Спосіб стимуляції росту, розвитку і плодоношення вищого базидіального їстівного гриба lentinus edodes (berk.) sing.
Номер патенту: 53880
Опубліковано: 17.02.2003
Автори: Бухало Ася Сергіївна, Поєдинок Наталія Леонідівна, Потьомкіна Жанна В'ячеславівна, Негрійко Анатолій Михайлович
Формула / Реферат
Спосіб стимуляції росту, розвитку і плодоношення вищого базидіального їстівного гриба Lentinus edodes (Berk.) Sing. полягає у ефекті впливу лазерного випромінювання на дикаріотичний міцелій, який відрізняється тим, що опромінення дикаріотичного міцелію здійснюють неперервним випромінюванням в червоній області спектра при дозі 230 мДж/см2.
Текст
Спосіб стимуляції росту, розвитку і плодоношення вищого базидіального їстівного гриба Lentmus edodes (Berk) Sing полягає у ефекті впливу лазерного випромінювання на дикарютичний міцелій, який відрізняється тим, що опромінення дикарютичного міцелію здійснюють неперервним випромінюванням в червоній області спектра при дозі 230 мДж/см2 Винахід належить до біотехнологм і зокрема, до способу стимуляції росту, розвитку та плодоношення гриба з метою підвищення його продуктивності, урожайності та скорочення термінів культивування Відомий ВПЛИВ різноманітних джерел світла на зростання плодоношення і спороношення в окремих видів грибів Одним видам для спороношення необхідне світло, у інших світло інгібує спороношення, треті нормально спороносять як у темряві, так і при СВІТЛІ РІЗНІ спектри та різна довжина хвилі стимулюють або пригнічують ту чи іншу фазу розвитку (вегетативний ріст, плодоношення ш) або впливає на будь-які фізюлого-бюхімічні показники (пігментування, бюсинтетична активність і т і) (Н І Жданова, А I Василевська Екстремальна екологія грибів у природі і експерименті Наукова Думка, 1982) ВІДОМІ факти, що свідчать про стимулюючу дію УФ- променів (джерело — лазер ЛГИ-21) на урожайність штамів печериці двоспорової (Н А Бисько, А С Бухало С Н Вассер і ш Вищі ЇСТІВНІ базидіоміцети в поверхневій та глибинній культурі Наукова Думка, 1983) Міцелій гриба інокулювали на живильне середовище (сусло-агар) у кварцові пробірки і поміщали на 3 доби в термостат, де підтримувалася температура на рівні 24 - 25°С На 4-у добу колонії гриба, які досягали 1 - 2мм в діаметрі, опромінювали, використовуючи експозиції Юсек, 1 і 5хв Стимулююча дія лазерного опромінювання зростала зі збільшенням ЩІЛЬНОСТІ енергії випромінювання в межах від 0 16 до 4 80Дж/см При опроміненні міцелію гливи звичайної у променями (5 - 10 крад) спостерігали деяке збільшення урожайності плодових тіл (Rygava et ai Vhv ozarem mvceha ni vynosi hhvy ustncne PestZamh [975-13 №1 - s 85 - 86 ) Недоліком цього способу маємо вважати таке УФ- випромінювання є одним із видів електромагнітних випромінювань по довжині хвилі, що розташоване між видимим світлом і рентгенівськими променями Збудження атомів в макромолекулах при УФвипромінюванні робить їх високореакційноздатними і викликає різноманітні фотохімічні реакції Найважливішою з них є димеризація пиримідинів Це супроводжується розірванням водневих зв'язків МІЖ ланками ДНК та локальною денатурацією дволанкової молекули ДНК, що призводить до зміни и конфігурації Іонізація атомів, що входять до складу макромолекули ДНК, під впливом у променів лаг поштовх до проходження різноманітних радіаційно-хімічних реакцій, що ведуть до змін їх макромолекул Як наслідок цих процесів - виникнення небажаних мутацій, зникнення корисних ознак та поява небажаних (І А Захаров, С В Ковальцова, Т Н Кожина та ін Мутаційний процес у грибів Наука, 1980) ВІДОМІ способи стимулювання росту дріжджів і Е соїі шляхом впливу низькоштенсивного лазерного випромінювання у видимій частині спектру (НеNe лазер 632,8нм) Величина ефекту стимуляції залежить також і від інтенсивності світла даної довжини хвилі (Т І Кару Про молекулярний механізм терапевтичної