Датчик тиску
Номер патенту: 14490
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Прохоров Георгій Валерійович, Мінгальов Володимир Олександрович, Вікулін Іван Михайлович
Формула / Реферат
Датчик тиску, що являє собою мембрану з напівпровідника першого типу провідності, в якій утворений вимірювальний міст з чотирьох тензорезисторів другого типу провідності, який відрізняється тим, що з метою збільшення тензочутливості в поверхню кожного тензорезистора вбудована додаткова область першого типу провідності.
Текст
Датчик тиску, що являє собою мембрану з напівпровідника першого типу провідності, в якій утворений вимірювальний міст з чотирьох тензорезисторів другого типу провідності, який відрізняється тим, що з метою збільшення тензочутливості в поверхню кожного тензорезистора вбудована додаткова область першого типу провідності. (19) (21) u200511265 (22) 28.11.2005 (24) 15.05.2006 (46) 15.05.2006, Бюл. № 5, 2006 р. (72) Вікулін Іван Михайлович, Мінгальов Володимир Олександрович, Прохоров Георгій Валерійович (73) ОДЕСЬКА НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ ЗВ'ЯЗКУ ІМ. А.С. ПОПОВА 3 14490 4 імплантації бору в кремній на глибину 1,3-1,5мкм, В/атм, що в 8 - 12 разів вище чутливості таких же а області 6 n-типу розмірами 6-400мкм - імплантадатчиків, але без вбудованих областей 6. цією фосфору на глибину 0,7-0,8мкм з наступною Датчик може виготовлятись на будь-якому підтермічною активацією домішок. приємстві по виробництву електронних приладів, При напрузі живлення мосту 6 В тензочутлияке має стандартну технологію напівпровідникових вість при вимірюванні тиску повітря складала 0,6 планарних приладів і інтегральних мікросхем. Комп’ютерна верстка Н. Лисенко Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюPressure transducer
Автори англійськоюVikulin Ivan Mykhailovych
Назва патенту російськоюДатчик давления
Автори російськоюВикулин Иван Михайлович
МПК / Мітки
МПК: G01L 9/04
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-14490-datchik-tisku.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Датчик тиску</a>
Датчик тиску
Номер патенту: 55808
Опубліковано: 15.04.2003
Автори: Паславський Ростислав Ігорович, Семен Ярослав Васильович, Шевчук Роман Степанович, Миронюк Олег Сергійович, Крупич Олег Михайлович, Ріпка Іван Іванович
МПК: G01N 33/46
Формула / Реферат:
Датчик тиску, що виконаний у вигляді консольної балки з наклеєним на ній тензорезистором, з'єднаної з базовою площадкою, який відрізняється тим, що додатково оснащений комплектом пружних прокладок з різним коефіцієнтом жорсткості, монтування однієї з яких, залежно від робочого діапазону, передбачено між консольною балкою і базовою площадкою.
Мікроелектронний датчик тиску
Номер патенту: 36583
Опубліковано: 16.04.2001
Автори: Ніконова Зоя Андріївна, Небеснюк Оксана Юр'ївна, Левінзон Давид Іделевич
МПК: G01R 27/26
Мітки: мікроелектронний, тиску, датчик
Текст:
...двох взаємозв'язаних контурів був використаний феритовий вентиль типу ЕЕВ-7, який забезпечує "пряме" послаблення 0,8 дб та "зворотнє" - 20 дб. На величину стабільності резонансної частоти цього пристрою впливають багато факторів: флук туації живлячих напруг, нестабільність струмів, зміна геометричних розмірів зазору резонатора 4 під дією температури, тиску, вібрацій та ін. Однак головним фактором, який призводить до зміни резонансної...
Датчик тиску
Номер патенту: 14399
Опубліковано: 25.04.1997
Автори: Вікулін Іван Михайлович, Ранченко Генадій Степанович, Прохоров Валерій Анатолійович, Волошина Наталія Павлівна, Дручин Володимир Степанович
МПК: G01L 9/00, G01L 9/02, G01L 9/04
Формула / Реферат:
Датчик давления, содержащий монокристаллическую кремниевую мембрану, на планарной поверхности которой выполнены тензорезисторы с фиксированной глубиной залегания р-n-перехода, при этом тензорезисторы соединены с контактными площадками, а планарная поверхность мембраны покрыта слоем двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения в условиях воздействия ионизирующего излучения, в нем поверхностный слой...
Датчик тиску
Номер патенту: 11226
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Щербай Константин Степанович, Варшава Славомир Степанович, Островська Анастасія Степанівна, Воронін Валерій Олександрович
МПК: G01L 11/00, G01L 9/02
Формула / Реферат:
(57) Датчик давления, содержащий диэлектрическую подложку, на которой размещен полупроводниковый чувствительный элемент на основе твердого раствора GaAs1-xPx (x -= 0,4) с электрическими контактами, отличающийся тем, что в нем чувствительный элемент выполнен в виде нитевидного кристалла, при этом твердый раствор GaAs1-xPx легирован медью сконцентрацией носителей 2*1013-8*1013 см3.
Тензометричний датчик тиску
Номер патенту: 3059
Опубліковано: 26.12.1994
Автори: Панков Юрій Михайлович, Мар'ямова Інна Йосипівна
МПК: G01L 9/04
Мітки: датчик, тензометричний, тиску
Формула / Реферат:
Тензометрический датчик давления, содержащий корпус, мембрану, связанную посредством штока с жесткозащемленной с двух концов балкой, на одной из сторон которой размещены центральные и периферийные тензорезисторы, соединенные в мостовую измерительную схему, при этом каждый периферийный и центральный тензорезисторы включены в смежные плечи мостовой схемы, отличающийся тем, что тензорезисторы, входящие в смежные плечи мостовой схемы, расположены...