Ткаченко Сергій Анатолійович

Номер патенту: 120592

Опубліковано: 10.11.2017

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Горбенко Віталій Іванович, Шикоряк Йосип Андрійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Гриньов Борис Вікторович, Герасимов Ярослав Віталійович, Павлик Богдан Васильович, Архіпов Павло Васильович, Зоренко Юрій Володимирович, Зоренко Тетяна Євгенівна, Возняк Тарас Іванович, Федоров Олександр Григорович

МПК: G01T 1/20, C09K 11/00, C30B 29/00 ...

Мітки: сцинтилятор, реєстрації, комбінований, іонізуючих, випромінювань

Формула / Реферат:

Комбінований сцинтилятор для реєстрації іонізуючих випромінювань, що містить монокристалічну підкладку товщиною 4-5 мм, виконану з монокристалу Lu3Al5O12:Sc з концентрацією скандію 1,2 ат.%, та нанесену на неї монокристалічну плівку товщиною 12-20 мкм, який відрізняється тим, що монокристалічна плівка виконана з гранату Lu3Al5O12:Pr з концентрацією празеодиму 0,03-0,05 ат.%.

Номер патенту: 115000

Опубліковано: 28.08.2017

Автори: Сідлецький Олег Цезаревич, Герасимов Ярослав Віталійович, Галенін Евгеній Петрович, Архіпов Павло Васильович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 15/00, C30B 17/00

Мітки: сировиною, вирощування, спосіб, наплавлення, монокристалів, тиглів

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тиглів сировиною для вирощування монокристалів, який включає завантаження сировини в тигель, розміщення тигля в ростовій камері, нагрівання та одержання розплаву, довантаження тигля сплавленням до бездефектної частини затравки сировини з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, закріпленої в затравкоутримувачі безпосередньо після розміщення тигля в ростовій камері, який відрізняється тим, що як сировину...

Номер патенту: 108932

Опубліковано: 25.06.2015

Автори: Сідлецький Олег Цезарович, Бондар Валерій Григорович, Волошина Олеся Василівна, Кононець Валерій Вадимович, Галенін Євген Петрович, Архипов Павел Васильович, Герасимов Ярослав Віталійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Курцев Даніїл Олександрович

МПК: C30B 15/00

Мітки: оксидів, вирощування, зокрема, тигля, високотемпературних, шихтою, спосіб, наплавлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб наплавлення тигля шихтою, зокрема, для вирощування оксидних монокристалів, який включає завантаження шихти в бункер, який встановлюють співвісно над тиглем, здійснюють їх нагрівання у пічці з певною швидкістю, знижують швидкість нагрівання для перебігу твердофазового синтезу, продовжують нагрівання до отримання розплаву, після повного перетікання розплаву до тигля та витримки в тиглі, останній охолоджують до кімнатної температури,...

Номер патенту: 101184

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Євген Петрович, Васюков Сергій Олександрович, Кудін Констянтин Олександрович, Софронов Дмитро Семенович, Герасимов Ярослав Віталійович, Сідлецький Олег Цезарович

МПК: C30B 15/34

Мітки: домішок, газових, розчинених, розплаві, пристрій, концентрування

Формула / Реферат:

Пристрій для концентрування газових домішок, розчинених у розплаві, який відрізняється тим, що містить тигель з капілярною системою, на торці якої встановлений формоутворювач, що містить зовнішнє кільце і внутрішній елемент з капілярним каналом між ними, внутрішній елемент виконаний у формі циліндра з конусним вістрям на торці, який виступає над площиною торця на 0,4-0,6 мм.

Номер патенту: 90632

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Бондар Валерій Григорійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Зеленська Ольга Віталіївна, Гриньов Борис Вікторович, Волошина Олеся Василівна, Сідлецький Олег Цезарович

МПК: C09K 11/77, C30B 15/00

Мітки: піросилікатів, елементів, одержання, спосіб, монокристалів, активованих, рідкісноземельних

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання активованих монокристалів піросилікатів рідкісноземельних елементів, що включає приготування шихти шляхом змішування вихідних оксидів, їх прожарювання при температурі 1500±10 °С в атмосфері аргону, з наступним плавленням одержаної шихти й вирощування монокристалів методом Чохральского, який відрізняється тим, що використовують склад шихти, що відповідає співвідношенню (32,8-31,8) мол. % (Re2O3+A2O3) : (67,2-68,2) мол. %...

Номер патенту: 89334

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Софронов Дмитро Семенович, Герасимов Ярослав Віталійович, Галенін Євген Петрович, Нагорняк Володимир Теодорович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Кудін Костянтин Олександрович

МПК: C30B 11/00, C30B 15/00, C30B 29/32 ...

Мітки: структурою, монокристалів, германату, вісмуту, вирощування, середовище, евлітину

Формула / Реферат:

Середовище для вирощування монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітину на основі інертних газів з вмістом кисню, яке відрізняється тим, що містить 2,5-3 об. % кисню і 97-97,5 об. % суміші інертних газів аргону та гелію, причому аргон і гелій беруть у співвідношенні 13:1.

Номер патенту: 88591

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Герасимов Ярослав Віталійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Нагорняк Володимир Теодорович, Галенін Євген Петрович

МПК: C30B 17/00, C30B 15/00

Мітки: тиглів, спосіб, монокристалів, наплавлення, вирощування, сировиною

Формула / Реферат:

Спосіб наплавлення тигля сировиною для вирощування монокристалів, який полягає в тому, що сировину завантажують в тигель, розміщують тигель в ростовій камері, нагрівають й одержують розплав, довантажують сировину, який відрізняється тим, що довантаження здійснюють сплавленням до затравки попередньо вирощеного монокристала з масою, якої бракує для необхідного завантаження тигля, й закріпленого в затравкоутримувачі безпосередньо після...

