Процес отримання оптичного матеріалу на основі znsb

Процес отримання оптичного матеріалу на основі ZnSb, який включає етапи завантаження наважки, її синтезу, горизонтальної зонної перекристалізації та відпалу з подальшим контролем його параметрів, який відрізняється тим, що на етапі горизонтальної зонної перекристалізації температуру розплаву зони підтримують на рівні Т1=820±0,5 К, а відпал закристалізованого злитка проводять при температурі Т2=810±0,5 К протягом двох годин. (19) (21) u201007257 (22) 11.06.2010 (24) 25.01.2011 (46) 25.01.2011, Бюл.№ 2, 2011 р. (72) АЩЕУЛОВ АНАТОЛІЙ АНАТОЛІЙОВИЧ, МАНИК ОРЕСТ МИКОЛАЙОВИЧ, МАНИК ТЕТЯНА ОРЕСТІВНА (73) ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА 3 56653 безпечує процесу, який заявляється, необхідний "винахідницький рівень". До такого висновку нас привів результат значного об'єму експериментальних і технологічних досліджень та теоретичних розрахунків. Промислове використання запропонованої корисної моделі не вимагає спеціальних технологій і матеріалів, реалізація можлива на існуючих підприємствах електронного і приладобудівного напрямку. Послідовність виконання запропонованого процесу наступна. Наважка з монокристалічної затравки ZnSb певної орієнтації, Zn-0000 та Sb марки «Екстра» стехіометричного складу загружається у графітовий човник відповідної форми, який розміщується у пірексову ампулу, що далі послідовно вакуумується та заповнюється сухим воднем та евакуюються. Далі проводиться її синтез при відповідній температурі Т3=824±0,5К, затравлення та горизонтальну зонну перекристалізацію при температурі розплаву зони Т1=820±0,5К. Як показують результати чисельних експериментальних та теоретичних досліджень вибране значення температури Т1=820±0,5К розплаву зони відповідає оптимальним умовам утворення хімічного зв'язку Sb-Sb. Вирощування злитка проводиться при швидкості переміщення зонного нагрівача в інтервалі 0,3-0,5 см/год. По закінченню цього процесу монокристалічний злиток CdSb піддається відпалу при температурі Т2=810±0,5К, на протязі двох годин. Комп’ютерна верстка М. Ломалова 4 Такий температурний відпал обумовлений тим, що складові хімічного зв'язку злитку ZnSb, які мають відповідні кристалографічні напрямки, утворюється тільки при цій заданій температурі [3]. Як показали відповідні рентгеноструктурні дослідження це веде до значного підвищення рівня структурної досконалості отриманих кристалів ZnSb. Вимірювання коефіцієнту оптичного поглинання , яке проводилось на спектрометрі ИКС-21 показало, що його значення для отриманих кристалів не перевищує =0,5 см-1 (при температурі Т=295К). Вихід придатного матеріалу при цьому підвищився до 70%. Застосування запропонованого процесу дозволяє в кінцевому рахунку збільшити коефіцієнт використання, що веде до економії вихідних матеріалів та підвищення якісних і кількісних характеристик оптичних приладів на основі монокристалів ZnSb. Джерела інформації: 1. Лазарев В. Б. и др. Полупроводниковые соединения группы А2В5. - М, Наука, 1978, 256 с. 2. Материалы используемые в полупроводниковых приборах - под ред. К. Когарт. - М. Мир. 1968, 362с. 3. А. А. Ащеулов и др. Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb- ZnSb. ТКЭА, 2009, №6, С. 10-16. Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601