дії випромінювання низькоштенсивного лазерного світла Докл Акад Наук 1986 Т 291, №5, стор 1245-49) Відомий спосіб активації проростання базидю О 00 00 со ю 53880 спор Hencium ermaseus і росту, отриманих з цих базидюспор моноспорових культур, який оснований на впливі на базидюспори лазерного випромінювання (He-Ne лазер) у червоній області спектру в дозах від 45 до 230мДж/см2 В результаті проведених маніпуляцій збільшується КІЛЬКІСТЬ пророслих спор у 10 - 10 5 разів у різних штамів, зменшується час їх проростання, збільшується швидкість росту моноспорових культур (Деклараційний Патент України А 01 G1/04 Спосіб активації проростання спор вищого базидіального гриба Hencium ermaseus 16 04 2001 р) Однак, до теперішнього часу не вивчена дія випромінювання низькоштенсивного лазерною світла на ріст і розвиток базидіоміцетів, їх урожайність і продуктивність В основу винаходу способу стимуляції росту, розвитку і плодоношення вищого базидіального гриба Lentmus edodes поставлена задача активації росту дикаріотичного (вегетативного) міцелію під дією лазерного випромінювання (He-Ne лазер) у червоній області спектру при дозі 230мДж/см У результаті цього збільшується швидкість росту міцелію, зменшується час обростання субстрату, значно раніше починається плодоношення, збільшується врожайність Це, без сумніву, має важливе практичне значення при культивуванні їстівних грибів Поставлена задача вирішується шляхом впливу лазерного випромінювання на дикарютичний міцелій гриба при дозі 230мДж/см2 Міцелій отримували двома способами У першому випадку посів гриба здійснювали, поміщали шматочок дикаріотичного міцелію у центр чашки Петрі із суслоагаром у якості поживного середовища Інкубували у темряві при температурі 26°С Опромінення вищезазначеним способом проводили через дві до би після посіву Дослід та контроль (міцелій, що не підлягав лазерному впливу), повторювали десять разів (по 10 чашок ВІДПОВІДНО) Далі періодично вимірювали діаметр колоній, висоту міцелію і контролювали його ЩІЛЬНІСТЬ По цим показникам визначали середньодобовий приріст і ростові коефіцієнти Ростовий коефіцієнт визначали по формулі РК = hdgrt (d- діаметр колонії і h - висота в мм g - ЩІЛЬНІСТЬ, t - вік (доба) ( А С Бухало Высшие съедобные базидиомицеты в чистой культуре Киев Наукова Думка 1988 143с )) У другому варіанті дікарютичний міцелій вирощували протягом 14 діб на стерильному зерні пшениці, яке пройшло термічну обробку (варити при 100°С 40 хв) Отриманий міцелій поміщали в стерильні чашки Петрі тонким шаром і опромінювали вищевказаним способом Відразу після лазерної обробки міцелій використовували для засіву стерильних субстратних блоків (букове трачиння 80%, кукурудзяне борошно 20%, вологість 60%) До початку плодоношення інкубація блоків проводилась у повній темряві при температурі 26°С, потім на СВІТЛІ при 18°С Далі вивчали та порівнювали показники росту, розвитку і процесу плодоношення гриба на цих і контрольних блоках Отримані результати обробляли, використовуючи методи дисперсійною аналізу Суть винаходу, який заявляється, пояснюється прикладами Приклади використання лазерного випромінювання для збільшення швидкості росту дикаріотичного міцелію Лазерним випромінюванням v червоній частині спектру при дозі 230мДж/см2 впливали, як описано вище на дикарютичний міцелій, який виріс на сусло-агарі за дві доби Показники росту вимірювали через 3, 5, 7, 9, 11 і 13 діб після посіву Таблиця 1 Вплив лазерного опромінювання на ріст дикаріотичного міцелію Lentmus edodes на сусло-агарі Вік КОЛОНІЇ (доба) 3 5 7 9 11 13 Середньодобовий приріст Діаметр колонії (мм) ЩІЛЬНІСТЬ КОЛОНІЇ (ба Коефіцієнт росту ли) Контроль Опромінений Контроль Опромінений Контроль Опромінений Контроль Опромінений 5 6 2 5 1 2 3,3 20,0 10 10 3 5 1 2 6,0 20,0 23 ЗО 5 10 2 3 35,7 128,5 48 50 5 10 2 3 53,3 167,0 62 65 5 10 2 3 56 0 