Кривоносов Євгеній Володимирович

Номер патенту: 99995

Опубліковано: 25.10.2012

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євгеній Володимирович

МПК: C30B 15/22, C30B 29/20

Мітки: вирощування, зокрема, монокристалів, спосіб, корунду

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів, зокрема корунду, що включає плавлення вихідної сировини у тиглі, затравлення, розрощування монокристала і подальше його вирощування в акустичному полі, який відрізняється тим, що в процесі вирощування на дно тигля з розплавом впливають ультразвуковими коливаннями інтенсивністю (0,5-2,0)∙10-2 Вт/см2 і частотою 400-700 кГц.

Номер патенту: 81385

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Вишневський Сергій Дмитрович, Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євгеній Володимирович

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Мітки: активовані, активних, заготівок, монокристалів, елементів, титаном, лазерних, термообробки, сапфіра, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб термообробки виробів з монокристалів сапфіра, що активовані титаном, який включає послідовний відпал в насичених парах термічної дисоціації оксиду алюмінію, а потім в атмосфері аргону з вмістом метану у кількості 10 - 30% об. при температурі 1750 – 2030 °С і відновному потенціалі  -100...-170 кДж/моль, який відрізняється тим, що відпал монокристалів в насичених парах...

Номер патенту: 24129

Опубліковано: 25.06.2007

Автори: Вишневський Сергій Дмитрович, Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євгеній Володимирович

МПК: C30B 15/10

Мітки: середовищі, тигель, вуглецевому, монокристалів, корунду, вирощування

Формула / Реферат:

Молібденовий тигель для вирощування монокристалів корунду у вуглецевому середовищі, що виконаний з молібдену у вигляді циліндричного стакана, який відрізняється тим, що додатково містить вольфрамове покриття у вигляді шару на зовнішній поверхні завтовшки 2-5 мм.

Номер патенту: 70250

Опубліковано: 15.08.2006

Автори: Андрєєв Євгеній Петрович, Кривоносов Євгеній Володимирович, Вишневський Сергій Дмитрович

МПК: C30B 29/20, C30B 35/00

Мітки: спосіб, формоутворювачів, очистки

Формула / Реферат:

Спосіб обробки деталей, який включає електроерозійне формоутворення поверхонь з подальшою абразивною обробкою, який відрізняється тим, що в якості абразивної обробки використовується доведення еластичними полімер-абразивними кругами, що складаються з полімер-абразивних волокон. При цьому зернистість абразивних часток у волокнах обирається у межах 10...40 від середнього арифметичного профілю шорсткості поверхні після електроерозійної...

Номер патенту: 69602

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Кривоносов Євгеній Володимирович, Вишневський Сергій Дмитрович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/20

Мітки: одержання, вікон, сапфірових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб диференційної діагностики доброякісної гіперплазії простати та раку передміхурової залози шляхом дослідження гістологічної структури препарату, який відрізняється тим, що дослідження гістологічної структури препарату проводять за допомогою лазерної поляриметрії.

Номер патенту: 69602

Опубліковано: 15.09.2004

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Вишневський Сергій Дмитрович, Кривоносов Євгеній Володимирович

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Мітки: отримання, вікон, сапфірових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб диференційної діагностики доброякісної гіперплазії простати та раку передміхурової залози шляхом дослідження гістологічної структури препарату, який відрізняється тим, що дослідження гістологічної структури препарату проводять за допомогою лазерної поляриметрії.

Номер патенту: 34574

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євгеній Володимирович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 15/36

Мітки: лазерних, вирощування, тикору, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування лазерних монокристалів тикору, який включає плавлення початкової сировини та витягування кристала на затравку, орієнтовану в двох взаємно перпендикулярних площинах, який відрізняється тим, що вирощування здійснюють при оптимальному температурному градієнті на фронті кристалізації в залежності від кристалографічної орієнтації в напрямку роста [0001], [1120], [1010] відповідно: 4-5град/мм, 2,5-4град/мм та 5-6град/мм при...