Спосіб виготовлення елемента пам’яті

Реферат: Спосіб виготовлення елемента пам'яті, що включає нанесення на скляну підкладку електропровідного покриття та нанесення активного шару - органічної напівпровідникової плівки фталоціаніну нікелю, яку формують термовакуумним методом напилення та поверх якої сформований алюмінієвий електрод, причому швидкість формування органічної напівпровідникової плівки фталоціаніну нікелю становить 1-5 нм/с. UA 76569 U (54) СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ ЕЛЕМЕНТА ПАМ'ЯТІ UA 76569 U UA 76569 U 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Корисна модель належить до галузі інформаційних технології, а саме до запам'ятовуючих пристроїв, зокрема флеш пам'яті, які є важливими компонентами сучасних комп'ютерних та електронних систем. Відомий спосіб виготовлення елемента пам'яті, що включає нанесення на скляну підкладку електропровідного покриття та нанесення активного шару - органічної напівпровідникової плівки фталоціаніну нікелю, яку формують термовакуумним методом напилення та поверх якої сформований алюмінієвий електрод (Спосіб генерації енергії № 58199, 11.04.2011). Однак при такому способі не відбувається запам'ятовування інформації, оскільки органічну напівпровідникову плівки фталоціаніну нікелю формують при швидкості осадження меншій ніж 1 нм/с, що приводить до недостатньої кількості дефектів в міжзерновій фазі фталоціаніну нікелю, які беруть участь у струмопроходженні. В основу корисної моделі поставлено задачу створити спосіб виготовлення елемента пам'яті, в якому за рахунок нових дій та операцій досягти бістабільності напівпровідникової структури і тим самим надати їй запам'ятовуючих властивостей. Поставлена задача вирішується тим, що спосіб виготовлення елемента пам'яті, що включає нанесення на скляну підкладку електропровідного покриття та нанесення активного шару органічної напівпровідникової плівки фталоціаніну нікелю, яку формують термовакуумним методом напилення та поверх якої сформований алюмінієвий електрод, згідно з корисною моделлю, швидкість формування органічної напівпровідникової плівки фталоціаніну нікелю становить 1-5 нм/с. Формування плівки фталоціаніну нікелю термовакуумним методом із швидкістю напилення 1-5 нм/с призводить до утворення в ній великої кількості міжзернових дефектів, які заповнюються зарядами до певного порогового значення напруги та спустошуються із збільшенням напруги, тобто наявності бістабільної поведінки провідності. На Фіг.1 представлена структура елемента, на Фіг.2 зображено графіки залежностей величини струму в структурі ІТО/фталоціанін нікелю/А1 від напруги (ΒΑΧ), де: 1 - скляна підкладка, 2 - електропровідне покриття, 3 - активний шар - органічна напівпровідникова плівка фталоціаніну нікелю, 4 - алюмінієвий електрод. Спосіб виготовлення елемента пам'яті включає нанесення на скляну підкладку 1 електропровідного покриття 2 та нанесення активного шару - органічної напівпровідникової плівки фталоціаніну нікелю 3. Як активний шар 3 вибираємо фталоціанін нікелю, який набуває бістабільного стану при швидкості осадження 1-5 нм/с. Поверх всієї структури нанесений алюмінієвий електрод 4, що забезпечує створення контактної різниці потенціалів, що забезпечує створення діодної структури ITO/NiPc/Al. Активний шар 3 формують у вигляді плівки з дрібнодисперсного порошку фталоціаніну нікелю та розміщують в молібденовому тиглі і піддають резистивному нагріву до температури 450+10 °C. Активний шар органічного напівпровідника фталоціаніну нікелю 3 наносять на скляну підкладку 1 з прозорим електропровідним покриттям оксиду індію 2 (In2О3) легований оловом (indium-tin-oxide ITO) методом термовакуумного напилення фталоціанінів при залишковому -5 тиску, що не перевищував 10 Па та при швидкості напилення 1-5 нм/с. Поверх органічної плівки методом термовакуумного напилення через маску формують алюмінієвий електрод 4, товщина якого не перевищує ~ 200 нм. Органічна бар'єрна структура ITO/NiPc/Al (Фіг. 1.) з модифікованим катодним контактом (Al) здатна до запам'ятовування інформації. Запам'ятовування інформації відбувається шляхом заповнення між зернових дефектів в плівці активного шару зарядами до порогового значення напруги. При напрузі більшій за порогову дефекти спутошуюються. Така поведінка повторюється при багатократному циклюванні напруги (Фіг. 2), що створює передумови використання структури ITO/NiPc/Al як елемента пам'яті. ФОРМУЛА КОРИСНОЇ МОДЕЛІ Спосіб виготовлення елемента пам'яті, що включає нанесення на скляну підкладку електропровідного покриття та нанесення активного шару - органічної напівпровідникової плівки фталоціаніну нікелю, яку формують термовакуумним методом напилення та поверх якої сформований алюмінієвий електрод, який відрізняється тим, що швидкість формування органічної напівпровідникової плівки фталоціаніну нікелю становить 1-5 нм/с. 1 UA 76569 U Комп’ютерна верстка Л. Купенко Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 2