Сцинтиляційний детектор g- та х-випромінювання

Сцинтиляційний детектор та Хвипромінювання, що включає чутливий до - та Хвипромінювання сцинтилятор та напівпровідниковий фотоприймач з відповідною чутливістю до діапазону світіння сцинтилятора, який відрізняється тим, що фотоприймачем служить гетерофотоелемент, який виготовлений на основі шаруватих монокристалічних напівпровідників n-InSe та pGaSe. (19) (21) u201006717 (22) 01.06.2010 (24) 25.11.2010 (46) 25.11.2010, Бюл.№ 22, 2010 р. (72) ДЕМЧИНА ЛЮБОМИР АНДРІЙОВИЧ, КОРБУТЯК ДМИТРО ВАСИЛЬОВИЧ, ЛОЦЬКО ОЛЕКСАНДР ПАВЛОВИЧ, ВАХНЯК НАДІЯ ДМИТРІВНА, ЄРМАКОВ ВАЛЕРІЙ МИКОЛАЙОВИЧ (73) ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ІМ. В.Є. ЛАШКАРЬОВА НАН УКРАЇНИ 3 54886 гетерофотоелемент, виготовлений на основі шаруватих монокристалів n-InSe та p-GaSe, Гетерофотоелемент виготовлявся при допомозі способу [4, 5] наступним чином: Вихідний монокристалічний злиток шаруватого напівпровідника розрізали алмазною пилою перпендикулярно до шарів на шайби товщиною 5×10мм2. Шляхом сколу за допомогою леза виготовлялась пластина з плоскопаралельними гранями товщиною 1мм і розмірами поверхні 5 10мм2. Через маску із дзеркальної фольги, яка мала отвір діаметром 0,2мм монокристалічна пластина опромінювалась одиночним імпульсом лазера ГОС301. Густина потоку випромінювання підбиралась так, щоб в заданому місці нанесення контакту утворилася видима дефектна ділянка. На цю ділянку з водного розчину CuSO4 осаджувалась мідь методом витіснення її з розчину голкою з індію. Після витримки зразків на протязі 15 діб при кімнатній температурі для забезпечення повної дифузії міді вглиб дефектів, утворених лазерним випромінюванням, проводилось виготовлення гетерофотопереходу n-InSe - p-GaSe. Однією площиною сколу отримані заготовки закріплювались на предметному столику мікроскопу МБС-9. Від верхньої площини сколу за допомогою леза та липкої ленти відслоювалася монокристалічна пластина InSe товщиною приблизно 200мкм і плівка GaSe товщиною приблизно 5мкм. Вільна монокристалічна плівка GaSe закріплялась на підкладці з InSe і механічно притискувалась до неї, тобто створювався прямий оптичний контакт "монокристалічна плівка p-GaSe - підкладка (n-InSe)". Після виготовлення гетеропереходу до мідних контактів припаювались електроди. Виготовлений таким чином фотоприймач разом із закріпленим зверху на ньому сцинтилятором CsI(Tl) поміщався у спеціальний герметичний корпус. На Фіг. зображено схематичний вигляд запропонованого сцинтиляційного детекто Комп’ютерна верстка А. Рябко 4 ра - та X- випромінювання (1 - сцинтилятор, 2 GaSe, 3 - InSe, 4 - контактні електроди, 5 - герметичний корпус. Дослідження показали, що виготовлений запропонованим способом детектор - та X-випромінювання по чутливості в 1,5 рази кращий ніж в прототипі і є значно дешевшим тому, що технологія виготовлення більш чутливих фотоприймачів на основі шаруватих напівпровідників n-InSe та p-GaSe добре розроблена і не потребує складних технологічних установок. Література: 1. Корбутяк Д.В., Мельничук С.В., Корбут Є.В., Борисюк М.М.: Телурид кадмію: домішководефектні стани та детекторні властивості, Київ, 2000р., 198с. 2. Корбутяк Д.В., Бобицький Я.В., Будзуляк С.І., Вахняк Н.Д., Демчина Л.А., Єрмаков В.М. та ін. Спосіб виготовлення детектора - та Xвипромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe. Деклараційний патент на винахід № 46513 А від 15.05.2002р. з пріоритетом від 31.07.2001р. 3. Антрощенко Л.В., Бурачас С.Ф., Гальчинецкий Л.П., Гринев Б.В., Рыжиков В.Д., Старжинский Н.Г. Кристаллы сцинтилляторов и детекторы на их основе. Киев. Наукова думка, 1998. - 312с. 4. Бобицький Я.В., Вознюк Є.Ф., Демчина Л.А., Єрмаков В.М., Коломоєць В.В., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Спосіб виготовлення гетеропереходу на основі шаруватого напівпровідника. Патент України на винахід №95041825 з пріоритетом від 20.04.1995р. 5. Бобицкий Я.В., Вознюк Е.Ф., Демчина Л.А, Ермаков В.М., Коломоец В.В., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Способ изготовления гетероперехода на основе слоистого полупроводника. Патент Российской федерации №2119210 от 20 сентября 1995г. Підписне Тираж 26 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601