H01L 23/48 — пристосування для підведення або відведення електричного струму в процесі роботи приладів на твердому тілі, наприклад проводу або вводи

Номер патенту: 97274

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Шеремет Володимир Миколайович, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Дуб Максим Миколайович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 23/52, H01L 29/40, H01L 23/48 ...

Мітки: термостійка, приладу, напівпровідникового, контактна, омічна, алмазу, система

Формула / Реферат:

1. Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу, яка містить в собі контактний шар титану визначеної товщини, який нанесений на поверхню алмазу, бар'єрний антидифузійний шар з тугоплавкого матеріалу оптимальної товщини та контактуючий шар із золота, до якого приєднуються електричні виводи приладу, причому після термічної обробки утворюється проміжний шар карбіду титану, який забезпечує адгезію та низький...

Номер патенту: 51493

Опубліковано: 26.07.2010

Автори: Кривуца Валентин Антонович, Веремійченко Георгій Микитович, Личман Кирило Олексійович, Лєдєньова Тетяна Миколаївна, Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 23/48

Мітки: параметричний, діод, шотткі, нвч, бар'єри

Формула / Реферат:

НВЧ параметричний діод на бар'єрі Шотткі, який містить в собі осесиметричну напівпровідникову структуру з областями n і n+, бар'єр Шотткі, сформований зі сторони n-шару, омічний контакт, який виконаний до сторони n+, контактуючі з'єднувальні шари, які нанесені на омічний контакт та на шар, який утворює з поверхнею n бар'єр Шотткі, який відрізняється тим, що напівпровідникова структура виконана з карбіду кремнію, а між шаром омічного контакту...

Номер патенту: 40563

Опубліковано: 10.04.2009

Автори: Бобженко Сергій Володимирович, Ткаченко Віктор Васильович, Угрін Михайло Іванович, Глушеченко Едуард Миколайович

МПК: H01L 23/48

Мітки: напівпровідниковий, нвч-діод, кристалотримачі

Формула / Реферат:

1. Напівпровідниковий НВЧ-діод на кристалотримачі, що містить кристал НВЧ-діода з анодним та катодним контактами, кристалотримач виконаний у вигляді діелектричної підкладки з плівковими металевими виводами на його поверхні, який відрізняється тим, що кристал НВЧ-діода виконаний у вигляді планарної меза-структури з балковими виводами, що з'єднані з анодним та катодним контактами НВЧ-діода, а балкові виводи розташовані на металевих виводах...

Номер патенту: 75424

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Хайнеманн Ерік, Пюшнер Франк

МПК: G06K 19/077, B42D 15/10, H01L 23/48 ...

Мітки: чіп-картка

Формула / Реферат:

1. Чіп-картка, що має корпус (1), напівпровідниковий чіп (3) і прикріплену до корпусу (1) чіп-картки підкладку (2), з якою електрично і механічно зв'язаний напівпровідниковий чіп (3), причому- в корпусі (1) чіп-картки виконано першу порожнину (10) і другу порожнину (20), причому друга порожнина (20) заглиблена у дно (15) першої порожнини (10) таким чином, що перша порожнина (10) з бічним перекриттям простягається над другою порожниною...

Номер патенту: 75025

Опубліковано: 15.03.2006

Автори: Целлер Ханс-Рудольф, Бауер Фрідхельм

МПК: H01L 29/739, H01L 23/48

Мітки: транзистор, ізольованим, біполярний, електродом, затвора

Формула / Реферат:

1. Біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT), що містить щонайменше один кристал (1) біполярного транзистора з ізольованим затвором з безліччю паралельно з’єднаних окремих чарунок (2) біполярного транзистора з ізольованим затвором, а кожний кристал містить перший (3) і другий основні виводи і щонайменше один вивід (4) затвора, який електрично з’єднаний з електродами (5) затвора окремих чарунок біполярного транзистора з ізольованим...

Номер патенту: 57006

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Хубер Міхаель, Штампка Петер

МПК: H01L 23/12, H01L 23/48, G06K 19/077 ...

