Загоруйко Юрій Анатолійович

Номер патенту: 71652

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Христьян Володимир Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: детектора, спектрометричного, отримання, основі, cdznte, спосіб, сполуки

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі сполуки CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, промивання, просушування, видалення порушеного приповерхневого шару шляхом опромінення поверхні зразків послідовністю лазерних імпульсів з довжиною хвилі випромінювання менше 790 нм, тривалістю імпульсів не більше 1,0 мкс, середньою щільністю потужності імпульсів 10...70 МВт/см2, дозою опромінення 0,25...3,0 Дж/см2, нанесення...

Номер патенту: 67013

Опубліковано: 25.01.2012

Автори: Свириденко Людмила Юріївна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Коваль Евеліна Юріївна, Ромаєв Сергій Миколайович, Михайлусов Ростислав Миколайович

МПК: G01N 21/03

Мітки: оптичного, кювета, рідини, дозованого, опромінювання

Формула / Реферат:

Кювета для дозованого оптичного опромінювання рідини, що містить стаціонарну частину у вигляді ємкості для рідких середовищ та кришку, виконану з можливістю щільно прилягати до ємкості, яка відрізняється тим, що ємкість містить шість отворів для досліджуваної рідини з певним маркуванням, при цьому кришка виконана з можливістю вільно та незалежно рухатися відносно ємкості в отворі за допомогою рознімного, заглибного, штирового з'єднання...

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Христьян Володимир Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: діапазону, частоти, середнього, лазерів, селеніду, кристалічний, активних, матеріал, цинку, основі, елементів, перестроюванням

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Коваленко Назар Олегович, Христьян Володимир Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: C30B 29/46, C30B 29/10, C30B 11/00 ...

Мітки: легованого, активних, середнього, цинку, заліза, основі, елементів, діапазону, частоти, іонами, перестроюванням, селеніду, матеріал, лазерів, кристалічний

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/10, C30B 29/46 ...

Мітки: матеріал, легованого, діапазону, елементів, цинку, частоти, лазерів, хромом, селеніду, перестроюванням, кристалічний, середнього, основі, активних

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Номер патенту: 51304

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Христьян Володимир Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Коваленко Назар Олегович

МПК: H01L 21/302

Мітки: отримання, детектора, спосіб, спектрометричного, сполуки, основі, cdznte

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі кристалів CdZnTe, що включає механічну обробку поверхні, просушування, видалення порушеного шару, нанесення суцільних електричних контактів на протилежні поверхні кристала, отримання захисного шару на боковій поверхні, який відрізняється тим, що спочатку наносять суцільні електричні контакти на протилежні поверхні кристала, а потім видаляють порушений шар із бокової поверхні шляхом...

Номер патенту: 90358

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: H01G 9/20

Мітки: мдн, фотоварикап, конструкції

Формула / Реферат:

Фотоварикап Метал-Діелектрик-Напівпровідник (МДН) конструкції, який відрізняється тим, що він виготовлений на основі єдиного кристала CdS, котрий є шаром напівпровідника, діелектриком є розташований на ньому шар CdO з високим питомим електричним опором, а провідним шаром, розташованим на останньому, є шар CdO з низьким питомим електричним опором.

Номер патенту: 48252

Опубліковано: 10.03.2010

Автори: Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: H01L 21/302

Мітки: сполуки, основі, детектора, спектрометричного, cdznte, отримання, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, нанесення суцільних електричних контактів на протилежні поверхні кристала, отримання захисного шару на боковій поверхні шляхом опромінювання УФ-випромінюванням у атмосфері, що містить кисень, з інтенсивністю випромінювання 10...20 кВт/м2, який...

Номер патенту: 88517

Опубліковано: 26.10.2009

Автори: Федоренко Ольга Олександрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 29/00, C30B 11/00, G02F 1/35 ...

Мітки: основі, матеріал, монокристалічний, твердого, zn1-xmgxse, розчину

Формула / Реферат:

Монокристалічний матеріал на основі твердого розчину Zn1-xMgxSe для нелінійних перетворювачів випромінювання середнього ІЧ діапазону, який відрізняється тим, що вміст магнію в ньому складає 0,13<х<0,6.

