Патенти з міткою «полірованої»
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розинів pb1-xsnxte
Номер патенту: 95348
Опубліковано: 25.12.2014
Автори: Томашик Зінаїда Федорівна, Стратійчук Ірина Борисівна, Копил Олександр Іванович, Литвин Оксана Степанівна, Томашик Василь Миколайович, Литвин Петро Мар'янович, Маланич Галина Петрівна
МПК: H01L 21/00
Мітки: твердих, поверхні, телуриду, формування, спосіб, полірованої, плюмбум, кристалів, розинів, pb1-xsnxte
Формула / Реферат:
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду
Номер патенту: 71056
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Калитчук Сергій Михайлович, Стратійчук Ірина Борисівна, Томашик Василь Миколайович, Кравцова Анна Сергіївна, Демчина Любомир Андрійович, Сосницька Ольга Олександрівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Галкін Сергій Миколайович
МПК: H01L 21/465, H01L 21/02
Мітки: спосіб, поверхні, цинк, кристалів, селеніду, формування, полірованої
Формула / Реферат:
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...