H01L 21/225 — дифузія з твердої фази в тверду фазу або назад, наприклад легування оксидного шару

Номер патенту: 46274

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Швець Євген Якович, Кравчина Акім Віталійович, Кравчина Віталій Вікторович, Гомольський Дмитро Михайлович

МПК: H01L 21/306, H01L 21/225

Мітки: силових, приладів, спосіб, напівпровідникових, виготовлення, дифузійним, кільцем, охоронним

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем, що включає підготовку шліфованих пластин, проведення процесів дифузії легуючих домішок р- та n-типу провідності, локальне травлення, локальну дифузію, формування легованого бором та алюмінієм глибокого р+-р-шару, окислення, формування шару з охоронним дифузійним кільцем, вилучення окислу, формування ізоляції, формування фаски за допомогою механічної та...

Номер патенту: 56001

Опубліковано: 15.04.2003

Автори: Зуєва Тетяна Костянтинівна, Солодовнік Анатолій Іванович, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 21/306, H01L 21/225

Мітки: спосіб, локальної, алюмінію, дифузії

Формула / Реферат:

1. Спосіб локальної дифузії алюмінію, який містить локальне, наприклад з застосуванням фотолітографії, нанесення на поверхню кремнієвої пластини алюмінію і наступне проведення дифузії в окислювальній атмосфері, який відрізняється тим, що алюміній наносять у вигляді сполуки в складі рідкого джерела дифузії, а перед фотолітографією проводять термообробку пластини в окислювальній атмосфері.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що...

Номер патенту: 16575

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Шмирьова Олександра Миколаївна, Кирпатенко Лідія Трохимівна, Кустова Лариса Петрівна

МПК: H01L 21/225

Мітки: спосіб, виготовлення, елементів, сонячних

Формула / Реферат:

Способ изготовления солнечных элементов, включающий диффузию бора в кремниевые пластины n-типа проводимости, нанесение омических контактов и антиотражающих покрытий, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования элементов путем снижения влияния эффектов сильного легирования, диффузию проводят из пластин нитрида бора через слой двуокиси кремния толщиной 10-30 нм в температурном диапазоне 1150-1200 К в течение 20-40 мин...

Номер патенту: 13520

Опубліковано: 25.04.1997

Автори: Гасько Любомир Захарович, Воронін Валерій Олександрович, Бідник Дмитро Ілліч, Богдановський Юрій Миколайович, Сарапін Ярослав Миколайович, Саваневський Володимир Григорович

МПК: H01L 21/225

Мітки: твердих, виготовлення, спосіб, дифузії, джерел, фосфора, планарних

Формула / Реферат:

Способ изготовления твердых планарных ис­точников для диффузии фосфора, включающий нанесение порошка диффузанта на основе метафосфата алюминия на кремниевые подложки и спекание при температуре 1050-1110°С, отличаю­щийся тем, что, с целью повышения стойкости ис­точников к термоударам во время ввода кассеты с источниками в диффузионную печь, порошок диф­фузанта дополнительно содержит окись лантана в количестве 0,5-5 мас. %.