Мітки: схемі, модуль, інтегральної

Формула / Реферат:

1. Модуль інтегральної схеми, який містить множину оснащених на передній стороні контактними площадками (3), електрично ізольованих один від одного контактних елементів (4) і виготовлених з електропровідного матеріалу контактним шаром (2), із напівпровідниковим кристалом (7) із розташованими на головній поверхні (5) напівпровідникового кристала (7) виводами кристала, які через гнучкі дротові виводи (6), що мають максимальну монтажну довжину,...

Номер патенту: 57036

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Хубер Міхаель, Удо Детлеф, Штампка Петер, Хайтцер Йозеф

МПК: G06K 19/07, G06K 19/077, B42D 15/10 ...

Мітки: чіп-модуль, зокрема, чіп-картки, монтажу, корпусі

Формула / Реферат:

1. Чіп-модуль для монтажу у корпусі чіп-картки (25), який містить основу (10), на першому боці якої розміщений чіп (13), причому основа на другому протилежному першому боці містить контактні площадки (19) для зовнішнього контактування, і причому на основі передбачений подібний до цоколя виступ (23), який повністю або частково охоплює чіп (13), на який обпирається каркас жорсткості (22) або форма для заливки для утворення захисного покриття...

Номер патенту: 57033

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Фішер Юрген, Пюшнер Франк, Штампка Петер, Хайтцер Йозеф, Хубер Міхаель

МПК: G06K 19/077, H05K 1/18, H01L 23/12, H01L 23/48 ...

Мітки: спосіб, чіп, виготовлення, модуля, чіп-модуль

Формула / Реферат:

1. Чіп-модуль, що містить розташоване на його зовнішньому боці (2) контактне поле (3), з кількома ізольованими один від одного, в основному плоскими, контактними елементами (4) з електропровідного матеріалу, і принаймні один напівпровідниковий чіп (6) з однією або кількома інтегрованими в ньому напівпровідниковими схемами, що за допомогою з'єднувальних виводів (8) електрично зв'язані з контактними елементами (4) контактного поля (3), причому...

Номер патенту: 54373

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Удо Детлеф, Мундігль Йозеф

МПК: G06K 19/077, B42D 15/10, G06K 19/07 ...

Мітки: пристрій, вмонтування, зокрема, схемний, чіп-картку

Формула / Реферат:

1. Схемное устройство, в частности для вмонтирования в чип-карту, содержащее имеющий по меньшей мере два контактных лепестка и образующий подводящую рамку несущий элемент, на котором размещен полупроводниковый чип, электрически соединенный с изолированными друг от друга контактными лепестками подводящей рамки, отличающееся тем, что по меньшей мере два из контактных лепестков соединены с полупроводниковым чипом и с двумя концами катушки,...

Номер патенту: 48314

Опубліковано: 15.08.2002

Автори: Фішер Юрген, Пюшнер Франк, Хайнеманн Ерік

МПК: B42D 15/10, G06K 19/077, H01L 23/12 ...

Мітки: спосіб, чіп-модуля, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення чіп-модуля, переважно для чіп-картки, згідно з яким електронний чіп розміщують на призначеній для кріплення чіпа ділянці виготовленого із металу несучого елемента і приєднувальні провідники чіпа приєднують до контактних ділянок несучого елемента, розміщених з проміжками відносно ділянки для кріплення чіпа, після чого чіп разом із приєднувальними провідниками покривають на несучому елементі заливальною масою, який...

Номер патенту: 46842

Опубліковано: 17.06.2002

Автори: Штампка Петер, Удо Детлеф, Роде Фолькер, Шойєнпфлуг Ріхард, Хубер Міхаель

МПК: G06K 19/077, B42D 15/10, H01L 23/12 ...

Мітки: носій, чіпа, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Носій для напівпровідникового чіпа (18), зокрема для розміщення у чіп-картках, у якому металева плівка напресовується на неелектропровідну плівку (1), і в ній утворюється така структура, що утворюються два паралельні ряди контактних поверхонь (3; 11), які проходять вздовж протилежних головних сторін носія, а напівпровідниковий чіп розташований на протилежній відносно металевої плівки стороні неелектропровідної плівки, і завдяки виїмкам у...

