Спосіб отримання термоелектричного n-pbte:bi
Номер патенту: 65674
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Бойчук Володимира Михайлівна, Борик Віктор Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович, Туровська Лілія Вадимівна
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання термоелектричного n-РbТе: Ві, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після цього ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як вихідні речовини використовують високочисті свинець, телур і вісмут, взяті у співвідношеннях Рb - 50,00 ат.%, Те -49,95 ат.%, Ві - 0,05 ат.%.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що попередній нагрів здійснюють при температурі 970 К протягом 3 год., а синтез здійснюють при температурі до 1290 К протягом 1 год.
Текст
1. Спосіб отримання термоелектричного nРbТе: Ві, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами 3 РbТе) призводить до конверсії типу провідності і вже для вмісту вісмуту більше 0,015 ат. % Ві матеріал має електронну провідність. При цьому реалі0 2 3 зується його іонізація із стану Bi (6s 6p ) в стан 3+ 2 0 2+ Bi (6s 6p )+3e . Відносно підгратки Рb домішка 3+ + знаходиться у стані Ві Ві Pb. У підгратці телуру 0 2 3 32 6 + вісмут іонізується Bi (6s 6p )Bi (6s 6p )+3h і є 2акцептором, і при цьому відносно підгратки Те 3домішка знаходиться у стані Ві Ві Te. Дефіцит атомів телуру в РbТе:Ві компенсується частковим розміщенням атомів Ві в підгратці Те [3]. Однако3+ вий по абсолютній величині зарядовий стан Ві (Ві 3і Ві ) зумовлює самокомпенсацію легуючої дії вісмуту. Спосіб отримання термоелектричного nРbТе:Ві здійснюють таким чином. Як вихідні речовини використовують високочисті свинець, телур і вісмут взяті у певному співвідношенні. Вихідні речовини розташовують у квар Комп’ютерна верстка Н. Лисенко 65674 4 цовій вакуумованій ампулі, яку поміщають у піч і витримують при певних температурах, потім її охолоджують, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування. Приклад конкретного виконання. Вихідні речовини свинець марки С000 і телур високої чистоти марки Т-В4, вісмут марки ХЧ, взяті у співвідношенні Рb-49,95 ат. %, Те-50,00 ат. %, Ві0,050 ат. %, розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, температуру якої підвищують в два етапи: спочатку попередньо нагрівають до 970 К і витримують 3 год., потім підвищують до Т=1290 К яка є вищою від температури плавлення сполуки РbТе:Ві і витримують ампулу з вихідними речовинами при цій температурі 1год. до одержання сплаву, після чого ампулу охолоджують, потім одержані злитки дроблять і пресують. Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for producing of thermal electrical n-pbte:bi
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Horichok Ihor Volodymyrovych, Boryk Viktor Vasyliovych, Turovska Liliia Vadymivna, Boichuk Volodymyra Mykhailivna
Назва патенту російськоюСпособ получения термоэлектрического n-pbte:bi
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Горичок Игорь Владимирович, Борик Виктор Васильевич, Туровская Лилия Вадимовна, Бойчук Владимира Михайловна
МПК / Мітки
МПК: C30B 11/02
Мітки: n-pbte:bi, отримання, спосіб, термоелектричного
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-65674-sposib-otrimannya-termoelektrichnogo-n-pbtebi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання термоелектричного n-pbte:bi</a>
Попередній патент: Спосіб отримання легованих кристалів pbte:co n-типу провідності
Наступний патент: Лікувально-профілактичний засіб у формі мазі
Випадковий патент: Спосіб оцінки ефективності тривалої антигіпертензивної терапії у хворих з артеріальною гіпертензією