Спосіб отримання легованих кристалів pbte:co n-типу провідності
Номер патенту: 65673
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Бойчук Володимира Михайлівна, Межиловська Любов Йосипівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Туровська Лілія Вадимівна, Борик Віктор Васильович
Формула / Реферат
1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні і переміщують у другу зону до здійснення кристалізації, після цього охолоджують до кімнатної температури, який відрізняється тим, що як вихідну речовину використовують чистий свинець і телур, взяті у співвідношенні, що відповідають складу сполуки РbТе і кобальт.
2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що для отримання кристалів РbТе:Со n-типу концентрація кобальту складає NCo> 0,028 ат.%.
Текст
1. Спосіб отримання легованих кристалів РbТе:Со n-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину із окремих компонентів, розташовану в кварцовій вакуумованій ампулі, помі 3 ня температурного градієнта призводить до погіршення структурної досконалості вирощених кристалів (через збільшення напруги у вирощуваному кристалі); зменшення градієнта також небажане, так як може відбутися концентраційне переохолодження розплаву, що приведе до появи мозаїчної структури дефектів. Поступове охолодження ампули з швидкістю 20 град/год. не приводить до збільшення густини дислокацій, які виникають через механічні напруги, що дає можливість отримати матеріал з заданими параметрами. На фігурі зображено залежність концентрації носіїв струму легованих кристалів РbТе:Со від вмісту кобальту в шихті. Встановлено, що при вмісті кобальту в шихті NCo > 0,028 ат.% отримується матеріал тільки nтипу провідності. Спосіб отримання кристалів РbТе здійснювався таким чином. Як вихідну речовину використовують хімічні елементи Рb, Те і Co взяті у відповідному співвідношенні. Вихідну речовину розташовують у вакуумованій кварцовій ампулі і поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої на 290 К вище від температури плавлення РbТе, витримують і переміщують зі швидкістю 5-10 мм/добу в другу зону печі, температура якої нижча від температури плавлення вихідного матеріалу на 290 К. Температурний градієнт складає 25 град/см, а потім ампулу з матеріалом охолоджують до кімнатної температури зі швидкістю 20 град/год. Приклад конкретного виконання Як вихідну речовину використовують свинець марки С-0000, телур ОСЧ-22-4 і хімічно чистий кобальт. Вирощування кристалів проводять в ампулах діаметром до 13 мм і довжиною 13-17 см, які виго Комп’ютерна верстка В. Мацело 65673 4 товлені із труб високої чистоти плавленого кварцу. Кінець ампули має форму капіляра, з метою збільшення імовірності росту тільки одного центра кристалізації. В таку ампулу загружають вихідні компоненти, взяті в стехіометричному співвідношенні (вага наважки складає 40-60 г, її об'єм ~2/3 об'єму ампули). Потім ампулу відкачують до тиску -5 -6 порядку 10 -10 мм.рт.ст. і заповнюють матеріалом шихти і поміщають у піч, температура в якій повільно (з метою запобігання вибуху ампули через високий тиск парів Те) підвищують на 290 К вище температури плавлення РbТе. Теплові градієнти температур, які застосовувались при вирощуванні, підбирались експериментально і складали, як правило, 25 град/см. Швидкість переміщення ампули була в межах 5-10 мм/добу. Вирощені кристали мали довжину 50-70 5 7 -2 мм, густину дислокацій 10 -10 см , концентрацію 17 19 -3 носіїв 10 -10 см . Донорна дія кобальту, визначається незапов7 2 нюваністю d-оболонок (3d 4s ). При цьому кобальт у плюмбум телуриді виявляє донорну дію, яка пов'язана із міжвузловим розміщенням тривалентної домішки Coi3 . Домінуючими дефектами є іони кобальту, вкорінені у як підгратці плюмбуму Co , так і в міжвузля Coi3 кристалічної ґратки Pb плюмбум телуриду, концентрація останніх переважає однократно і двократно іонізовані вакансії 1 2 плюмбуму ([Coi3 ] [ VPb ] [ VPb ]) . Отриманий матеріал може бути використаний для створення пристроїв інфрачервоної техніки, в оптоелектроніці та термоелектричних пристроїв, що функціонують у середній області температур. Підписне Тираж 23 прим. Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for producing of alloyed crystalsof pbte:co n-type conductivity
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Boryk Viktor Vasyliovych, Turovska Liliia Vadymivna, Boichuk Volodymyra Mykhailivna, Mezhylovska Liubov Yosypivna
Назва патенту російськоюСпособ получения легированных кристаллов pbte:co n-типа проводимости
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Борик Виктор Васильевич, Туровская Лилия Вадимовна, Бойчук Владимир Михайлович, Межиловская Любовь Иосифовна
МПК / Мітки
МПК: C30B 11/02
Мітки: провідності, pbte:co, отримання, кристалів, легованих, n-типу, спосіб
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-65673-sposib-otrimannya-legovanikh-kristaliv-pbteco-n-tipu-providnosti.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб отримання легованих кристалів pbte:co n-типу провідності</a>
Попередній патент: Пристрій для тренування тварин або гри з тваринами
Наступний патент: Спосіб отримання термоелектричного n-pbte:bi
Випадковий патент: Спосіб отримання ліпосомальної форми аденозин-5'-трифосфату (атф) для перорального застосування