Патенти з міткою «cu2znsns4»
Спосіб одержання тонких плівок cu2znsns4 (czts)
Номер патенту: 103918
Опубліковано: 12.01.2016
Автори: Брус Віктор Васильович, Мостовий Андрій Ігорович, Козярський Дмитро Петрович, Ковалюк Тарас Тарасович, Солован Михайло Миколайович, Козярський Іван Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович
МПК: H01L 33/00, C23C 14/35
Мітки: одержання, cu2znsns4, спосіб, плівок, тонких, czts
Формула / Реферат:
Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4, що включає напилення на підкладки з металевих мішеней (Zn, Sn, Сu) та подальшу сульфатацію шляхом відпалу протягом 5 хвилин в парах сірки, який відрізняється тим, що як мішені використовують сплав Cu2ZnSn (99,99 %) стехіометричного складу для подальшого нанесення плівки, яку піддають процесу сульфатації шляхом відпалу при 450±5 °C в парах сірки.
Спосіб отримання однофазних плівкових шарів кестеритів cu2znsns4 в розбірному реакторі
Номер патенту: 99210
Опубліковано: 25.05.2015
Автори: Копач Володимир Романович, Любов Віктор Миколаєвич, Клочко Наталя Петрівна, Хрипунов Геннадій Семенович, Момотенко Олександра Віталіївна, Кіріченко Михайло Валерійович
МПК: C25D 3/00, H01L 31/00
Мітки: отримання, шарів, розбірному, реакторі, кестеритів, cu2znsns4, плівкових, однофазних, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання однофазних плівкових шарів кестеритів Cu2ZnSnS4 в розбірному реакторі шляхом пошарового електроосадження міді, олова та цинку з водних електролітів і наступним вакуумним відпалом в реакторі в парах сірки (сульфуризацією), який відрізняється тим, що електроосаджені металеві шари збагачують цинком і збіднюють міддю, а процес сульфуризації проводять протягом 50-80 хвилин при температурі 590-610 °C в розбірному реакторі...