Спосіб виготовлення голографічних дифракційних граток
Номер патенту: 9132
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Кудрявцева Наталія Олександрівна, Лукін Анатолій Васильович, Саттаров Фелікс Абдулнурович, Романенко Петро Федорович, Стронський Олександр Володимирович, Камардін Юрій Борисович, Костишин Максим Тимофійович, Кожинова Ірина Анатольєвна, Індутний Іван Захарович, Робур Ігор Йосифович
Формула / Реферат
Способ получения голографических дифракционных решеток, включающий нанесение на подложку адгезионного слоя, слоя трехселенистого мышьяка, экспонирование интерференционной картины, образованной когерентными пучками лазерного излучения, селективное травление в растворе, содержащем этилендиамин и растворитель в течение времени t = to exp(kn), где to - время полного стравливания слоя трехселенистого мышьяка, k - коэффициент пропорциональности, определяемый экспериментально, n - отношение содержания компонент растворителя к этилендиамину, нанесение отражающего покрытия, отличающийся тем, что, с целью уменьшения уровня рассеянного света и повышения качества формы профиля штрихов дифракционных решеток, в качестве растворителя используют диметилсульфоксид при следующем соотношении компонентов, мас.%:
этилендиамин 5-70
диметилсульфоксид 30-95,
при этом k = 0,10.
Текст
і С *83 для гтжЕВЧогп пгуіьіовдния экз СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТЖЕСНИХ РЄСПУБЛИН 1 (5О5 G 03 Н 1/18, G 02 В 5/32 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕГГННИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГННТ СССР ОПИС И АВТОРСКОМУ t ( 2 1 ) Д677674/25 (22) 11.04.89 (71) Институт полупроводников АН УССР (72) П.Ф.Романенко, М.Т.Костышин, А.В.Стронский, И.И.Робур, И.З.Индутный, А.В.Лукин, Ф.А.Саттаров, Н.А.Кудр я в ц е в а , Ы.Б.Камардин и И.А.Кожннова (53) 7 7 2 . 9 9 ( 0 8 8 . 8 ) (56) Костьпиин М.Т. и д р . Запись высокочастотных . гологр-афических дифракционных решеток на светочувствительной системе As^S-e^ - As^Sз ~ Ag. - Квантовая электроника. Киев, Наукова думка, 1985, в . 2 3 , с . 9 0 - 4 5 . Авторское свидетельство СССР (* 1507071, кл. G 02 В 5/18, 1987. Изобретение относится к голографии и может быть использовано для изготовления голографических дифракционных решеток, голографических зеркал, их матриц и др. Целью изобретения является уменьшение уровня рассеянного света и повышение качества формы профиля штрихов дифракционных решеток. Способ осуществляют следующим образом,На очищенную поверхность подложки (из стекла, кварца, металла или органической пленки) наносят в ва5 кууме 2,5*10** - 4*10~ Па (или другим способом) адгезионный слой (ия хрома, марганца и д р . ) , затем слой трехселенистого мышьяка. Толщину, адгезионного слоя выбирают в интерва U а (54) СПОСОВ ПОЛУЧЕНИЯ ГОЛОГРАФИЧЕСКИХ ДИФРАКЦИОННЫХ РШТГГПК (57) Изобретение относится к г о л о графии и п р е д н а з н а ч е н о для и з г о т о в ления голографических дифракционных решеток. Целью изобретения я в л я е т с я уменьшение уровня р а с с е я н н о г о с в е т а и повышение к а ч е с т в а формы профиля штрихов дифракционных решеток. Для р е а л и з а ц и и цели в к а ч е с т в е с е л е к т и в ного т р а в и т е л я используют р а с т в о р этилендиамина н диметилсульфоксида. ле от 5 до 100 нм, толщнну слоя трехселенистого мышьяка выбирают из условия обеспечения необходимой глубины модуляции решетки h/d ^ 0 , 3 - 0 , 4 , где h - высота штриха, a d - постоянная решетки. Исходя из этого толщину слоя трехселенистого мышьяка выбирают равной или несколько больше h. Затем подложку со слоями репляют в держателе голографической установки и экспонируют интерференционную картину (с пространственной частотой, выбранной в интервале 600 6000 м м ~ 1 \ образованную