Номер патенту: 46136

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Пюшнер Франк, Хайтцер Йозеф, Фішер Юрген

МПК: G06K 19/077, H01L 23/48

Мітки: вмонтування, напівпровідникового, чіп-картки, чіпа, несучий, елемент

Формула / Реферат:

1. Несучий елемент для напівпровідникового чіпа (2) з принаймні двома виводами (1),зокрема для вмонтування у чіп-картки (11), з такими ознаками:- елемент  має компаунд (5), що обволікає та захищає напівпровідниковий чіп (2);- виводи (1) виготовлені з електропровідного матеріалу, а їхні кінці (1а), обернені назустріч один одному, мають зменшену товщину, причому  їх поперечний переріз лише з одного боку має виступ;-...

Номер патенту: 44809

Опубліковано: 15.03.2002

Автори: Менш Нанс-Георг, Удо Детлеф, Кіршбауер Йозеф, Штекхан Ханс-Хіннерк, Штампка Петер

МПК: B42D 15/10, G06K 19/077, H01L 21/58 ...

Мітки: модуль, чіпом

Формула / Реферат:

1. Модуль з чіпом для монтування в основне тіло карти (7), що містить гнучку несучу стрічку (2) з хорошою теплопровідністю, нанесені на один бік гнучкої несучої стрічки (2) площинні металеві контакти (10), принаймні один розміщений на протилежному відносно контактів боці несучої стрічки (2) електронний конструктивний елемент (3) та задану поверхню на несучій стрічці (2), через яку модуль з чіпом з'єднується з основним тілом карти (7), який...

Номер патенту: 42106

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Хайтцер Йозеф, Хубер Міхаель, Удо Детлеф, Граф Хельмут, Штампка Петер, Фішер Юрген

МПК: G06K 19/077, H01L 23/12, H01L 23/16 ...

Мітки: спосіб, чіпа, елемента, несучого, виготовлення, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення несучого елемента для напівпровідникового чипа (23), зокрема, для вмонтовування в чип-картку, який відрізняється тим, що виконують такі операції:- в пластинці (10) жорсткості шляхом глибокої витяжки формують ванночку (11),- дно ванночки висікають, внаслідок чого для розміщення чипа (23) і приєднувальних дротів (24) одержують виїмку, оточену рамкою (12), виконаною як одне ціле з пластинкою жорсткості...

Номер патенту: 11380

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Білоган Ярослав Михайлович, Гнип Микола Дмитрович

МПК: H01L 23/48

Мітки: інтегральної, схемі, захисту, алюмінієвою, поверхні, створення, спосіб, металізацією

Формула / Реферат:

Способ создания защиты поверхности инте­гральной схемы с алюминиевой металлизацией, включающий последовательное формирование на поверхности интегральной схемы пленки фосфоросиликатного стекла и нанесение пленки нитрида кремния магнетронним распылением кремния в среде азота, отличающийся тем, что с целью повы­шения выхода годных и надежности интегральной схемы, предварительно на алюминиевой металли­зации осуществляют формирование...

Номер патенту: 6454

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Благий Богдан Степанович, Бірковий Юрій Леонідович, Василів Ярослав Олексійович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 23/48

Мітки: схемі, вивідної, виготовлення, інтегральної, рамки, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ изготовления выводной рамки для интегральной схемы, включающий рихтовку ленты из железоникелевого сплава, вырубку выводной рамки из ленты, отжиг рамки в среде водорода, металлизацию траверс внешних выводов и кристаллодержателя осаждением алюминия, отличающийся тем, что перед осаждением алюминия осаждают слой редкоземельного металла толщиной не менее 100А или при распылении алюминий легируют редкоземельным металлом в пределах 1-3...

Номер патенту: 3856

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Бірковий Юрій Леонідович, Шретер Валерій Георгійович, Кульов Володимир Іванович, Василів Ярослав Олексійович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 23/48

Мітки: інтегральної, схемі, корпус

Формула / Реферат:

Корпус для интегральной схемы, содержащий выводную рамку из железоникелевого сплава, кристаллодержатель, алюминиевое основание и крышку, отличающийся тем, что на поверхности кристаллодержателя и внутренних траверс выводной рамки выполнена локальная металлизация из алюминия легированного редкоземельным металлом или из первого слоя редкоземельного металла и слоя алюминия, при этом на лицевой стороне основания нанесена пленка карбида...