Патенти з міткою «охоронним»

Спосіб виготовлення діода шотткі з охоронним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 111697

Опубліковано: 25.11.2016

Автор: Литвиненко Віктор Миколайович

МПК: H01L 29/47

Мітки: охоронним, спосіб, кільцем, діода, шотткі, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем, що включає термічне окислення кремнієвої пластини n-типу провідності, відкриття контактних вікон в шарі окислу за допомогою фотолітографії, проведення дифузії бору в дві стадії для одержання р-n переходу області охоронного кільця, утворення випрямляючих контактів з бар'єром Шотткі, який відрізняється тим, що після термічного окислення на зворотній стороні пластини формують гетеруючий шар...

Спосіб виготовлення діодів шотткі з охоронним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 79669

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Самойлов Микола Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/31, H01L 21/329 ...

Мітки: діодів, виготовлення, спосіб, охоронним, кільцем, шотткі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів шотткі з охоронним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 60700

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Сєліверстова Світлана Ростиславівна, Сєліверстов Ігор Анатолійович, Фролов Олександр Миколайович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/31, H01L 21/329 ...

Мітки: виготовлення, кільцем, діодів, спосіб, кремнієвих, охоронним, шотткі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію...

Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем

Завантаження...

Номер патенту: 46274

Опубліковано: 10.12.2009

Автори: Кравчина Акім Віталійович, Швець Євген Якович, Кравчина Віталій Вікторович, Гомольський Дмитро Михайлович

МПК: H01L 21/225, H01L 21/306

Мітки: спосіб, охоронним, напівпровідникових, приладів, виготовлення, силових, кільцем, дифузійним

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення силових напівпровідникових приладів з охоронним дифузійним кільцем, що включає підготовку шліфованих пластин, проведення процесів дифузії легуючих домішок р- та n-типу провідності, локальне травлення, локальну дифузію, формування легованого бором та алюмінієм глибокого р+-р-шару, окислення, формування шару з охоронним дифузійним кільцем, вилучення окислу, формування ізоляції, формування фаски за допомогою механічної та...

Телефон стільникового зв’язку з охоронним датчиком руху

Завантаження...

Номер патенту: 45621

Опубліковано: 25.11.2009

Автор: Абрамов Олександр Миколайович

МПК: G08B 25/10, H04L 5/00, G08B 13/00 ...

Мітки: стільникового, охоронним, датчиком, телефон, зв'язку, руху

Формула / Реферат:

1. Телефон стільникового зв'язку з охоронним датчиком руху, що містить вузол живлення (1), з виходу якого напруга живлення подається на усі вузли телефона, вузол управління, виконаний на базі мікроконтролера (2), перший вхід-вихід якого підключений до входу-виходу вузла живлення (1), а другий вхід-вихід - до входу-виходу вузла перетворення (аудіокодека) (3), до першого входу-виходу вузла приймача-передавача (4) з антеною (5) і до входу-виходу...