когерентными пучками лазерного излучения. В качестве источника лазерного излучения используют аргоновые, гелий-кадмиевые, гелий-неоновые н другие па~ N3 Сл 1625239 зеры. В процессе экспонирования в • местах облучения слоя трехселенистог о мышьяка происходят фотоструктурные превращения, приводящие К тому, что скорость травления облученных и Необлученных участков становится р а з личной (облученные участки чаще травятся медленней), а это позволяет в дальнейием вытравливать рельефные изображения. После экспонирования подложку со слоями погружают в раствор, содержащий этилендиамин, полученный после однократной перегонки 70%-ного водного раствора этилендиамина 15 (ТУ 6-09-147-70), и диметилсульфоксид (ТУ 6-09-3818-77). Время т р а в л е ния выбирают от нескольких десятков секунд и до нескольких десятков минут в зависимости от соотношения ком- 20 понентов раствора и толщины слоя трехселенистого мышьяка. С увеличением содержания в растворе этилендиамина скорость селективного травления в о з р а с т а е т . Например, в растворе, с о - 25 стоящем из 12 мас.% этилендиамина и 88 мас.% диметилсульфоксида, время травления (удаления) необлученного слоя трехселенистого мышьяка толщиной 340 нм составляет 46 с . Время травле- 30 ния t в зависимости от соотношения компонент раствора п находят из условия С - t o e x p (kn) , где t 0 - время полного стравливания слоя трехселенистого мышьяка в этилендиамине, к = 0,10, a n - отношение содержания компонент диметилсульфоксида к э т и лендиамину. Справедливость применения этой формулы для нахождения времени травления t в зависимости от соотношения содержания компонент раствора п была подтверждена экспериментально и было найдено значение коэффициента к которое оказалось ранным 0,10, После промывки и сушки на решетку 45 наносят отражающей покрытие (А1 или Аи, MgF^ и д р . ) . Таким образом получают высококачественные рельефно-фазовые решетки, работающие на отражение. Опыты показали, что решетки с высоким качеством получают тогда,когда для селективного травления берут р а створ , содержащим этилендиамин и ди~ метилсульАоксид при соотношении ингредиентов , указанном в предложенном 55 техническом решении. Использование раствора с сотержанием ингредиентов, выходящих за укатанные пределы, не обеспечивает получения решеток высокого качества и увеличения выхода годных из-за наличия дефектов на поверхности. Основой для предложенного технического решения послужили следующие факты, выявленные в процессе исследований. При селективном травлении слоя трехселенистого мышьяка в растворе, содержащем этилендиамин и этиловый спирт, на поверхности решеток остаются дефекты в виде "островков" и "комет", которые приводят к увеличению уровня рассеянного света решетки. Как показали опыты, это связано с тем, что скорости травления облученных и необлученных участков отличаются между собой лишь в 1,5-2,0 раза. Такой селективности раствора недостаточно для получения высококачественных дифракционных решеток. Были проведены поиски более селективных растворов для травления слоя трехселенистого мышьяка. Опыты показали, что раствор на основе этилендиамина и диметилсульфоксида обладает большей селективностью по отношению к облученным и необлученным участкам слоя трехселенистого мышьяка.