Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об’ємі монокристалів cdte, znte
Номер патенту: 50323
Опубліковано: 15.10.2002
Автори: Українець Валентин Остапович, Будзан Богдан Борисович, Лопатинський Іван Євстахович, Українець Наталія Андріївна, Ільчук Григорій Архипович
Формула / Реферат
Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, що містить циліндричну кварцеву ампулу, який відрізняється тим, що один з кінців ампули виконаний у формі плоского дна, до якого з зовнішнього боку приєднаний хвостовик, в якому встановлений з можливістю механічного контакту з плоским дном ампули тепловідвідний стержень з елементами фіксації.
Текст
Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, що містить циліндричну кварцеву ампулу, який відрізняється тим, що один з КІНЦІВ ампули виконаний у формі плоского дна, до якого з зовнішнього боку приєднаний хвостовик, в якому встановлений з можливістю механічного контакту з плоским дном ампули тепловідвідний стержень з елементами фіксації Винахід належить до засобів вирощування напівпровідникових матеріалів, зокрема до конструкцій реакторів, для потреб оптоелектроніки Відомий реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі великих монокристалів CdTe, ZnTe, який містить циліндричну кварцеву ампулу (Рост кристаллов /под ред К Гудмана М Мир -1977 -т 1 -с 101 Пер с англ ) Однак відомий реактор не дозволяє одержувати структурно досконалі монокристали CdTe, ZnTe, тому що конічна форма кінця ампули обмежує можливість вільного росту монокристалу, що приводить до виникнення у ньому механічних напружень, утворенню блоків, а значить і порушень структури В основу винаходу поставлено завдання створити реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, у якому нове виконання кварцевої ампули і нових елементів дозволило б забезпечити вільний ріст монокристалу в єдиному центрі зародкоутворення і, за рахунок цього, одержувати структурно досконалі і великі монокристали CdTe, ZnTe Поставлене завдання вирішується тим, що реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, що містить циліндричну кварцеву ампулу, згідно з винаходом, один з КІНЦІВ ампули виконаний у формі плоского дна, до якого з зовнішньої сторони приварений хвостовик, в якому встановлений з можливістю механічного контакту з плоским дном ампули теп ЛОВІДВІДНИИ металевий стержень з елементами фіксації Елементи фіксації дозволяють утримувати вздовж осі ампули тепловідвідний стержень та забезпечити тепловідвід від центру ампули, плоске дно якої при будь-якому розподіл температури вздовж осі пічки с ізотермічною поверхнею В її центрі за допомогою тепловідвід ного стержня, наприклад титанового, створюється точка з дещо нижчою температурою, яка стає єдиним центром зародкоутворення і наступного вільного росту механічно ненапруженого структурно досконалого, великого монокристалу На фігурі зображений реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, де 1 - кварцева ампула, 2 - плоске дно ампули, 3 - хвостовик, 4 - тепловідвідний стержень, 5 - елементи фіксації, 6 - завантажений матеріал, 7 - монокристал Реактор містить циліндричну кварцеву ампулу 1, один з КІНЦІВ якої виконаний у формі плоского дна 2, до якого із зовнішньої сторони приєднаний циліндричний хвостовик 3, в якому встановлений з можливістю механічного контакту тепловідвідний стержень 4, наприклад із титану, з елементами фіксації 5 вздовж осі ампули 1, а саме керамічними центруючими стержень кільцями для забезпечення механічного контакту з центром дна 2 ампули 1 Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe працює так Реактор із завантаженим у ампулу 1 ростовим CO сч со о ю 50323 матеріалом 6 вміщують в температурне поле, створене піччю Матеріал 6 переходить у пароподібний стан і переноситься в бік плоского дна 2 ампули 1, який перебуває в області нижчих температур У МІСЦІ контакту тепловідвідного металевого стержня 4 з плоским дном 2 ампули 1 температура є найниж чою, що приводить до локалізації центра зародкоутворення саме в цій точці , а ізотермічні умови, в яких перебуває плоске дно 2 ампули І, забезпечують вільний ріст монокристалу 7 Це дозволяє виростити структурно досконалі монокристали CdTe, ZnTe у формі паралелепіпедів із розмірами(5х5х10)мм при тривалості процесу 100 годин 1 s J л s s s s s s/s s J s Ґ sis s s s s s Фіг. ДП «Український інститут промислової власності» (Укрпатент) вул Сім'ї Хохлових, 15, м Київ, 04119, Україна (044) 456 - 20 - 90 ТОВ "Міжнародний науковий комітет" вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна (044)216-32-71
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюReactor for growing from vapor phase in closed volume monocrystals of cdte, znte
Автори англійськоюLopatynskyi Ivan Yevstakhovych
Назва патенту російськоюРеактор для парофазного выращивания в замкнутом объеме монокристаллов cdte, znte
Автори російськоюЛопатинский Иван Евстахьевич
МПК / Мітки
МПК: C30B 25/08
Мітки: парофазного, замкнутому, вирощування, монокристалів, реактор, cdte, об'ємі
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-50323-reaktor-dlya-parofaznogo-viroshhuvannya-v-zamknutomu-obehmi-monokristaliv-cdte-znte.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об’ємі монокристалів cdte, znte</a>
Попередній патент: Пристрій для регулювання потужності в електродугових печах
Наступний патент: Спосіб рівномірного завантаження вил авто- і електронавантажувачів і пристрій для його здійснення
Випадковий патент: Пристрій для подрібнення харчових продуктів і зернових кормів