Кравчина Акім Віталійович

Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 46274

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Кравчина Акім Віталійович, Швець Євген Якович, Гомольський Дмитро Михайлович, Кравчина Віталій Вікторович

МПК: H01L 21/225, H01L 21/306

Мітки: силових, виготовлення, напівпровідникових, кільцем, дифузійним, спосіб, приладів, охоронним

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем, що включає підготовку шліфованих пластин, проведення процесів дифузії легуючих домішок р- та n-типу провідності, локальне травлення, локальну дифузію, формування легованого бором та алюмінієм глибокого р+-р-шару, окислення, формування шару з охоронним дифузійним кільцем, вилучення окислу, формування ізоляції, формування фаски за допомогою механічної та...

Спосіб формування структур кремнію на діелектрику

Завантаження...

Номер патенту: 22539

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Гомольський Дмитро Михайлович, Кравчина Акім Віталійович, Кравчина Віталій Вікторович, Ніконова Аліна Олександрівна

МПК: H01L 21/70

Мітки: формування, спосіб, кремнію, структур, діелектрику

Формула / Реферат:

Спосіб формування структур кремнію на діелектрику, який включає окислення пластин кремнію, осадження плівок нітриду кремнію, проведення процесів фотолітографії, локальне травлення плівок нітриду, окислу кремнію та кремнію, локальне окислення кремнію, який відрізняється тим, що після окислення пластин кремнію осаджують плівки Si3N4 товщиною 0,1-2,0 мкм, проводять одночасно поверхнево-анізотропне травлення і селективне травлення кремнію в...