Смертенко Петро Семенович
Спосіб одержання електропровідного полімерного композита на основі полі-3,4-етилендіокситіофен-полістиролсульфонату
Номер патенту: 91449
Опубліковано: 10.07.2014
Автори: Дімітрієв Олег Петрович, Пуд Олександр Аркадійович, Огурцов Микола Олександрович, Смертенко Петро Семенович
МПК: C08F 34/00, C08J 3/20, C08F 6/00 ...
Мітки: композита, полі-3,4-етилендіокситіофен-полістиролсульфонату, спосіб, електропровідного, основі, одержання, полімерного
Формула / Реферат:
Спосіб отримання електропровідного полімерного композита на основі полі-3,4-етилендіокситіофен-полістиролсульфонату (ПЕДОТ-ПСС), який відрізняється тим, що змішують 8-99 вагових % ПЕДОТ-ПСС і, відповідно, 92-1 вагових % поліетиленоксиду (ПЕО) та до водної суміші ПЕДОТ-ПСС і ПЕО, з якої формуються композитні плівки, попередньо додають органічний розчинник диметилсульфоксид або диметилформамід, або етиленгліколь в концентрації 6-24...
Електропровідний полімерний композит на основі полі-3,4-етилендіокситіофен-полістиролсульфонату
Номер патенту: 89165
Опубліковано: 10.04.2014
Автори: Смертенко Петро Семенович, Огурцов Микола Олександрович, Дімітрієв Олег Петрович, Пуд Олександр Аркадійович
МПК: C08F 6/00, C08J 3/20, C08F 34/00 ...
Мітки: полімерний, основі, полі-3,4-етилендіокситіофен-полістиролсульфонату, композит, електропровідний
Формула / Реферат:
Електропровідний полімерний композит на основі полі-3,4-етилендіокситіофен-полістиролсульфонату (ПЕДОТ-ПСС), який відрізняється тим, що містить 8-99 вагових % ПЕДОТ-ПСС і, відповідно, 92-1 вагових % поліетиленоксиду (ПЕО).
Спосіб одержання наночастинок срібла та золота
Номер патенту: 86778
Опубліковано: 10.01.2014
Автори: Власенко Вікторія Іванівна, Даніленко Ігор Анатолійович, Блюм Ярослав Борисович, Пірко Ярослав Васильович, Смертенко Петро Семенович, Кригіна Ніна Яківна, Ємець Алла Іванівна, Рощина Ніна Миколаївна
МПК: A61L 15/00, D06M 16/00
Мітки: золота, наночастинок, спосіб, одержання, срібла
Формула / Реферат:
Спосіб одержання наночастинок срібла та золота у водному розчині сполук Аргентуму або Ауруму зі стабілізуванням колоїдного продукту дією захисних речовин з екстракту рослинної сировини, який включає подрібнення рослинної сировини і отримання з неї водного екстракту у співвідношенні вагових частин: рослинна сировина - 100 мг, вода - 2-6 г, очищення екстракту і додавання його до водного розчину сполук Аргентуму або Ауруму, інкубування цієї...
Спосіб виготовлення органічно-неорганічної гібридної структури сонячного елемента
Номер патенту: 85003
Опубліковано: 11.11.2013
Автори: Горбач Тамара Яківна, Смертенко Петро Семенович
МПК: H01L 31/06, H01L 51/00
Мітки: спосіб, сонячного, гібридної, елемента, виготовлення, структури, органічно-неорганічної
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення органічно-неорганічної гібридної структури сонячного елемента, що включає хімічне осадження при кімнатній температурі на патерну поверхню кремнієвої підкладки у вигляді тетрагональних пірамід органічного шару з водного розчину клонідину гідрохлориду протягом 2-24 годин, який відрізняється тим, що до водного розчину клонідину гідрохлориду додатково додають органічну речовину, у склад якої входить хлор.2. Спосіб...
Спосіб виготовлення органічно-неорганічної гібридної структури сонячного елемента
Номер патенту: 84976
Опубліковано: 11.11.2013
Автори: Горбач Тамара Яківна, Смертенко Петро Семенович
МПК: H01L 51/00, H01L 31/00
Мітки: органічно-неорганічної, структури, спосіб, сонячного, виготовлення, гібридної, елемента
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення органічно-неорганічної гібридної структури сонячного елемента, який включає осадження при кімнатній температурі на кремнієву підкладку з розчину органічної речовини, який відрізняється тим, що поверхню кремнієвої підкладки виконують патерною у вигляді тетрагональних пірамід, а хімічне осадження органічного шару проводять з водного розчину клонідин гідрохлориду з концентрацією від 10-3 мас % до 3·10-3 мас % у перерахунку...
