності нагрівача над вільною поверхнею розплаву збільшеною на 20-25 % у порівнянні і нижньою частиною розплаву.

Номер патенту: 60241

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Бараннік Сергій Віталійович, Каніщев Василь Миколайович, Данько Олександр Якович, Картамишев Георг Олександрович, Адонкін Георгій Тимофійович

МПК: C30B 13/02

Мітки: спосіб, зокрема, корунду, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, зокрема корунду, згідно з яким, в тигель завантажують початкову сировину, розміщують тигель у ростовій печі, розплавляють сировину, витягують у холодну зону з постійним прискоренням, який відрізняється тим, що фіксують момент різкого зростання (стрибок) швидкості кристалізації, одночасно фіксують ростову координату і швидкість витягування, зупиняють вирощування, тигель повертають назад на відстань, що...

Номер патенту: 86876

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Ніжанковський Сергій Вікторович, Адонкін Георгій Тимофійович, Мірошников Юрій Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Данько Олександр Якович, Гринь Леонід Олексійович

МПК: C30B 15/00, C30B 11/00, C30B 13/00 ...

Мітки: алюмінію, вирощування, монокристалів, спосіб, оксиду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...

Номер патенту: 78462

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Стрілець Геннадій Васильович, Качала Володимир Юхимович, Мірошников Юрій Петрович, Данько Олександр Якович, Сідельнікова Наталія Степанівна

МПК: C30B 29/20, C01F 7/46, C01F 7/02 ...

Мітки: одержання, глинозему, сировини, лейкосапфіру, вирощування, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сировини з глинозему для вирощування монокристалів лейкосапфіру, який включає сплавку суміші глинозему з 0,4-0,6 мас. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, одержання продукту плавки в гарнісажі і його наступне дроблення, який відрізняється тим, що роздроблений глиноземний матеріал попередньо перед вирощуванням засипають у тигель з встановленою у ньому затравкою, тигель поміщають у камеру печі з графітовою...

Номер патенту: 73611

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Семиноженко Володимир Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Бутенко Лариса Василівна, Петров В'ячеслав Васильович, Данько Олександр Якович, Шанойло Семен Михайлович, Косско Ігор Олександрович, Крючин Андрій Андрійович

МПК: G11B 7/24, G11B 7/00

Мітки: носій, довготермінового, зберігання, інформації

Формула / Реферат:

1. Носій для довготермінового зберігання інформації, що складається з прозорої підкладки, на якій нанесено рельєфну мікроструктуру, якою записана кодована інформація, відбиваючого шару та захисного шару, який відрізняється тим, що підкладку виконано з монокристалічного матеріалу, наприклад лейкосапфіру з орієнтацією 0001 (с) завтовшки 0,5-1,4 мм, на якій селективним травленням створено рельєфну мікроструктуру завтовшки 80 -110 нм.2....

Номер патенту: 50000

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Каніщев Василь Миколайович, Ніжанковський Сергій Вікторович

МПК: C30B 29/20, C01F 7/02

Мітки: монокристалів, одержання, розплаву, спосіб, вирощування, корунду, шихти

Формула / Реферат:

Спосіб одержання шихти для вирощування монокристалів корунду із розплаву, який включає завантаження порошку глинозему у камеру печі, його нагрів зверху і плавлення в гарнісажі, роздрібнення продукту плавки, який відрізняється тим, що в порошок глинозему додають 0,4...0,6 ваг. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, порошок глинозему перед сплавленням прожарюють у газовому середовищі на основі монооксиду вуглецю при тиску...

Номер патенту: 460

Опубліковано: 29.12.1999

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Каніщев Василь Миколайович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Ніжанковський Сергій Вікторович, Данько Олександр Якович

МПК: G01N 21/71, F27B 1/00, F27B 9/00 ...

Мітки: розплаву, шихти, вирощування, одержання, піч, монокристалів

Формула / Реферат:

Піч для одержання шихти для вирощування монокристалів із розплаву з днищем, кожухом і склепінням, які охолоджено зовні та футеровано, та розташованим усередині неї нагрівачем, яка відрізняється тим, що склепіння печі футеровано графітом, а нагрівач виконано за типом нагрівача опору.

Номер патенту: 21982

Опубліковано: 30.04.1998

Автори: Катрич Микола Петрович, Сідельнікова Наталія Степанівна, Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Будніков Олександр Тимофійович, Каніщєв Василь Миколайович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/20

Мітки: кристалізацією, пластин, монокристалічних, направленою, оксидів, складних, варіанти, вирощування, тугоплавких, спосіб, горизонтальною

Формула / Реферат:

1. Способ вуращивания монокристаллических пластин сложных тугоплавких оксидов гори-зонтальной направленной кристаллизацией, включающий плавление исходной шихту, затравление й последующее вуращивание прямоугольной части монокристаллической пластину перемещением тигля через градиентное тспловое поле со скоростью 1-2 мм/час, отличающийся тем, что переднюю треугольную часть монокристаллической пластину вуращивают перемещением тигля через...

Номер патенту: 18923

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Катрич Микола Петрович, Данько Олександр Якович, Калашников Олександр Миколайович, Качала Володимир Юхимович, Мірошников Юрій Петрович, Адонкін Георгій Тимофійович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/00, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, алюмінію, оксиду, монокристалів, вирощування

Формула / Реферат:

 Способ выращивания монокристаллов оксида алюминия, включающий направленную кристаллизацию расплава в защитной газовой среде, отличающийся тем, что кристаллизацию проводят в защитной атмосфере оксида углерода при давлении от 30 до 60 Па.

Номер патенту: 16740

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Адонкін Георгій Тимофійович, Катрич Микола Петрович, Калашников Олександр Миколайович, Мірошников Юрій Петрович, Качала Володимир Єфімович, Данько Олександр Якович

МПК: C30B 15/00, C30B 13/00, C30B 11/00 ...

Мітки: тугоплавких, вирощування, монокристалів, оксидів, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов туго­плавких оксидов, включающий направленную кристаллизацию расплава в замкнутом объеме кристаллизационной камеры в защитной атмосфе­ре, содержащей аргон и водород при давлении, пре­вышающем атмосферное, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа и увеличения выхода годных монокристаллов, перед кристаллизацией в камере создают давление 20-30 Па и проводят в ней термическую диссоциацию...