Козярський Дмитро Петрович
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з обернено пропорційною лінійною залежністю електропровідності від температури
Номер патенту: 110938
Опубліковано: 25.10.2016
Автори: Козярський Дмитро Петрович, Козярський Іван Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович
МПК: C30B 13/00
Мітки: отримання, спосіб, лінійною, оберненої, напівпровідникового, температури, залежністю, матеріалу, електропровідності, пропорційною
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з обернено пропорційною лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, сірка, вирощування твердого розчину методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що вирощування проводять у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину...
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з від’ємним температурним коефіцієнтом електропровідності
Номер патенту: 104442
Опубліковано: 25.01.2016
Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Дмитро Петрович, Козярський Іван Петрович
МПК: C30B 13/00
Мітки: отримання, напівпровідникового, від'ємним, температурним, коефіцієнтом, матеріалу, електропровідності, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з від'ємним температурним коефіцієнтом електропровідності, що включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, індій, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають сірку та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...
Спосіб одержання тонких плівок cu2znsns4 (czts)
Номер патенту: 103918
Опубліковано: 12.01.2016
Автори: Брус Віктор Васильович, Солован Михайло Миколайович, Майструк Едуард Васильович, Козярський Іван Петрович, Козярський Дмитро Петрович, Ковалюк Тарас Тарасович, Мостовий Андрій Ігорович, Мар'янчук Павло Дмитрович
МПК: H01L 33/00, C23C 14/35
Мітки: czts, cu2znsns4, спосіб, плівок, одержання, тонких
Формула / Реферат:
Спосіб одержання тонких плівок Cu2ZnSnS4, що включає напилення на підкладки з металевих мішеней (Zn, Sn, Сu) та подальшу сульфатацію шляхом відпалу протягом 5 хвилин в парах сірки, який відрізняється тим, що як мішені використовують сплав Cu2ZnSn (99,99 %) стехіометричного складу для подальшого нанесення плівки, яку піддають процесу сульфатації шляхом відпалу при 450±5 °C в парах сірки.
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури
Номер патенту: 92083
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Мар'янчук Павло Дмитрович, Козярський Іван Петрович, Козярський Дмитро Петрович, Майструк Едуард Васильович
МПК: C30B 13/00
Мітки: температури, спосіб, електропровідності, матеріалу, залежністю, лінійною, напівпровідникового, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу з лінійною залежністю електропровідності від температури, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають індій та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом...
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу
Номер патенту: 84899
Опубліковано: 11.11.2013
Автори: Козярський Дмитро Петрович, Козярський Іван Петрович, Мар'янчук Павло Дмитрович
МПК: C30B 13/00
Мітки: спосіб, отримання, матеріалу, напівпровідникового
Формула / Реферат:
Спосіб отримання напівпровідникового матеріалу, який включає підготовку вихідних компонентів, до складу яких входять ртуть, селен, марганець, вирощування твердих розчинів методом Бріджмена, та виготовлення зразків напівпровідникового матеріалу, який відрізняється тим, що до складу вихідних компонентів додають алюміній та готують їх у співвідношенні, яке визначається стехіометричним складом твердого розчину (3HgSe)1-x(Al2Se3)x:Mn.