Пристрій для нанесення плівок іонно-плазменним розпиленням сегнетоелектричних матеріалів у вакуумі
Формула / Реферат
Устройство для нанесення пленок ионно-плазменным распылением сегнетоэлектрических материалов в вакууме, содержащее диэлектрический держатель с дисковой мишенью, размещенную между ними дисковую электропроводную прокладку, токоподвод и узел разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет повышения равномерности распыления мишени, токоподвод выполнен в виде кольца, примыкающего к боковой поверхности мишени, а диаметр прокладки составляет 0,5— 0,75 диаметра мишени.
Текст
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК ИОННО-ПЛАЗМЕННЬк РАСПЫЛЕНИЕМ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ В ВАКУУМЕ, содержащее диэлектрический держатель с дисковой мишенью, размещенную между ними дисковую электропроводную прокладку, токоподвод и узел разогрева мишени, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества пленок за счет повышения равномерности распыления мишени, токоподвод выполнен в виде кольца, примыкающего к боковой поверхности мишени, а диаметр прокладки составляет 0,5-0,75 диаметра мишени« (Л с •І 7 00 т і 1 1271132 . 2 кольца 3 остается достаточно больИзобретение касается нанесения шим, обуславливая тем самым повышенпокрытий в вакууме, а именно устную плотность тока распыления в периройств ионно-плазменного распылеферийной части мишени вблизи кольца ния сегнетоэлектрических материалов Целью изобретения является повы5 3, что приводит к повышению неодшение качества пленок за счет более нородности за счет снижения толщины равномерного распределения плотноснапыляемых пленок над центральной ти ионного тока и температуры разочастью мишени. Если диаметр прокладгрева по поверхности мишени, обуски 2 более чем 0,75 диаметра мишени, лавливающего более равномерное рас10 то сопротивление между прокладкой пыление мишени и соответственно 2 и токоподводом в виде кольца 3 повышение равномерности пленок по становится столь незначительным, что толщине, ' центральная часть мишени начинает ' прогреваться сильнее, чем периферия, На чертеже изображена конструкция устройства для ионно-плазмен15 обуславливая тем самым повышенную ного распыления сегнетоэлектрических неоднородность по толщине напыляематериалов в вакууме. мой пленки с резким спадом к краю мишени. Такое же неоднородное расУстройство содержит сегнетокепределение получается, когда вся рамическую дисковую мишень 1, например из титаната бария, на нерас20 тыльная сторона мишени металлизиропыляемой стороне которой в центвана или обеспечен каким-либо путем ральной части расположена электронадежный электрический контакт по проводная прокладка 2, выполненная, всей поверхности с проводящим пьенапример, в виде нанесенной пленки десталом. никеля толщиной 0,01-0,1 мм (или 25 вожженной платиновой пасты). Область Устройство работает следующим металлизации находится в пределах образом. 0,5-0,73 диаметра мишени.- Мишень 1 Предварительно устройство размеустановлена в токоподэоде в виде щают в вакуумной камере, которую откольца 3, изготовленной, например, качивают до давления 2,66-10 Па. из титана толщиной 6-8 мм. ТокоподНапуская натекателем кислород,уставод и мишень расположены на пьеденавливают давление 1,6 10 Па. Посстале 4, например, выполненном в виле этого сегнетоэлектрическую миде пластины плавленого кварца, под шень 1 разогревают узлом разогрева которой размещен нихромовый узел 35 5 до температуры, достаточной для разогрева 5. Над распыляемой сторозажигания разряда (623-673 К ) . Затем ной мишени 1 находится подложкодерчерез токоподвод в виде кольца 3 пожатель 6 с подложкой 7. дают на мишень 1 отрицательное напряжение 900 В и производят распыВыполнение токоподвода в виде кольца 3, а диаметра дисковой прок40 ление ее материала. Распыленный материал мишени 1 наносится на подложладки 2, равны 0,5-0,75 диаметра мику 7. шени, позволяет снизить сопротивление для тока распыления, проходящеЭкспериментальная проверка данного через центральную часть мишени,заго технического решения показал^, корачивая этот участок мишени со 45 что при работз с сегнетоэлектричесстороны пьедестала прокладкой 2. Тем кой мишенью, выполненной в виде самым создаются условия для выравкерамического диска диаметром нивания плотности тока распыления 120 мм и толщиной 5,5 мм с металлипо всей поверхности мишени. зацией диаметром 70 мм центральной В случае, если диаметр прокладки 50 части нераспыляемой стороны мишени получены пленки на подложках диа2 меньше половины диаметра мишени, метром 120 мм с разбросом по толщито сопротивление мишени 1 между не ±10%. прокладкой 2 и боковой поверхностью ВНИИПИ Заказ 1149/ДСП Тираж 677 Подписное Произв.-полигр. пр-тие, г. Ужгород, у л . Проектная, 4
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюDevice for films application with ion-plasma sputtering of ferroelectric materials in vacuum
Автори англійськоюLevchenko Heorhii Tymofiiovych
Назва патенту російськоюУстройство для нанесения пленок ионно-плазменным распылением сегнетоэлектрических материалов
Автори російськоюЛевченко Георгий Тимофеевич
МПК / Мітки
МПК: C23C 14/36, C23C 4/00, B05B 5/08
Мітки: матеріалів, розпиленням, сегнетоелектричних, вакуумі, пристрій, іонно-плазменним, нанесення, плівок
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-1172-pristrijj-dlya-nanesennya-plivok-ionno-plazmennim-rozpilennyam-segnetoelektrichnikh-materialiv-u-vakuumi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Пристрій для нанесення плівок іонно-плазменним розпиленням сегнетоелектричних матеріалів у вакуумі</a>
Попередній патент: Гідравлічний пристрій ударного діяння
Наступний патент: Пристрій для подання прутка
Випадковий патент: Спосіб отримання високооктанового бензину із газоконденсату