Скорость травления > облученных участков зависит от экспозиции, при экспозиции, равной 0,5 Дж/см , скорость травления обпученных участков меньше скорости травления необлученных участков в 5-6 раз. Это может быть обусловлено• следующим. При облучении светом слоев As^Se^ может происходить фотохимическое разложение на элементарный мышьяк и селен + hV = 2 As 3St . Селективное травление (растворение) засвеченных и незасвеченных участков основано на различном способности этилендиамина давать соединения с этими различными веществами: A s 2 S e 3 , As, Se. При использовании растворов этилендиамина в раэтичных по химической природе органических растворителей (этиловом спирте или диметилсульфоксиде), будет иметь место, с одной стороны, изменение концентрации этилендиамина (растворимость его в этих растворах различна), а, с другой стороны, влияние природы химического растворителя. Если сравнивать полярность растворителей, то видно, 162S23P что у Дпметнлсульфоьсїїда она аымге, чем у этилового спирта. Это позволяет получать более качественную поверхность решеток (без "островков" и "комет"). Соотношение компонент раствора для селективного травления выбиралось исходя из следуюищх соображений: травление должно обеспечивать высо10 кое качество решеток (высокую дифракционную эффективность решеток после покрытия их Аі ^ 50-70%,отсутствие подрывов штрихов, отсутствие дефектов в виде "островков", "комет" и д р . ) ; 15 времена травления должны быть удобными для реализации способа. П р и м е р 1. На стеклянные полированные подложки (8 шт.) размером 70x70x10 мм 9 з вакууме 2 , 5 ' 1 0 ~ 3 П а последовательно наносился слой хр-ома толщиной 50 нм и слой трехееленистого мышьяка ( A s £ S e 3 ) , толшин-он ЗАО нм. Затем на систему слоев проектировали интерференционную картину, образованную двумя когерентными пу"ками излучения аргонового лазера (488 нм) с пространственной частотой 1350 мм"" . При энергетической освещенности, равной 1 --10"" * Вт/см*", время 30 экспозиции составляло 5 мин. После экспонирования четыре подложки со слоями погружали в растнор, содержащий этилендиамин (CH 2 ) Z (NH 2 ) Z и диметилсульфоксид (СН 9 1 2 SO со следующим со35 держанием ингредиентоп, мас.%: Этилендиамин 12* Диметилсульфоксид 88 Время травления составляло 46 с. После травления на поверхности реше40 ток не наблюдалось дефектов ("островков", "комет" и др.). Поверхность была однородной и качественной . Решетки затем покрывались в вакууме 2,5-10" Па слоем А1, толщиной 110 нм. Дифракционные эффективности четырех полученных решеток, измеренные по схеме близкой к Литтрова на длине волны, равной 680 нм, и S-полкричации (случай, когда элек50 трический вектор падающей волны располагался перпендикулярно штрихам решетки) в первом порядке дифракции составляли 70-75%. Четыре других решетки были обработаны согласно спо- 55 собу-прототипу. Лишь одна решетка была качественной. На поверхности остальных трех решеток наблюдались дефекты в виде "островков", "комет". Статистический подсчет выхода годных изделий с учетом резулітатов опытов данного примера и других аналогичных опытов показал, что по сравнению с прототипом он увеличился в 3 раза. П р и м е р 2. Слои готовились и экспонировались аналогично приведенным в примере 1. После экспонирования четыре подложки со слоями погружали в раствор, содержащий этнленднамнн (CHg)^(NH^) 2 и диметилсульфоксид (СН-) 2 §0 со следующим соотношением ингредиентов, мас.%: Этилендиамин 45 Диме тиле ульфок сид 55 Нремя травления составляло 24 с . Поверхность всех четырех решеток была однородной и качественной. Дифракционные эффективности решеток, измеренные аналогично примеру 1, после покрытия слоем А1 составляли 72-76%. Четыре других решетки были обработаны согласно способу-прототипу. На поверхности всех этюс решеток наблюдались дефекты н виде " о с т ровков", "комет", ряби. Р плетки были низкого качества. Статистический подсчет выхода годных изделий с учетом результатов опытов данного примера и других аналогичных опытов показал , что по сравнению с прототипом он увеличился в 2,2 р а з а . П р и м е р 3. Слои готовились и экспонировались аналогично примеру 1. После экспонирования четыре подложки со слоями погружали в раствор, содержащим этилендиамин и диметилсульфоксид со следующим соотношением ингредиентов, мас.