Спосіб виготовлення наноіонного конденсатора

Формула / Реферат | Подібні патенти | МПК / Мітки | Додаткова інформація | Код посилання

Номер патенту: 109832

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Нетяга Віктор Васильович, Водоп'янов Володимир Миколайович, Кудринський Захар Русланович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

Спосіб виготовлення наноіонного конденсатора, що включає в себе впровадження в ван-дер-ваальсівський простір між шарами напівпровідникового матеріалу з шаруватою кристалічною структурою рідкої розплавленої іонної солі і наступного охолодження нанокомпозитного матеріалу, що складається з шаруватого кристалу і іонної солі, який відрізняється тим, що як шаруватий напівпровідниковий матеріал використовують високоомний селенід індію з електронним типом провідності, а як іонну сіль використовують нітрат рубідію, і процес впровадження розплаву іонної солі між шарами шаруватого кристалу проводять протягом часу до 15 хвилин при вибраному з температурного інтервалу 320-370 °C значенні температури, з забезпеченням формування на ван-дер-ваальсівській поверхні шаруватого кристалу тонкого шару оксиду індію з товщиною менше 1 нм і ріст на цьому шарі оксиду тривимірних острівців нітрату рубідію, висота яких не перевищує ширини ван-дер-ваальсівської щілини селеніду індію.

Текст

Реферат: Спосіб виготовлення наноіонного конденсатора належить до наноелектроніки і конденсаторобудування і може бути використаний в сучасних електронних приладах. Формування наноіонного конденсатора з електричним подвійним шаром на основі твердотільних компонент (оксиду індію і іонної солі нітрату рубідію), який характеризується високою питомою ємністю на високій частоті (~1 МГц), використовуючи для цього принцип самоорганізації наноструктур. Спосіб полягає у виготовленні наноіонного конденсатора, шляхом впровадження розплавленої іонної солі нітрату рубідії в ван-дер-ваальсівський простір між шарами високоомного кристалу селеніду індію, формуванні шарів оксиду індію з нанорозмірною товщиною на поверхнях (0001) селеніду індію і острівців нітрату рубідію з висотою, меншою ширини ван-дер-ваальсівської щілини шаруватого кристалу, і в забезпеченні при цьому високої якості гетерограниць між матеріалом з іонною провідністю і оксидом. UA 109832 C2 (12) UA 109832 C2 UA 109832 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Винахід належить до наноелектроніки і конденсаторобудування і може бути використаний в сучасних електронних приладах. Відомі в наш час наноіонні конденсатори, в яких використовується швидкий іонний транспорт в подвійному електричному шарі, створені на основі функціональних гетеропереходів "твердотільний іонний провідник - електронний провідник" [1]. Високі значення питомої ємності 2 (Сп~20 мкФ/см ) на високих частотах (~1 МГц) можуть бути досягнуті для наноіонних конденсаторів з когерентними гетерограницями між іонним провідником і металевим електродом [2]. Формування гетерограниць з мінімальною концентрацією структурних дефектів і включень сторонніх фаз при когерентній епітаксії шарів іонного провідника, товщина яких повинна складати ~ декількох нм, на поверхні металевої підкладки можна здійснити тільки при виконанні певних умов. Виготовлення цих пристроїв за допомогою осадження іонного матеріалу -7 у високому вакуумі (~10 Па) [3] передбачає використання матеріалів, які характеризуються мінімальною неузгодженістю параметрів кристалічних ґраток і мають певний тип кристалічної симетрії. При такому способі виготовлення наноіонного конденсатора необхідно також враховувати кристалохімію гетерограниць і граничну поляризацію обірваних зв'язків на поверхні підкладки. Це накладає додаткові обмеження на тип матеріалів, які можна застосовувати для виготовлення наноіонного конденсатора, і призводить до ускладнення технології обробки поверхні металевої підкладки. Вона повинна забезпечувати величину шорсткості поверхні підкладки

Дивитися

Додаткова інформація

Автори англійською

Bakhtinov Anatolii Petrovych, Vodopianov Volodymyr Mykolaiovych, Kovaliuk Zakhar Dmtrovych

Автори російською

Бахтинов Анатолий Петрович, Водопьянов Владимир Николаевич, Ковалюк Захар Дмитриевич

МПК / Мітки

МПК: H01G 9/15, H01G 4/06

Мітки: наноіонного, спосіб, конденсатора, виготовлення

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/7-109832-sposib-vigotovlennya-nanoionnogo-kondensatora.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб виготовлення наноіонного конденсатора</a>

Подібні патенти