Спосіб отримання напівпровідникових кристалів zns p-типу
Номер патенту: 26751
Опубліковано: 10.10.2007
Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Сташко Назар Васильович, Бабущак Галина Ярославівна
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, для здійснення кристалізації, зону із порошком витримують при одній температурі, а зону кристалізації - при іншій, отримані кристали піддають двотемпературному відпалу, який відрізняється тим, що двотемпературний відпал кристалів ZnS здійснюють при температурі Т=(1170
3) К при парціальному тиску пари сірки РS2=(1·103-2·106) Па.
2. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу за п. 1, який відрізняється тим, що кристали отримують провідності р-типу.
Текст
1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу, який полягає в тому, що синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову 3 26751 PS2 парах сірки = (1.103 – 2.106) Па при температурі відпалу кристалів Т = (1170±3)К. Встановлено, що при цьому кристали володіють чітко вираженою дірковою провідністю, тобто мають р-тип. Це пов’язано з тим, що при відпалі у парах сірки у кристалах ZnS домінують 2 одно- та двозарядні вакансії цинку VZn , VZn , які є ефективними акцепторами. Спосіб тримання напівпровідникових кристалів ZnS р-типу здійснюється наступним чином. Синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, на відстані 50мм від її плоских торців, на яких здійснюється кристалізація. Температура гарячої зони порошкоподібного джерела (1820-1870) К, температура зони кристалізації (1748-1773) К, тиск газу (0,91-1,2).105Па. Крім того, одержані кристали віддають двотемпературному відпалу у парах сірки. Приклад конкретного виконання. Синтезований порошок ZnS поміщають у кварцову ампулу, заповнену аргоном, на відстані 50мм від її плоских торців, на яких здійснюється кристалізація. Температура гарячої зони порошкоподібного джерела (1820-1870) К, температура зони кристалізації (1748-1773) К, тиск газу (0,91-1,2).105Па. Отримані кристали піддають двотемпературному відпалу при температурі Т = P (1170±3) К і парціальному тиску пари сірки S2 = . 3 . 6 (1 10 -2 10 ) Па. Отримані таким чином кристали мають р-тип провідності. Основними точковими дефектами є одно- і двозарядні вакансії у катіонній 2підгратці VZn , VZn , які є акцепторами, а також міжвузлові атоми цинку Кристалоквазіхімічна формула p-ZnS ( ) ´ '' ' Zn (1-b )(1- e ) V((1-b )e +b )(1- m ) V((1- b )e + b )m Zn S ´ S ( Zn·· . i буде ), Zn..1-b )e i ( тут b - відхилення від стехіометричного складу; m - коефіцієнт диспропорціювання вакансій цинку, Zn´ - цинк у вузлах кристалічної ґратки; e Zn частка атомів цинку у вузлах кристалічної ґратки, .. VS - двозарядні вакнсії сірки; „.”, „’”, „х” позитивний, негативний та нейтральний заряди. Рівняння повної електронейтральності [ ][ ] [ ] '' ' 2 VZn + VZn + n 2 Zn.. + p , = i а холлівська [ ] [ ][ ] 2 Zn.. i '' - 2 VZn ' nH -p - VZn . концентрація = n= Змінюючи парціальний тиск сірки Ps2 при відпалі кристалів можна впливати на величину відхилення від стехіометричного складу b , а отже і концентрацію дефектів, які і визначають тип провідності і холлівську концентрацію носіїв струму. 4
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for zns semiconductor crystals of p-type obtaining
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Mezhylovska Liubov Yosypivna, Babuschak Halyna Yaroslavivna, Stashko Nazar Vasyliovych
Назва патенту російськоюСпособ получения полупроводниковых кристаллов zns p-типа
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Межиловская Любовь Иосифовна, Бабущак Галина Ярославовна, Сташко Назар Васильевич
МПК / Мітки
МПК: C30B 1/00
Мітки: кристалів, напівпровідникових, спосіб, p-типу, отримання
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-26751-sposib-otrimannya-napivprovidnikovikh-kristaliv-zns-p-tipu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання напівпровідникових кристалів zns p-типу</a>
Спосіб отримання легованих кристалів pbте n- i p-типу провідності
Номер патенту: 51285
Опубліковано: 15.11.2002
Автори: Никируй Любомир Іванович, Павлюк Любомир Ростиславович, Нижникевич Володимир Всеволодович, Бойчук Володимира Михайлівна, Фреїк Дмитро Михайлович
МПК: C30B 11/02
Мітки: отримання, легованих, провідності, спосіб, p-типу, кристалів, pbте
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих кристалів РbТе n- і p-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону...
Спосіб отримання легованих кристалів pbte:bi n-і p-типу провідності
Номер патенту: 24133
Опубліковано: 25.06.2007
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Борик Віктор Васильович, Ткачик Оксана Володимирівна
МПК: C30B 11/02
Мітки: легованих, провідності, pbte:bi, p-типу, кристалів, спосіб, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Ві n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу...
Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових ниткоподібних кристалів
Номер патенту: 40268
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Варшава Славомир Степанович, Островський Ігор Петрович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: G01R 31/00
Мітки: провідності, спосіб, визначення, напівпровідникових, кристалів, типу, ниткоподібних
Формула / Реферат:
Спосіб визначення типу провідності напівпровідникових кристалів, що включає під’єднання електричних контактів до кристала, створення градієнта температур між контактами і визначення по знаку потенціалу термоносіїв типу провідності, який відрізняється тим, що кристалу надають форму асиметричного зростка з двох ниткоподібних кристалів, до кінців його під’єднують електричні контакти, через два протилежні контакти пропускають стабілізований...
Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті
Номер патенту: 71914
Опубліковано: 17.01.2005
Автори: Луців Роман Васильович, Морозов Леонід Михайлович, Матвіїв Мирон Васильович
МПК: C30B 28/00, C30B 30/00, C30B 9/00
Мітки: кристалів, напівпровідникових, халькогенідів, ртуті, основі, спосіб, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникових кристалів на основі халькогенідів ртуті методом твердотільної рекристалізації, який містить відпал в кварцевій ампулі полікристалічної матриці, який відрізняється тим, що відпал проводять у присутності порошку матеріалу матриці і активованого вугілля, що заповнює весь вільний простір ампули.
Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву і пристрій для його реалізації
Номер патенту: 71915
Опубліковано: 17.01.2005
Автори: Морозов Леонід Михайлович, Кревс Віктор Євгенович
МПК: C30B 30/00, C30B 28/00
Мітки: напівпровідникових, кристалів, спосіб, пристрій, розплаву, реалізації, отримання
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів з розплаву, що включає компоновку кварцевої ампули, синтез і вирощування направленою кристалізацією, який відрізняється тим, що при компоновці ампули здійснюють завантаження твердих компонентів шихти роздільно від рідких компонентів, причому тверді компоненти завантажують у першу чергу, відкачування ампули проводять при розділених у просторі рідких і твердих компонентах, а після досягнення...
Попередній патент: Пристрій для розділення сипучих матеріалів в потоці рідини або газу
Наступний патент: Спосіб отримання напівпровідникових кристалів zns n-типу
Випадковий патент: Геліолазерний привід