Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, що містить циліндричну кварцеву ампулу, який відрізняється тим, що один з кінців ампули виконаний у формі плоского дна, до якого з зовнішнього боку приєднаний хвостовик, в якому встановлений з можливістю механічного контакту з плоским дном ампули тепловідвідний стержень з елементами фіксації.

Текст

Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, що містить циліндричну кварцеву ампулу, який відрізняється тим, що один з КІНЦІВ ампули виконаний у формі плоского дна, до якого з зовнішнього боку приєднаний хвостовик, в якому встановлений з можливістю механічного контакту з плоским дном ампули тепловідвідний стержень з елементами фіксації Винахід належить до засобів вирощування напівпровідникових матеріалів, зокрема до конструкцій реакторів, для потреб оптоелектроніки Відомий реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі великих монокристалів CdTe, ZnTe, який містить циліндричну кварцеву ампулу (Рост кристаллов /под ред К Гудмана М Мир -1977 -т 1 -с 101 Пер с англ ) Однак відомий реактор не дозволяє одержувати структурно досконалі монокристали CdTe, ZnTe, тому що конічна форма кінця ампули обмежує можливість вільного росту монокристалу, що приводить до виникнення у ньому механічних напружень, утворенню блоків, а значить і порушень структури В основу винаходу поставлено завдання створити реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, у якому нове виконання кварцевої ампули і нових елементів дозволило б забезпечити вільний ріст монокристалу в єдиному центрі зародкоутворення і, за рахунок цього, одержувати структурно досконалі і великі монокристали CdTe, ZnTe Поставлене завдання вирішується тим, що реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, що містить циліндричну кварцеву ампулу, згідно з винаходом, один з КІНЦІВ ампули виконаний у формі плоского дна, до якого з зовнішньої сторони приварений хвостовик, в якому встановлений з можливістю механічного контакту з плоским дном ампули теп ЛОВІДВІДНИИ металевий стержень з елементами фіксації Елементи фіксації дозволяють утримувати вздовж осі ампули тепловідвідний стержень та забезпечити тепловідвід від центру ампули, плоске дно якої при будь-якому розподіл температури вздовж осі пічки с ізотермічною поверхнею В її центрі за допомогою тепловідвід ного стержня, наприклад титанового, створюється точка з дещо нижчою температурою, яка стає єдиним центром зародкоутворення і наступного вільного росту механічно ненапруженого структурно досконалого, великого монокристалу На фігурі зображений реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe, де 1 - кварцева ампула, 2 - плоске дно ампули, 3 - хвостовик, 4 - тепловідвідний стержень, 5 - елементи фіксації, 6 - завантажений матеріал, 7 - монокристал Реактор містить циліндричну кварцеву ампулу 1, один з КІНЦІВ якої виконаний у формі плоского дна 2, до якого із зовнішньої сторони приєднаний циліндричний хвостовик 3, в якому встановлений з можливістю механічного контакту тепловідвідний стержень 4, наприклад із титану, з елементами фіксації 5 вздовж осі ампули 1, а саме керамічними центруючими стержень кільцями для забезпечення механічного контакту з центром дна 2 ампули 1 Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об'ємі монокристалів CdTe, ZnTe працює так Реактор із завантаженим у ампулу 1 ростовим CO сч со о ю 50323 матеріалом 6 вміщують в температурне поле, створене піччю Матеріал 6 переходить у пароподібний стан і переноситься в бік плоского дна 2 ампули 1, який перебуває в області нижчих температур У МІСЦІ контакту тепловідвідного металевого стержня 4 з плоским дном 2 ампули 1 температура є найниж чою, що приводить до локалізації центра зародкоутворення саме в цій точці , а ізотермічні умови, в яких перебуває плоске дно 2 ампули І, забезпечують вільний ріст монокристалу 7 Це дозволяє виростити структурно досконалі монокристали CdTe, ZnTe у формі паралелепіпедів із розмірами(5х5х10)мм при тривалості процесу 100 годин 1 s J л s s s s s s/s s J s Ґ sis s s s s s Фіг. ДП «Український інститут промислової власності» (Укрпатент) вул Сім'ї Хохлових, 15, м Київ, 04119, Україна (044) 456 - 20 - 90 ТОВ "Міжнародний науковий комітет" вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна (044)216-32-71

Дивитися

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Reactor for growing from vapor phase in closed volume monocrystals of cdte, znte

Автори англійською

Lopatynskyi Ivan Yevstakhovych

Назва патенту російською

Реактор для парофазного выращивания в замкнутом объеме монокристаллов cdte, znte

Автори російською

Лопатинский Иван Евстахьевич

МПК / Мітки

МПК: C30B 25/08

Мітки: парофазного, замкнутому, вирощування, монокристалів, реактор, cdte, об'ємі

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/2-50323-reaktor-dlya-parofaznogo-viroshhuvannya-v-zamknutomu-obehmi-monokristaliv-cdte-znte.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Реактор для парофазного вирощування в замкнутому об’ємі монокристалів cdte, znte</a>

Подібні патенти