Hапівпровідhиковий теhзоперетворювач

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для электрических измерений физических величин, в т.ч. давления, расхода и т.д. Целью является повышение чувствительности. Тензопреобразователь снабжен каналами проводимости, расположенными между зигзагообразным резистивным слоем и приконтактными областями. При подаче напряжения питания на электроды питания и отрицательного управляющего напряжения на электроды между приконтактными областями и диффузионными областями в инверсионном слое каналов проводимости протекает ток. Направления токов в инверсионном и диффузионном тензорезистивных слоях взаимно параллельны. 1 ил. СО 1 1329309 Изобретение относится к измеритель1 1 и 12 питания. Каналы проводимости имеют геометрические размеры: шиной технике и может быть использовано, рина W = 2,3 10~*M, длина L = 0,2 10 ь' в частности, при разработке датчиков Пороговое напряжение МОП-структуры давления, расхода, перемещения, * Une,p= 2,5 8. Номинальное сопротивлеЦель изобретения - повышение чувние диффузионнсго слоя R = 1000 Ом, ствительности. удельное поверхностное сопротивление ' Изобретение иллюстрируется черте3 диффузионного слоя р =2, 2-2,6 Ю Ом см жом, на котором показана топология Тензочувствительными слоями тентензопреобразователя. 10 зопреобразователя предлагаемой констПолупроводниковый тензопреобразорукции является диффузионный слой 2 ватель содержит пластину 1, сформии инверсионные слои каналов проводированный в ней зигзагообразный тенэомости под областями 5 и 6 диэлектрирезистивный слой 2, приконтактные области 3 и 4, области 5 и 6 подзат- 15 ка. Каналы проводимости расположены между приконтактными областями 3 и 4 ворного диэлектрика, расположенные и тензорезистинным диффузионным сломежду торцовыми участками тензорезисем 2 таким образом, что в диффузионтивного слоя 2 и приконтактными обном слое тензорезистора и в канале ластями . и 4 и перекрывающими облас3 ти 2, 3 и 4, управляющие электроды 7 20 проводимости н,травления токов и электрического поля совпадают. и 8, сформированные над областями 5 и 6 лодзатворного диэлектрика, конПри подаче напряжения питания на тактные -окна 9 и 10 к приконтактным электроды 11 и 12 и отрицательного областям 3 и 4 и электроды 11 и 12 управляющего напряжения на электроды питания. 7 и 8 в слое 2 и в образовавшихся П р и м е р . Исходным материалом инверсионных слоях каналов проводидля изготовления пластины 1 является мости протекает ток. кремний КЭФ-4,5 с плоскостью ориентаЗначительная величина пьезорезисции 100 . На поверхности ппастины 1, тивного эффекта каналов проводимости предварительно прошедшей механи30 используется в предлагаемой конструкции для повышения чувствительности ческую и химическую обработку,вырапреобразователя и ее регулировки. щивают слой защитного маскирующего окисла толщиной J = 0,5-0,8 мкм. Методом фотолитографии вскрывают Фо'рмула и з о б р е т е н и я окна в слое окисла и проводят диф35 фузию бора для получения зигзагообПолупроводниковый тензопреобразователь, содержащий подложку одного разного диффузионного тензорезистивтипа проводимости, сформированные в * ного слоя 2 р-типа и приконтактных і областей 3 и 4. Проводя фотолитограней тензорезистивные области второфию и, удалив толстый окисел между 4Q го типа проводимости,- выполненные торцовыми участками тензорезистивнов виде сплошного зигзагообразного го слоя 2 и приконтактными областями резистивного слоя прямоугольной фор3 и 4, формируют области 5 и 6 подмы, подзатворный диэлектрик, управлязатворного диэлектрика. Эти участки ющие электроды и электроды питания, пластины 1 являются при работе тен-(-отлич а ю щ и и с я тем, что, зопреобразователя каналами проводис целью повышения чувствительности, мости. приконтактные области расположены с " Подзатворный диэлектрик содержит двух сторон вдоль торцовых участков пленку окисла толщиной 1000 А и плензигзагообразного резистивного слоя, ку фосфор*носиликатного стекла толщи- 50 причем длина приконтактных областей ной *-200 А. Подзатворный диэлектрик равна периоду зигзагообразного резиссо структурой Si0 2 - ФСС формируют тивного слоя, умноженному на число термическим методом при 950°С. После периодов, а подзатворные диэлектрики фотолитографии вскрывают контактные расположены между приконтактными обокна 9 и 10, осаждают спой алюминия ластями и торцовыми участками зигза55 толщиной 0,8-1,0 мкм и формируют упгообразного резистивного слоя и совравляющие электроды 7 и 8 и электроды мещены с ними. 1329509 6 9 12 \ \ \ 11 10 Редактор Л. Курасова Составитель В. Копанев Техред И.Попович КорректорМ. Цароши Заказ 903/ДСП Тираж 449 Подписное ВНИИЇЇИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4