Монокристалічний матеріал на основі твердого розчину zn1-xmgxse

Номер патенту: 46429

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: C30B 11/08, C30B 11/00

Мітки: монокристалічного, zn1-xmgxse, матеріал, основі, оптичний, твердого, розчину

Формула / Реферат:

Оптичний матеріал на основі монокристалічного твердого розчину Zn1-XMgХSe, який відрізняється тим, що концентрація Mg у кристалі становить 0,10х0,13.

Номер патенту: 78321

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Толмачов Олександр Володимирович, Коршикова Тетяна Іванівна, Дубовик Михайло Федорович, Явецький Роман Павлович, Долженкова Олена Федорівна

МПК: G01T 1/02

Мітки: дозиметрії, матеріал, монокристалічний, нейтронів, термолюмінесцентної, теплових

Формула / Реферат:

1. Монокристалічний матеріал на основі активованих європієм складних боратів Lі6RЕ1-xЕuх(ВО3)3, де RE=Gd або Y, який відрізняється тим, що концентрація активатора у вирощеному монокристалі складає х=0,002-0,07.2. Монокристалічний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що концентрація активатора у вирощеному монокристалі складає х=0,003-0,07.3. Монокристалічний матеріал за п. 1, який відрізняється тим, що концентрація...

Номер патенту: 43566

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович, Краньчец Младен

МПК: G01K 17/00

Мітки: твердого, розчину, селеніду, монокристалів, оптоелектроніки, основі, напівпровідникового, пристроїв, функціональних, галію-індію, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Ga0.4In0.6)2Se3.

Номер патенту: 86114

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Краньчец Младен, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G02F 1/01, H01S 3/10

Мітки: галію-індію, твердого, пристроїв, монокристалів, напівпровідникового, оптоелектроніки, функціональних, розчину, селеніду, основі, матеріал

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі монокристалів напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як активний елемент використаний монокристал напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію (Gа0.1In0.9)2Sе3.

Номер патенту: 87210

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Краньчец Младен, Студеняк Ігор Петрович, Сусліков Леонід Михайлович

МПК: G02F 1/29

Мітки: основі, пристроїв, галію-індію, напівпровідникового, матеріал, розчину, оптоелектроніки, функціональних, твердого, селеніду

Формула / Реферат:

Матеріал для функціональних пристроїв оптоелектроніки на основі напівпровідникового твердого розчину селеніду галію-індію, який відрізняється тим, що як матеріал використовують монокристал напівпровідникового твердого розчину складу, що відповідає формулі (Ga0.2In0.8)2Se3.