Спосіб фотоактивованого електрохімічного синтезу наноструктурованого композиту полі(3-метилтіофен)/zno
Номер патенту: 83758
Опубліковано: 25.09.2013
Автори: Смертенко Петро Семенович, Сидоров Дмитро Олександрович, Пуд Олександр Аркадійович
МПК: C08K 3/20, C08F 2/01, C08F 16/00 ...
Мітки: електрохімічного, синтезу, спосіб, композиту, фотоактивованого, наноструктурованого
Формула / Реферат:
Спосіб фотоактивованого електрохімічного синтезу наноструктурованого композиту електропровідного полімеру з неорганічним напівпровідником, який відрізняються тим, що синтез полімеру полі(3-метилтіофену) на поверхні і в порах неорганічної напівпровідникової складової з ZnO здійснюється при її ультрафіолетовому опроміненні, синхронізованому з електрохімічною поляризацією.
Органічно-неорганічна гібридна структура сонячного елемента
Номер патенту: 82482
Опубліковано: 12.08.2013
Автори: Смертенко Петро Семенович, Горбач Тамара Яківна
МПК: H01L 31/06, H01L 51/00
Мітки: органічно-неорганічна, елемента, гібридна, сонячного, структура
Формула / Реферат:
1. Органічно-неорганічна гібридна структура сонячного елемента, яка має кремнієву підкладку та шар органічної речовини, яка відрізняється тим, що кремнієва підкладка має патерну поверхню у вигляді тетрагональних пірамід, як органічна речовина використана гетероциклічна хлорпохідна діазосполука, а поверхня органічного шару виконана у вигляді самоорганізованих комірок, стінки яких утворюють фронтальну контактну сітку.2....
Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м’якої поверхні приладів
Номер патенту: 81588
Опубліковано: 10.07.2013
Автори: Огурцов Микола Олександрович, Дімітрієв Олег Петрович, Смертенко Петро Семенович, Пуд Олександр Аркадієвич
МПК: H01C 1/00, H01L 21/28, H01L 21/00 ...
Мітки: виготовлення, поверхні, притискного, омічного, спосіб, приладів, контакту, м'якої
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення омічного притискного контакту до м'якої поверхні приладів, виконаного з водної суспензії електропровідного полімеру, який відрізняється тим, що водну суспензію полімеру наносять на підкладку поруватого діелектрика, просочують її, а потім випаровують залишкову вологу природним шляхом на повітрі.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як електропровідний полімер використовують...
Пристрій для вимірювання складових оптичного випромінювання
Номер патенту: 57506
Опубліковано: 25.02.2011
Автори: Степанов Володимир Григорович, Точин Валерій Володимирович, Смертенко Петро Семенович, Мягченко Юрій Олександрович
Мітки: оптичного, вимірювання, пристрій, випромінювання, складових
Формула / Реферат:
Пристрій для вимірювання складових оптичного випромінювання, що містить блок фотоприймачів, з'єднаний із приймальним пристроєм, виходи якого підключені до відповідних входів аналого-цифрового перетворювача, мікроконтролер, входи якого пов'язані з відповідними виходами аналого-цифрового перетворювача, та блок індикації, входи якого підключені до відповідних виходів мікроконтролера, який відрізняється тим, що у пристрій додатково введені блок...
Гібридний нанокомпозит з фотовольтаїчними властивостями
Номер патенту: 42488
Опубліковано: 10.07.2009
Автори: Огурцов Микола Олександрович, Смертенко Петро Семенович, Пуд Олександр Аркадійович, Дімітрієв Олег Петрович
МПК: G01N 21/00, C08J 3/00, C08F 6/00 ...
Мітки: фотовольтаїчними, властивостями, гібридний, нанокомпозит
Формула / Реферат:
Гібридний нанокомпозит з фотовольтаїчними властивостями з об'ємним р-n гетеропереходом між напівпровідниковим полімером р-типу та неорганічними напівпровідниковими наночастками n-типу, який відрізняється тим, що його отримують полімеризацією мономера 3-метилтіофену в присутності неорганічних наночасток з утворенням напівпровідникового полімеру полі(3-метилтіофену), який є нерозчинним в органічних розчинниках, але здатен утворювати з ними...
Спосіб нанесення гнучкого омічного контакту до структур на основі полікристалічного cds
Номер патенту: 40001
Опубліковано: 25.03.2009
Автори: Осипьонок Микола Михайлович, Дімітрієв Олег Петрович, Пуд Олександр Аркадієвич, Смертенко Петро Семенович
МПК: H01C 1/00, H01L 21/28, H01L 21/00 ...
