Патенти з міткою «широкозонному»
Спосіб визначення концентрації глибоких центрів у широкозонному напівпровіднику польового транзистора на прямій gaas – gaalas гетероструктурі з селективним легуванням
Номер патенту: 26626
Опубліковано: 11.10.1999
Автори: Горєв Микола Борисович, Еппель Володимир Ілліч, Макарова Тетяна Викторівна, Прохоров Євген Федорович, Уколов Олексій Тихонович, Коджеспірова Іна Федорівна
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Мітки: транзистора, визначення, широкозонному, гетероструктурі, спосіб, центрів, gaalas, селективним, глибоких, прямій, концентрації, польового, легуванням, напівпровіднику
Формула / Реферат:
Способ определения концентрации глубоких центров в широкозонном полупроводнике полевого транзистора на прямой GaAs-GaAlAs гетероструктуре с селективным легированием, включающий приложение к барьеру Шотки обратного смещения V и импульса прямого смещения Vим, измерение тока и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что к омическим контактам (истоковому и стоковому) прикладывают постоянное напряжение Uси, соответствующее линейному...