Номер патенту: 87632

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Коваленко Назар Олегович, Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: H01L 21/02

Мітки: зокрема, плівок, оксиду, кадмію, отримання, оксидних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання плівок оксиду кадмію, який включає окислення кристалічних підкладок у повітряній атмосфері при одночасному опромінюванні оптичної поверхні підкладки УФ-випромінюванням з довжиною хвилі від 0,24 до 0,40 мкм, який відрізняється тим, що як підкладку використовують полірований зразок монокристалічного сульфіду кадмію, окислення проводять у діапазоні температур від 673 до 763 К впродовж 60-120 хвилин, при щільності потоку...

Номер патенту: 40036

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович, Христьян Володимир Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: основі, спосіб, спектрометричного, сполуки, отримання, cdznte, детектора

Формула / Реферат:

Спосіб отримання детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, отримання захисного шару на поверхні, нанесення електричних контактів на протилежні поверхні кристала, який відрізняється тим, що спочатку наносять електричні контакти на вказані поверхні, після чого отримують захисний шар шляхом опромінювання УФ випромінюванням у...

Номер патенту: 85956

Опубліковано: 10.03.2009

Автори: Матейченко Павло Вікторович, Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: G02B 1/10

Мітки: спосіб, плівок, оксиду, отримання, цинку

Формула / Реферат:

Спосіб отримання плівок оксиду цинку, який включає відпал заготовок з селеніду цинку у повітряній атмосфері при одночасному опромінюванні поверхні заготовки селеніду цинку ультрафіолетовим випромінюванням з довжиною хвилі 0,24-0,40 мкм і густиною випромінювання на поверхні заготовки від 0,05 до 1,0 Вт/см2 та охолодження до кімнатної температури, який відрізняється тим, що до поверхні заготовки додатково прикладають постійне електричне поле,...

Номер патенту: 76898

Опубліковано: 15.09.2006

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: G01N 27/02

Мітки: чутливий, елемент, газоаналізатора

Формула / Реферат:

1. Чутливий елемент газоаналізатора, який містить ізолюючу підкладинку, з однієї сторони якої розташований напівпровідниковий чутливий шар, а на протилежній стороні нагріваючий елемент, і електроди, який відрізняється тим, що ізолюючою підкладинкою є шар високоомного кристалічного твердого розчину ZnSxSe1-x, де 0<х<1, або Zn1-yMgySe, де 0<у<0,5, чутливим шаром є окислений шар матеріалу підкладинки, який містить не менше однієї...

Номер патенту: 12009

Опубліковано: 16.01.2006

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Верезуб Людмила Григорівна, Михайлусов Ростислав Миколайович, Свириденко Людмила Юріївна, Колоколова Ольга Борисівна, Ромаєв Сергій Миколайович, Коваленко Назар Олегович, Коваль Євеліна Юріївна

МПК: A61N 5/067

Мітки: vitro, 25923, staphylococcus, атсс, aureus, спосіб, впливу

Формула / Реферат:

Спосіб впливу на Staphylococcus aureus (ATCC 25923) з використанням методу фотодинамічної антисептики, який відрізняється тим, що використовують поєднаний вплив антисептика - 0,04% розчину діамантового зеленого та некогерентного світлодіодного випромінювання λ 0,65-0,68 мкм, у безперервному режимі, нерухомому положенні випромінювача, розташованого безпосередньо над поверхнею, що опромінюється, щільністю потужності 9,4 Дж/см2, експозицією...

Номер патенту: 52083

Опубліковано: 16.12.2002

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович

МПК: C01B 13/32, G02B 1/10

Мітки: здійснення, пристрій, елементів, окислення, вивчення, процесу, напівпровідникових, спосіб, кінетики

Формула / Реферат:

1. Спосіб вивчення кінетики окислення напівпровідникових елементів, який включає відпал елементів у повітряній атмосфері при одночасному опроміненні їх протилежних поверхонь УФ-випромінюванням і вивчення кінетики окислення, який відрізняється тим, що вивчення кінетики окислення здійснюють шляхом пропускання крізь досліджуваний елемент когерентного випромінювання і безперервного контролю залежностей від часу величин оптичного пропускання і...

Номер патенту: 46429

Опубліковано: 15.05.2002

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00, C30B 11/08

Мітки: твердого, оптичний, матеріал, основі, розчину, zn1-xmgxse, монокристалічного

Формула / Реферат:

Оптичний матеріал на основі монокристалічного твердого розчину Zn1-XMgХSe, який відрізняється тим, що концентрація Mg у кристалі становить 0,10х0,13.