%: Этилендиамин 21 Диметилсульфоксид 79 Нремя травления составляло 30 с . Поверхность всех четырех решеток была однородной и качественной. Дефектов на поверхности не на-блюдалось. Дифракционные эффективности полученных решеток, измеренные аналогично примеру 1, после покрытия слоем А1 Т Л Ч Н Й МО нм составляли /5-77%. О1Н О Из четырех других решеток, обработанных согласно способу-прототипу, лить две решетки были качественными, они содержали небольшое количество д е фектов на поверхности. Статистический подсчет выхода годных изделий с учетом результатов опытов данного примера и других аналогичных опытов по 1625239 казач» "то по сряян^нию с прототипом он увеличился в 2,5 р а з а . П р и м е р 4. Слон готовились к экспонировались аналогично примеру 1. После экспонирования четыре подложки со слоями погружали в раствор, содержащий этилендиамин и диметилсульфоксцд со следующим соотношением ингредиентов, мас.%: 10 Этил ендиамин 8 Димєтилсульфоксид 92 Время травления составляло 70 с . Поверхность трех решеток была однородной и качественной, дефектов на поверхности не наблюдалось. Лишь на одной решетке наблюдались дефекты в виде ряби. Полученные решетки были покрыты слоем А1 толщиной 110 нм. Дифракционные эффективности решеток, 20 измеренные аналогично примеру 1 ? составляли 68~70%. Из четырех решеток, обработанных согласно способупрототипу, лишь одна решетка имела количество дефектов на по- 25 ( небольшое верхности. Остальные три были низкого качества. Статистический подсчет выхода годных изделий с учетом результатов опытов данного примера и других а н а л о г и ч н о ных опытов показал, что по сравнению с прототипом он увеличился в 2,3 р а за. П р и м е р 5. Слои наносились на подложки и экспонировались аналогично 35 примеру 1. После экспонирования четыре подложки со слоями погружали в р а створ, содержащий этилендиамин и димєтилсульфоксид со следующим соотноше идем ингредиентов, мас,%: Этилендиамин _ 5 Диметилсульфоксид 95 Время травления составляло 162 с . Поверхность решеток была однородной и качественной. Дефектов ("островков", *с "комет") на поверхности не наблюдал о с ь . Дифракционные эффективности полученых решеток после покрытия их слоем А1 составляли 75-78%. Четьіре других решетки были обработаны согласно 50 способу-прототипу. На поверхности всех этих решеток наблюдались дефек11 ты в виде "островков" н "комет . Статистический подсчет выхода годных изделии с учетом результатов опы--55 тов данного примера и других аналогичных опытов показал,что по сравнению е прототипом он увеличился в 2,0 р а з а . 8 П р и м е р 6. Слои наносились на подложки и экспонировались анаттогнчно примеру 1. После экспонирования четыре подложки со слоями погружались в раствор, содержащий этилендиамин и диметилсульфоксид го следующим со- ' отношением ингредиентов, мас.%: Этилендиамин 70 Диметилсульфоксид 30 Время травления составляло 23 с . Дефектов на поверхности не наблюдал о с ь . Поверхность всех решеток была однородной и качественной. Дифракционные эффективности полученных решеток, измеренные аналогично примеру 1, после покрытия их слоем А1 толщиной 110 нм составляли 73-75%. Из четырех других решеток, обработанных согласно способу-прототипу,лишь одна решетка была качественной, она имела небольшое количество дефектов на поверхности. Остальные три решетки были низкого качества. Статистический подсчет выхода годных изделий с учетом результатов опытов данного примера и других аналогичных опытов показал, что по сравнению с прототипом он увеличился в 1,8 раза. П р и м е р 7. Слои наносились и экспожировались аналогично примеру 1 . После экспонирования четыре подложки со слоями погружались в раствор, содержащий этилендиамин и диметилсульфоксид со следующим соотношением ингредиентов, мас.