Патенти з міткою «n-pbte:bi»

Номер патенту: 84497

Опубліковано: 25.10.2013

Автор: Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, термоелектричною, потужністю, структур, покращеною, спосіб, n-pbte:bi, напівпровідникових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур n-РbТе:Ві із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв=(970±10)К, на підкладку ситалу при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві з вмістом легуючої домішки 0,05...

Номер патенту: 84495

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович, Криницький Олександр Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: легованих, спосіб, отримання, структур, основі, термоелектричних, n-pbte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання легованих термоелектричних структур на основі n-РbТе:Ві, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої легованої сполуки n-РbТе:Ві при температурі випарника Тв=(970±10) К на підкладки ситалу при температурі Тп=(470±10) К, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві із вмістом легуючої домішки...

Номер патенту: 70807

Опубліковано: 25.06.2012

Автори: Галущак Мар'ян Олексійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Лисюк Юрій Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: властивостями, n-pbte:bi, отримання, наноструктур, ситалових, термоелектричними, напівпровідникових, покращеними, підкладках, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання напівпровідникових наноструктур n-РbТе:Ві на ситалових підкладках з покращеними термоелектричними властивостями, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі ТВ, на підкладку ситалу при температурі ТП, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві, температура випарника...

Номер патенту: 65674

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Борик Віктор Васильович, Горічок Ігор Володимирович, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна, Бойчук Володимира Михайлівна

МПК: C30B 11/02

Мітки: отримання, спосіб, термоелектричного, n-pbte:bi

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричного n-РbТе: Ві, який полягає в тому, що вихідні речовини розташовують у кварцовій вакуумованій ампулі і поміщають у піч, ампулу з вихідними речовинами попередньо нагрівають до певної температури, витримують при ній, потім здійснюють синтез сплаву при вищій температурі, після цього ампулу охолоджують до кімнатної температури, одержані злитки дроблять та здійснюють пресування, який відрізняється тим, що як...