Козярський Іван Петрович
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з обернено пропорційною лінійною залежністю електропровідності від температури
Номер патенту: 110938
Опубліковано: 25.10.2016
Автори: Козярський Іван Петрович, Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович
МПК: C30B 13/00
Мітки: матеріалу, отримання, залежністю, спосіб, напівпровідникового, пропорційною, оберненої, температури, електропровідності, лінійною
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з обернено пропорційною лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, сірка, вирощування твердого розчину методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що вирощування проводять у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину...
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з від’ємним температурним коефіцієнтом електропровідності
Номер патенту: 104442
Опубліковано: 25.01.2016
Автори: Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Іван Петрович
МПК: C30B 13/00
Мітки: матеріалу, отримання, коефіцієнтом, від'ємним, електропровідності, напівпровідникового, температурним, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з від'ємним температурним коефіцієнтом електропровідності, що включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають сірку та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...
Спосіб одержання тонких плівок cu2znsns4 (czts)
Номер патенту: 103918
Опубліковано: 12.01.2016
Автори: Брус Віктор Васильович, Ковалюк Тарас Тарасович, Мостовий Андрій Ігорович, Майструк Едуард Васильович, Козярський Іван Петрович, Солован Михайло Миколайович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Дмитро Петрович
МПК: H01L 33/00, C23C 14/35
Мітки: спосіб, czts, тонких, одержання, плівок, cu2znsns4
Формула / Реферат:
Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4, що включає напилення на підкладки з металевих мішеней (Zn, Sn, Сu) та подальшу сульфатацію шляхом відпалу протягом 5 хвилин в парах сірки, який відрізняється тим, що як мішені використовують сплав Cu2ZnSn (99,99 %) стехіометричного складу для подальшого нанесення плівки, яку піддають процесу сульфатації шляхом відпалу при 450±5 °C в парах сірки.
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури
Номер патенту: 92083
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович, Майструк Едуард Васильович, Козярський Іван Петрович
МПК: C30B 13/00
Мітки: лінійною, електропровідності, спосіб, залежністю, матеріалу, напівпровідникового, отримання, температури
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають індій та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу
Номер патенту: 84899
Опубліковано: 11.11.2013
Автори: Козярський Іван Петрович, Козярський Дмитро Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович
МПК: C30B 13/00
Мітки: напівпровідникового, спосіб, отримання, матеріалу
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена, та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину (3HgSe)1-x(Al2Se3)x:Mn.