Мітки: основі, гнучкого, нанесення, омічного, спосіб, полікристалічного, структур, контакту
Формула / Реферат:
Спосіб нанесення омічного контакту до структур на основі полікристалічного CdS, що включає нанесення на підкладинку водної суспензії порошкоподібного CdS з домішкою CdCl2 в кількості 10 мас. %, з подальшим спіканням цього шару в атмосфері інертного газу, який відрізняється тим, що як омічний контакт до полікристалічного шару CdS використане вуглецеве волокно, яке попередньо відпалюють в атмосфері інертного газу при температурі...
Фотоприймач ультрафіолетового діапазону
Номер патенту: 6117
Опубліковано: 15.04.2005
Автори: Мельниченко Микола Миколайович, Смертенко Петро Семенович, Наумов Вадим Володимирович, Шмирєва Олександра Миколаївна
МПК: H01L 51/42
Мітки: ультрафіолетового, діапазону, фотоприймач
Формула / Реферат:
1. Фотоприймач УФ діапазону, що містить напівпровідникову пластинку з потенційними бар'єрами, на робочу поверхню якої нанесені поверхневий шар і просвітлююче покриття, на якому сформована омічна контактна мережа, а на тильну поверхню пластинки нанесено омічний контакт, який відрізняється тим, що поверхневий шар виконаний із матеріалу, що перевипромінює ультрафіолетове випромінювання в видиме.2. Фотоприймач за п. 1, який...
Пристрій для вимірювання електромагнітного випромінювання
Номер патенту: 4675
Опубліковано: 17.01.2005
Автори: Шмирьова Олександра Миколаївна, Бриченко Микола Миколайович, Столяренко Ростислав Дмитрович, Круглов Валерій Володимирович, Кушнеров Іван Дмитрович, Мар'єнко Анатолій Васильович, Смертенко Петро Семенович, Костильов Віталій Петрович
Мітки: електромагнітного, випромінювання, пристрій, вимірювання
Формула / Реферат:
1. Пристрій для виміру електромагнітного випромінювання, що містить датчик, з'єднаний із входами аналого-цифрового блока, виходи якого підключені до відповідних входів блока керування, а виходи останнього з'єднані з блоком індикації, який відрізняється тим, що в пристрій додатково введений блок ідентифікації, виходи якого з'єднані з відповідними входами блока керування.2. Пристрій за п. 1, який відрізняється тим, що датчик містить...
Планарний фоторезистор та спосіб його виготовлення
Номер патенту: 56764
Опубліковано: 15.05.2003
Автори: Смертенко Петро Семенович, Горбач Тамара Яківна, Свєчніков Сергій Васильович
МПК: H01L 31/08, H01L 21/302
Мітки: виготовлення, спосіб, фоторезистор, планарний
Формула / Реферат:
1. Планарний фоторезистор, що містить напівпровідникову підкладку, поверхня якої виконана з рельєфом, який відрізняється тим, що фронтальна і тильна поверхні підкладки із напівізолюючого GaAs містять нестехіометричний вакансійно-галієвий шар скелетно-дендритної морфології товщиною не менше значення довжини хвилі випромінювання верхньої межі спектрального діапазону і шар оксиду арсенолітової фази.2. Спосіб виготовлення планарного...
Спосіб контролю якості польового транзистора
Номер патенту: 21228
Опубліковано: 04.11.1997
Автори: Цимбал Анатолій Йосипович, Демченко Ірина Миколаївна, Свєчніков Сергій Васильович, Власюк Віталій Анатолійович, Починко Нестор Васильович, Смертенко Петро Семенович
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Мітки: контролю, якості, польового, спосіб, транзистора
Формула / Реферат:
Способ контроля качества полевого транзистора, включающий измерение вольт-амперной характеристики исток-сток, отличающийся тем. что измеряют величину дифференциального наклона вольт-амперной характеристики в двойном логарифмическом масштабе a =dlnl/dlnV при двух значениях напряжения: V1=Vp, соответствующего рабочему току Ір, и V2=Vр/n при n=2...5, и отбирают полевые транзисторы, сопоставляя параметры a1, a2, I1, I2 с эталонными, где a1 и a2,...
Спосіб контролю стабільності польового транзистора
Номер патенту: 21194
Опубліковано: 04.11.1997
Автори: Чех Михайло Борисович, Свєчніков Сергій Васильович, Смертенко Петро Семенович, Цимбал Анатолій Йосипович
МПК: H01L 21/66, H01L 29/72, G01R 31/26 ...
Мітки: транзистора, стабільності, спосіб, контролю, польового
Формула / Реферат:
Способ контроля стабильности полевого транзистора, включающий измерение напряжения затвор-исток, отличающийся тем, что измеряют напряжение между затвором и истоком Uз-и при определенном напряжении между стоком и истоком Uc-м, затем пропускают прямой ток Iс через стоковый переход в течение времени t при определенном Uз-и и снова измеряют U~з-и, а о стабильности полевого транзистора судят по величине DUз-и = U~з-и – Uз-и.