Патенти з міткою «gaalas»
Спосіб визначення концентрації глибоких центрів у широкозонному напівпровіднику польового транзистора на прямій gaas – gaalas гетероструктурі з селективним легуванням
Номер патенту: 26626
Опубліковано: 11.10.1999
Автори: Горєв Микола Борисович, Еппель Володимир Ілліч, Прохоров Євген Федорович, Макарова Тетяна Викторівна, Коджеспірова Іна Федорівна, Уколов Олексій Тихонович
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Мітки: центрів, напівпровіднику, транзистора, селективним, легуванням, польового, прямій, gaalas, гетероструктурі, спосіб, глибоких, широкозонному, концентрації, визначення
Формула / Реферат:
Способ определения концентрации глубоких центров в широкозонном полупроводнике полевого транзистора на прямой GaAs-GaAlAs гетероструктуре с селективным легированием, включающий приложение к барьеру Шотки обратного смещения V и импульса прямого смещения Vим, измерение тока и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что к омическим контактам (истоковому и стоковому) прикладывают постоянное напряжение Uси, соответствующее линейному...