Спосіб контролю стабільності польового транзистора

Предлагаемое изобретение относится к области электронной техники, в частности, к способам контроля и измерения параметров полупроводниковых приборов. Способ может быть использован для контроля стабильности полевых транзисторов (ПТ) путем контроля изменения напряжения затвор-исток при воздействии на полупроводниковый прибор Джоулева разогрева, вызванного протеканием прямого тока. Известен способ контроля качества полупроводниковых приборов, описанный в авт.св. СССР №1692262, кл. G 01R 31/26, включающий пропускание через полупроводниковый прибор постоянного тока и импульса линейно нарастающего тока с длительностью большей, чем постоянная времени разогрева кристалла полупроводникового прибора, но меньшей, чем постоянная времени разогрева корпуса полупроводникового прибора, измерение вольт-амперной характеристики (ВАХ), первой и второй производных напряжения по току в диапазоне предшествующем порогу вторичного пробоя полупроводникового прибора, прекращение подачи импульса линейно нарастающего тока и сравнение измеренных характеристик с эталонными, измерение зависимости отношения первой производной напряжения по току к второй производной напряжения по току от величины тока, определение тангенса угла наклона этой зависимости и прекращают подачу импульса линейно нарастающего тока по достижении отношения первой производной напряжения по току к второй производной напряжения по току величины критерия ограничения тока, определяемой расчетным соотношением. Способ позволяет повысить достоверность неразрушающего контроля качества полупроводникового прибора за счет выбоpa режима измерения ВАХ и производных ВАХ. Контроль качества полупроводниковых приборов, основанный на изменении производных по току или напряжению представляется ценным и актуальным, так как дифференциальные методы являются более точными и позволяют выявлять более тонкие особенности измеряемых кривых. [Методы и средства диагностирования изделий электронной техники. - Управление качеством, стандартизация, метрология, испытания, сер.8. вып.1 (304). М., ЦНИИ "Электроника", 1989,76 с]. Вместе с тем способ имеет ряд недостатков. Одним из недостатков способа является его некоторая сложность, заключающаяся в наложении на постоянную составляющую одиночного импульса или пакета импульсов линейно нарастающего тока. Это требует наличия либо специально разработанной установки, либо достаточно сложного измерительного комплекса. Кроме що, способ не применим в массовом производстве и на ранних стадиях изготовления приборов (в пластине). Предполагаемое изобретение упрощает контроль стабильности полевого транзистора и повышает процент выхода годных изделий по стабильности. Применение отбраковки на пластинах позволяет повысить процент годности на 18-25% годных изделий. Для этого измеряют напряжение между затвором и истоком Uз-и при определенном напряжении между стоком и истоком Uс-и, затем пропускают прямой ток І с через стоковый переход в течение времени t при определенном Uз-и и снова измеряют U~з-и, а о стабильности полевого транзистора судят по величине DUз-и = U~з-и - Uз-и ; либо Uз-и измеряют при напряжении между стоком и истоком Uс-и = -6,5 В, затем пропускают ток I c = 200 мА при t = 200 мс и Uз-и = -55 В и снова измеряют U~з-и при Uс-и = 6,5 В; либо полевой транзистор 2П 301 считают стабильным, если DUз-и