Лєдєньова Тетяна Миколаївна
Нвч параметричний діод на бар’єрі шотткі
Номер патенту: 51493
Опубліковано: 26.07.2010
Автори: Кривуца Валентин Антонович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Личман Кирило Олексійович, Басанець Володимир Васильович
МПК: H01L 23/48
Мітки: діод, шотткі, бар'єри, нвч, параметричний
Формула / Реферат:
НВЧ параметричний діод на бар'єрі Шотткі, який містить в собі осесиметричну напівпровідникову структуру з областями n і n+, бар'єр Шотткі, сформований зі сторони n-шару, омічний контакт, який виконаний до сторони n+, контактуючі з'єднувальні шари, які нанесені на омічний контакт та на шар, який утворює з поверхнею n бар'єр Шотткі, який відрізняється тим, що напівпровідникова структура виконана з карбіду кремнію, а між шаром омічного контакту...
Лавинно-пролітний діод з термостійкою контактною системою
Номер патенту: 49867
Опубліковано: 11.05.2010
Автори: Коростинська Тамара Васильовна, Болтовець Микола Силович, Веремійченко Георгій Микитович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Личман Кирило Олексійович
МПК: H01L 29/00
Мітки: діод, системою, лавинно-пролітний, термостійкою, контактною
Формула / Реферат:
Лавинно-пролітний діод з термостійкою контактною системою, який виконано у вигляді кремнієвої мезаструктури типу р+-р-n-n+, до протилежних сторін якої сформовані контактні системи, які складаються з дисиліциду паладію, послідовно нанесених тонких адгезійних шарів титану та контактуючих шарів платини або паладію, сполучних шарів з плівок золота, який відрізняється тим, що між шарами р+ i n+ і шарами силіциду паладію сформовані низькоомні шари...