Спосіб вимірювання термоелектричних параметрів
Номер патенту: 57012
Опубліковано: 10.02.2011
Автори: Дикун Наталія Іванівна, Терлецький Андрій Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Запухляк Руслан Ігорович
Формула / Реферат
1. Спосіб вимірювання термоелектричних параметрів напівпровідникових матеріалів, у якому використовують два циліндричні зразки одного типу провідності з ідентичними розмірами і властивостями, нижні основи яких приєднують до термостатичної плити, а верхні частини з'єднують комутуючою пластиною, який відрізняється тим, що вимірювальну комірку поміщають у загальну фонову піч, яку спочатку приєднують до кріогенної системи, а потім від'єднують від кріогенної системи і поміщають під вакуумний ковпак.
2. Спосіб вимірювання термоелектричних параметрів згідно з п. 1, який відрізняється тим, що вимірювання здійснюють у широкому температурному діапазоні (77-1000) К.
Текст
1. Спосіб вимірювання термоелектричних параметрів напівпровідникових матеріалів, у якому використовують два циліндричні зразки одного 3 57012 Для вимірювання в діапазоні високих температур (300-1000)К комірка від'єднується від кріогенної системи (Фіг.2) та поміщається під вакуумний ковпак. Установка складається із вимірювальної комірки, кріогенної системи для вимірювань при низьких температурах, вакуумного універсального поста ВУП-4, вимірювальних приладів, фонової печі. Задану температуру підтримують електронагрівачем, що розміщений на боковій поверхні фонової печі. Пристрій для автоматичного регулювання температури вимірювальної комірки базується на основі мікропроцесорного контролера МІК-51. Вимірювання проводять в два етапи: при постійному і змінному струмах. Пропускають постійний струм через зразок 1 (j=0,3А/см2). На зразку встановлюється перепад температур Т. Зміну напруг фіксують за допомогою вольтметрів V1, V2, V3. Параметри кіл в цьому випадку пов'язані співвідношеннями: U1=IR+T, (1) U2=T, U3=U1-U2=IR де U1, U2, U3 - спади напруг, В; I - постійний струм, A; R - електричний опір зразка, Ом; – термо-Е.Р.С, В/К. Рівняння балансу тепла на холодному кінці зразка (контакті) має вигляд S IT 2 T (2) l Комп’ютерна верстка Н. Лиcенко 4 Тут - коефіцієнт теплопровідності, Вт/(см К); l - висота зразка, cm; S - площа поперечного перерізу зразка, см2. Безрозмірну термоелектричну добротність ZT визначають згідно виразу U ZT 2 1 1 (3) U 3 Для вимірювання коефіцієнтів термо-Е.Р.С. () і теплопровідності () пропускають змінний струм (j=8 А/см2) через зразки 1 і 2 до зникнення перепаду температур на них. Відсутність T контролюють за відсутності термо-Е.Р.С. на зразку 2 за допомогою вольтметра V2. На холодному контакті виконується умова теплового балансу: ~2 ~ 2 ~ 2 I R I IR I U3 I T I T IT (4) Коефіцієнт теплопровідності визначають із виразу 2 (5) Z де - питома електропровідність, Ом-1см-1. Похибки експерименту складають: коефіцієнт термо-Е.Р.С. () 3-4%; питома електропровідність () 3-4%; коефіцієнт теплопровідності () до 12,5%. Спосіб розроблений в рамках наукового проекту ДЗ/507-2009 МОН України (державний реєстраційний номер 0109U007537). Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 5 57012 6
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for measurement of thermo-electric parameters
Автори англійськоюFreik Dmytro Mykhailovych, Zapukhliak Ruslan Ihorovych, Terletskyi Andrii Ivanovych, Dykun Natalia Ivanivna
Назва патенту російськоюСпособ измерения термоэлектрических параметров
Автори російськоюФреик Дмитрий Михайлович, Запухляк Руслан Игоревич, Терлецкий Андрей Иванович, Дыкун Наталья Ивановна
МПК / Мітки
Мітки: термоелектричних, спосіб, параметрів, вимірювання
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/3-57012-sposib-vimiryuvannya-termoelektrichnikh-parametriv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб вимірювання термоелектричних параметрів</a>
Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів
Номер патенту: 40269
Опубліковано: 16.07.2001
Автори: Варшава Славомир Степанович, Островський Ігор Петрович, Буджак Ярослав Степанович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: G01N 25/18
Мітки: термоелектричних, параметрів, визначення, кристалів, ниткоподібних, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб визначення термоелектричних параметрів ниткоподібних кристалів, що включає створення точкових контактів до ниткоподібного кристала, пропускання стабілізованого струму розігріву, вимірювання різниці потенціалів між контактами і визначення коефіцієнта термо-е.р.с., який відрізняється тим, що ниткоподібному кристалу надають форму хрестоподібного зростка з двох кристалів, до кінців якого і до середини зростка створюють контакти, а струм...