%: Этилендиамин 84 Диметил сульфок сид 16 Время травления составляло 22 с . На поверхности всех четырех решеток наблюдались деЛекгы в виде "островк о в " , "комет". Дифракционные эффективности, измеренные как в примере І ( после покрытия слоем А1 толщиной 110нм составляли 46-48%. Четыре других р е шетки были обработаны согласно способу-прототипу. На поверхности всех решеток наблюдались дефекты в виде "островков", "комет", ряби. П р и м е р 8 . Слои наносились и экспонировались аналогично примеру 1. После экспонирования четыре подложки со слоями погружались в р а створ, содержащий этилендиамин и диметилсульфоксид со следующим соотношением ингредиентов, мас.%: Зтилендиамин 3 * t Диметилсульфоксид 97 І625239 10 Время травления составляло 439 с . тинное травление в растворе, содерПоверхность решеток была неоднороджащем этнлендиамин и растворитель ной, имела дефекты в виде ряби. Ли- • в течение времени С = zo e x p ( k n ) , где г - время полного стравливания фракционные эффективности полученных слоя трехселенистого мышьяка, к решеток, измеренные как и в примекоэффициент пропорциональности, опре 1, после покрытия слоем АІ тол^ ределяемый экспериментально, п - "отщиМой 110 нм составляли 38-40%. Ченошение содержания компонент раствотыре других решетки были обработаны рителя к этилендиамнну, нанесение согласно способу-прототипу. На всех 10 отражающего покрытия, о т л и ч а решетках наблюдались дефекты в виде ю щ и й с я тем, что, с целью умень"островков", ряби. шения уровня рассеянного света и повышения качества формы профиля Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я штрихов дифракционных решеток, в качества растворителя используют днСпособ получения голографииеских метилсульфоксид при следующем соотнодифракционных решеток, включающий шении компонентов, мас.%: нанесение на подложку адгезионного слоя, слоя трехселеннстого мышьяка, экспонирование интерференционной картины, образованной когерентными пучками лазерного излучения, селек Редактор Н.Коляда 20 Этилендиамин Диметилсульфокснд при этом к = 0,10, Составитель Е.Халатова Техред М.Дидык 5-70 30-95 Корректор Л.Патай Заказ 470/ДСП Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР ИЭО35, Москва, Ж-35, Раушская н а б . , д . 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул. Гагарина,10?
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюMethod for production of holographic diffraction lattices
Автори англійськоюRomanenko Petro Fedorovych, Kostyshyn Maksym Tymofiiovych, Stronskyi Oleksandr Volodymyrovych, Robur Ihor Yosypovych, Indutnyi Ivan Zakharovych, Lukin Anatolii Vasyliovych, Sattarov Feliks Abdulnurovych, Kamardin Yurii Borysovych, Kozhynova Iryna Anatoliivna
Назва патенту російськоюСпособ изготовления голографичаских диаграмм
Автори російськоюРоманенко Петр Федорович, Костишин Максим Тимофеевич, Стронский Александр Владимирович, Робур Игорь Иосифович, Индутный Иван Захарович, Лукин Анатолий Васильевич, Саттаров Феликс Абдулнурович, Камардин Юрий Борисович, Кожинова Ирина Анатольевна
МПК / Мітки
Мітки: спосіб, виготовлення, дифракційних, голографічних, граток
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/6-9132-sposib-vigotovlennya-golografichnikh-difrakcijjnikh-gratok.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення голографічних дифракційних граток</a>
Попередній патент: Пристрій для захисту від імпульсної перенапруги двох зустрічно-паралельно включених керованих напівпровідникових вентилів
Наступний патент: Спосіб приготування осаджувальної ванни
Випадковий патент: Пристрій для захисту трифазного асинхронного електродвигуна від роботи на двох фазах