177,0 75 75 5 10 2 3 58,0 173,0 5,7 Висота колонії (мм) 5,7 Представлені результати (табл 1) показують, що лазерне випромінювання здатне стимулювати процес росту міцелію При однаковому лінійному рості колоній у дослідних варіантах відмінені велика висота і ЩІЛЬНІСТЬ колоній у результаті коефіцієнт росту збільшується майже в 3,3 рази Приклади застосування лазерного випромінювання для прискорення процесу обрастания субстрату Посівний міцелій на зерні отримували і опромінювали вищевказаними способами Посів проводили відразу після опромінення на стерильний субстрат, який поміщали, в термостійкі поліпропіленові мішки по 2кг КІЛЬКІСТЬ ПОСІВНОГО матеріалу вносилась однакова (5%), як у ДОСЛІДІ, так і контролі Отримані результати (Табл 2) дозволяють стверджувати, що опромінення лазерним світлом у вказаному режимі посівного міцелію дозволило зменшити час обростання субстрату в порівнянні з контролем на 20діб 53880 Таблиця 2 Швидкість обростання субстрату (%) міцелієм Lentmus edodes, опроміненим низько інтенсивним червоним лазерним світлом Доба 10 20 ЗО 40 60 Контроль 20 42 70 90 100 Приклади використання низькоінтенсивного лазерного випромінювання для стимулювання процесу плодоношення і збільшення врожайності Опромінений 25 50 75 100 Отримання посівного міцелію, його опромінення, посів на субстратні блоки і інкубування проводили, як описано у попередніх прикладах Таблиця З Плодоношення й урожайність контрольного й опроміненого штамів Lentmus edodes Штам Контроль Опромінений Середня кіл-сть Середня маса Плодових тіл на плодового блок, штук тіла, г 16 20 22 22 Питома вага г/см2 3,0 3,2 Период до початку плодоношення, Урожайність, г/кг доба 180 160 150 242 Примітка урожайність - маса свіжих плодових тіл на масу вологого субстрату Порівняння процесів плодоношення у ДОСЛІДІ і контролі (табл 1) дозволило встановити, що лазерне опромінювання посівного матеріалу у вказаному режимі дозволяє на місяць скоротити період від посіву до початку плодоношення, середня КІЛЬКІСТЬ плодових тіл на блок збільшується на 39% і, як наслідок, урожайність збільшується на 43% Представлені в прикладах показники застосу вання лазерного випромінювання для стимуляції росту, розвитку і плодоношення вищого базидіального їстівного гриба Lentmus edodes, показує, що лазерне опромінювання у червоному спектрі при дозі 230мДж/см2 дозволяє збільшити коефіцієнт росту в 3,5 рази, зменшити час культивування на місяць, збільшити урожайність на 45% ТОВ "Міжнародний науковий комітет" вул Артема, 77, м Київ, 04050, Україна (044) 236 - 47 - 24
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod of stimulating growth, development and fruiting of higher basidial edible fungus lentinus edodes (berk.) sing.
Автори англійськоюPoiedinok Natalia Leonidivna, Poiedynok Nataliia Leonidivna, Bukhalo Asia Serhiivna, Potiomkina Zhanna Viacheslavivna, Nehriiko Anatolii Mykhailovych
Назва патенту російськоюСпособ стимуляции роста, развития и плодоношения высшего базидиального съедобного гриба lentinus edodes (berk.) sing.
Автори російськоюПоединок Наталья Леонидовна, Бухало Ася Сергеевна, Потёмкина Жанна Вячеславовна, Негрийко Анатолий Михайлович
МПК / Мітки
МПК: A01G 1/04
Мітки: базидіального, sing, edodes, розвитку, вищого, lentinus, спосіб, плодоношення, росту, їстивного, berk, стимуляції, гриба
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-53880-sposib-stimulyaci-rostu-rozvitku-i-plodonoshennya-vishhogo-bazidialnogo-stivnogo-griba-lentinus-edodes-berk-sing.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб стимуляції росту, розвитку і плодоношення вищого базидіального їстівного гриба lentinus edodes (berk.) sing.</a>
Попередній патент: Спосіб приготування бітумних емульсій
Наступний патент: Органо-мінеральне біоактивне добриво “екобіом-північ”
Випадковий патент: Бронефутерівка барабанного млина