Номер патенту: 88579

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Бондар Валерій Григорійович, Галенін Євгеній Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович, Нагорняк Володимир Теодорович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Сідлецький Олег Цезаревич

МПК: C30B 35/00, C30B 15/00

Мітки: чохральського, вирощування, розплаву, здійснення, монокристалів, методом, пристрій, спосіб

Формула / Реферат:

1. Пристрій для вирощування монокристалів з розплаву за методом Чохральського, що включає тепловий вузол, встановлений у ньому тигель на керамічній підставці, над яким розташований циліндричний тепловий екран, шток для витягування монокристалів і затравкоутримувач, закріплений на штоці з можливістю обертання й вертикального переміщення, індуктор у вигляді циліндричної спіралі, розміщений із зовнішньої сторони тигля, і джерело індукційного...

Номер патенту: 31454

Опубліковано: 10.04.2008

Автори: Нагорняк Володимир Теодорович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Галенін Євген Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович

МПК: C30B 11/00

Мітки: живильник, сипучих, порошкоподібних, матеріалів

Формула / Реферат:

Живильник порошкоподібних та сипучих продуктів, що містить бункер циліндричної форми, який відрізняється тим, що дно бункера жорстко з'єднано з приводом його обертання через підшипниковий вузол, який закріплено на напрямній полозків з можливістю зміни місця його кріплення на ній, ця напрямна закріплена на кронштейні з можливістю зміни кута її нахилу відносно горизонталі, а внутрішня бокова поверхня бункера обладнана двозахідними...

Номер патенту: 50039

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Гриньов Борис Вікторович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 29/04, C01B 31/06

Мітки: синтезу, алмазу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу алмазу, який включає осадження атомів вуглецю із середовища, що містить вуглець, у розплаві металу-каталізатора, який відрізняється тим, що як метал - каталізатор використовують метали з анізотропією швидкості кристалізації, аналогічною анізотропії швидкості кристалізації алмазу, і не взаємодіючи з вуглецем, осадження ведуть в умовах градієнту температур на запалювальні кристали алмазу.

Номер патенту: 47846

Опубліковано: 15.07.2002

Автори: Литвинов Леонід Аркадійович, Коваль Юрій Миколайович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: вирощування, профільованих, монокристалів, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для вирощування профільованих монокристалів, що містить тигель із розміщеним у ньому пучком капілярів і розташованим на його торці формоутворювачем, який складається із зовнішнього і внутрішнього елементів із капілярним зазором між ними, який відрізняється тим, що зовнішній і внутрішній елементи формоутворювача виконані у вигляді циліндричних ступінчастих втулок, вставлених одна в другу з капілярним зазором, що має дві вертикальні...

Номер патенту: 36892

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: вирощування, пристрій, монокристалів, профільованих

Текст:

...на верхньому торці якого розміщений формоутворювач, що містить внутрішній і зовнішній елементи зібрані з капілярним зазором 4 між ними. Внутрішній елемент представляє собою фіксатор 2, оснащений стержнем 1, виконаним із незмочуємого розплавом матеріалу. Зовнішній елемент формоутворювача представляє собою матрицю 3, виконану з матеріалу, що змочується розплавом, при цьому змочуваність фіксатора 2 не має значення. Поверхня матриці 3, що...

Номер патенту: 34574

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Литвинов Леонід Аркадійович, Кривоносов Євгеній Володимирович

МПК: C30B 15/36

Мітки: спосіб, монокристалів, тикору, лазерних, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування лазерних монокристалів тикору, який включає плавлення початкової сировини та витягування кристала на затравку, орієнтовану в двох взаємно перпендикулярних площинах, який відрізняється тим, що вирощування здійснюють при оптимальному температурному градієнті на фронті кристалізації в залежності від кристалографічної орієнтації в напрямку роста [0001], [1120], [1010] відповідно: 4-5град/мм, 2,5-4град/мм та 5-6град/мм при...

Номер патенту: 18037

Опубліковано: 17.06.1997

Автори: Коневський Віктор Семенович, Литвинов Леонід Аркадійович, Ткаченко Сергій Анатолійович

МПК: C30B 33/00

Мітки: спосіб, монокристалів, корунду, фарбування

Формула / Реферат:

Способ окрашивания монокристаллов корунда, включающий очистку поверхности и термообработку в окислительной среде в красящем порошке, отличающийся тем, что используют порошок оксида кобальта с фракционным составом 1-5 мкм, который предварительно активируют в течение 30-60 минут, а термообработку проводят при 1000-1300°С.

Номер патенту: 5752

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Кривоносов Євген Володимирович, Каневський Віктор Семенович, Рижиков Володимир Діомидович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 29/22, C30B 33/06

Мітки: оксидів, нерознімного, спосіб, з'єднування, монокристалів

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ неразъемного соединения монокристаллов оксидов, включающий приведение их в контакт при наличии промежуточной прослойки между ними, нагрев, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве прослойки используют прокладку из монокристаллов лейкосапфира, контакт осуществляют с усилием 0,35-0,45 кг/см2, нагрев ведут до температуры на 5-10°С ниже температуры плавления германата висмута со скоростью 350-400°С/час, выдержку...