H01L 21/465 — обробка хімічними або електричними способами, наприклад електролітичне травлення
Спосіб хімічної обробки поверхні кадмію телуриду та твердих розчинів на його основі
Номер патенту: 110400
Опубліковано: 10.10.2016
Автори: Копач Олег Вадимович, Фочук Петро Михайлович, Маланич Галина Петрівна, Іваніцька Валентина Григорівна, Томашик Василь Миколайович
МПК: H01L 21/465, H01L 21/02
Мітки: поверхні, хімічної, спосіб, телуриду, розчинів, обробки, основі, твердих, кадмію
Формула / Реферат:
Спосіб хімічної обробки поверхні кадмій телуриду та твердих розчинів на його основі, що включає механічне полірування поверхні кристалів, та їх хімічне полірування рідкофазним травником, який відрізняється тим, що кристали хімічно полірують у дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 2-3 хвилин хіміко-механічне полірування травником, виготовленим на основі 4 % -го за масою розчину йоду у метанолі (базовий розчин Б1) та етиленгліколю...
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду
Номер патенту: 71056
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Томашик Василь Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Галкін Сергій Миколайович, Стратійчук Ірина Борисівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Кравцова Анна Сергіївна, Калитчук Сергій Михайлович, Сосницька Ольга Олександрівна, Демчина Любомир Андрійович
МПК: H01L 21/465, H01L 21/02
Мітки: кристалів, полірованої, селеніду, поверхні, формування, спосіб, цинк
Формула / Реферат:
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...