Кравцова Анна Сергіївна
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду
Номер патенту: 71056
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Демчина Любомир Андрійович, Стратійчук Ірина Борисівна, Галкін Сергій Миколайович, Томашик Зінаїда Федорівна, Томашик Василь Миколайович, Сосницька Ольга Олександрівна, Калитчук Сергій Михайлович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Кравцова Анна Сергіївна
МПК: H01L 21/02, H01L 21/465
Мітки: полірованої, селеніду, поверхні, кристалів, цинк, формування, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...