Уніфікований процес вимірювання параметрів стрижнів термоелектричних матеріалів
Номер патенту: 38470
Опубліковано: 12.01.2009
Автори: Анатичук Лук'ян Іванович, Лисько Валентин Валерійович
МПК: G01R 27/00
Мітки: стрижнів, параметрів, вимірювання, уніфікований, процес, матеріалів, термоелектричних
Формула / Реферат:
1. Уніфікований процес вимірювання параметрів стрижнів термоелектричних матеріалів, що включає вимірювання коефіцієнта термоЕРС методом гарячого зонда та електропровідності двозондовим методом, який відрізняється тим, що разом з вимірюванням коефіцієнта термоЕРС і електропровідності визначають теплопровідність за часом встановлення заданого наперед перепаду температур на стрижні за допомогою градуювального графіка.2. Уніфікований...
Процес безконтактного контролю параметрів термоелектричних матеріалів
Номер патенту: 41715
Опубліковано: 10.06.2009
Автори: Ащеулов Анатолій Анатолійович, Бучковський Іван Аполінарієвич, Величук Денис Дмитрович
МПК: H01L 35/00
Мітки: безконтактного, параметрів, термоелектричних, матеріалів, контролю, процес
Формула / Реферат:
1. Процес контролю параметрів термоелектричних матеріалів методом безконтактного вимірювання їх електропровідності, який відрізняється тим, що він складається з етапів послідовного визначення електропровідності термоелектричного зразка за допомогою вимірювального коливного контуру в умовах як симетричного теплового поля його об'єму (ss), так і з порушенням його симетрії (sn), при цьому величини термоелектричної добротності Z, коефіцієнтів...
Спосіб вимірювання первинних параметрів рейкової лінії
Номер патенту: 50740
Опубліковано: 25.06.2010
Автори: Гаврилюк Володимир Ілліч, Романцев Іван Олегович
МПК: B61L 25/00
Мітки: рейкової, лінії, спосіб, вимірювання, параметрів, первинних
Формула / Реферат:
Спосіб визначення первинних параметрів рейкової лінії, при якому на її вхід подають гармонійний сигнал певної частоти, вимірюють напругу, струм і зсув фаз між ними на живильному та релейному кінцях, за значеннями яких визначають вторинні і первинні параметри рейкової лінії, який відрізняється тим, що для безперервного контролю параметрів використовують робочий сигнальний струм рейкової лінії, з якого на живильному та релейному кінцях...
Спосіб вимірювання параметрів кодового струму в рейкових колах без ізолюючих стиків
Номер патенту: 50742
Опубліковано: 25.06.2010
Автори: Гаврилюк Володимир Ілліч, Романцев Іван Олегович
МПК: B61L 25/00
Мітки: струму, кодового, стиків, спосіб, колах, вимірювання, рейкових, параметрів, ізолюючих
Формула / Реферат:
Спосіб вимірювання параметрів кодового струму в рейкових колах без ізолюючих стиків, при якому вимірюють даний струм через гальванічну розв'язку, який відрізняється тим, що в рейкових колах при відсутності ізолюючого стику (ІС) на вхідному кінці рейкового кола вимірюють струм на станції або в релейній шафі при вступі потягу на зону додаткового шунтування (ЗДШ) перед колійним приймачем на елементі, що може сприймати частоту кодового струму;...
Попередній патент: Спосіб комплектування деталей для складання підшипників ковзання
Наступний патент: Спосіб діагностики печінкової недостатності
Випадковий патент: Пристрій контролю швидкості тягового органа стрічкового конвеєра