Номер патенту: 38693

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Коваленко Назар Олегович, Федоренко Ольга Олександрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: G01J 5/12, G01J 5/10

Мітки: вимірювач, лазерного, випромінювання, потужності

Формула / Реферат:

Вимірювач потужності лазерного     випромінювання, який містить у собі приймаючий елемент, виконаний із прозорого в ІЧ діапазоні матеріалу у вигляді платівки, на бічній поверхні якої розташовані датчики, підключені до входу підсилювача-індикатора, який відрізняється тим, що датчиками є термочутливі елементи, підключені по диференційному   принципу і які знаходяться у тепловому контакті з поверхнею площинок, виконаних із матеріалів з різними...

Номер патенту: 16595

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Карпова Ангеліна Петрівна, Терейковська Ольга Федорівна, Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: H01L 21/28

Мітки: контактних, типу, b(верхній, кристалів, а(верхній, оптичних, створення, індекс, поверхні, шарів, напівпровідних, спосіб

Формула / Реферат:

Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа АIIВVI, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20-30 мин при...

Номер патенту: 16727

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Тіман Беніамін Липович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: H01L 21/324

Мітки: одержаhhя, hапівпровідhиковий, елемеhт, спосіб

Формула / Реферат:

1. Полупроводниковый элемент, содержащий подложку с электродом и нанесенные на ее поверхность слои сульфида кадмия CdS и теллурида кадмия CdTe и второй электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности и расширения спектрального диапазона фоточувствительности, он содержит слой сульфида меди Сu2S, нанесенный на слой CdTe, второй электрод, нанесенный на поверхность Сu2S, при этом толщины слоев CdTe и Cu2S относятся как...

Номер патенту: 16719

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Росторгуєва Валерія Юріївна, Комарь Володимир Корнійович, Кривошеін Валентин Миколайович

МПК: C03C 23/00, G02B 1/10

Мітки: споіб, цинку, просвітлення, селеніду, оптичних, елементів

Формула / Реферат:

Способ просветления оптических элементов из селенида цинка путем отжига в 'воздушной ат­мосфере при 490-510°С и охлаждения до комнат­ной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента пропускания в диапазоне длин волн 2,5-11 мкм, отжиг ведут с одновременной обработкой ультрафиолетовыми лучами с длиной волны 0,24-0,4 мкм и плотностью 0,05-1 Вт/см в течение 5-60 мин.

Номер патенту: 16736

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/48

Мітки: цинку, кристалів, оптично, селеніду, одержання, спосіб, прозорих

Формула / Реферат:

Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка, включающий их на­грев в печи, отличающийся тем, что, с целью сни­жения коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона, кристалл последова­тельно перемещают в рабочем объеме печи через зоны трех нагревателей с профилями градиента температур, изменяющимися по синусоиде, при­чем профили градиента температур двух боковых и центрального нагревателей в проекции на...

Номер патенту: 16670

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Файнер Михайло Шайович, Тіман Беніамін Липович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: B01D 7/02, H01L 41/00

Мітки: спосіб, основі, одержання, матеріалу, п'езонапівпровідникового, сполук

Формула / Реферат:

Способ получения пьезополупроводникового материала на Основе соединений АIIВIV, включаю­щий выращивание кристаллических образцов, их отжиг в парах элемента VI группы, входящего в состав материала, нанесение на поверхность об­разца слоя акцепторной примеси элемента I груп­пы и повторный отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения темнового удельного сопро­тивления и расширения диапазона рабочей тем­пературы, повторный отжиг ведут при...

Номер патенту: 3669

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Єпіфанов Юрій Михайлович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Герасимчук Лариса Іванівна, Дряхлов Вадим Львович

МПК: G01J 5/20

Мітки: поглинання, вимірювання, коефіцієнтів, пристрій, і4-випромінювання, розсіювання

Формула / Реферат:

Устройство для измерения коэффициентов поглощения и рассеяния ИК-излучения, содержащее последовательно установленные на единой оптической оси СО2-лазер, механический затвор с управляющим реле, оптическую делительную пластину и теплоизолирующую камеру с исследуемым и эталонным образцами и первой дифференциальной термопарой, а также первый и второй измерители мощности ИК-излучения, первый многоканальный аналого-цифровой преобразователь,...