Патенти з міткою «напівпровіднику»
Спосіб вимірювання приповерхневого електростатичного потенціалу в напівпровіднику
Номер патенту: 65426
Опубліковано: 15.03.2004
Автори: Мигаль Валерій Павлович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович, Олійник Сергій Володимирович, Чугай Олег Миколайович, Сулима Сергій Віталійович
МПК: G01N 13/10
Мітки: вимірювання, спосіб, електростатичного, напівпровіднику, потенціалу, приповерхневого
Формула / Реферат:
Спосіб вимірювання приповерхневого електростатичного потенціалу в напівпровіднику, що включає отримання залежності від довжини хвилі фотозбудження приросту ефективних значень діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка, побудову в комплексній площині відповідних діаграм, з яких визначається характеристична довжина хвилі λi та глибина залягання відповідного енергетичного рівня відносно верхньої межі валентної зони...
Спосіб визначення концентрації глибоких центрів у широкозонному напівпровіднику польового транзистора на прямій gaas – gaalas гетероструктурі з селективним легуванням
Номер патенту: 26626
Опубліковано: 11.10.1999
Автори: Коджеспірова Іна Федорівна, Макарова Тетяна Викторівна, Уколов Олексій Тихонович, Еппель Володимир Ілліч, Горєв Микола Борисович, Прохоров Євген Федорович
МПК: H01L 21/66, G01R 31/26
Мітки: визначення, напівпровіднику, центрів, gaalas, транзистора, прямій, концентрації, польового, глибоких, легуванням, широкозонному, гетероструктурі, селективним, спосіб
Формула / Реферат:
Способ определения концентрации глубоких центров в широкозонном полупроводнике полевого транзистора на прямой GaAs-GaAlAs гетероструктуре с селективным легированием, включающий приложение к барьеру Шотки обратного смещения V и импульса прямого смещения Vим, измерение тока и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что к омическим контактам (истоковому и стоковому) прикладывают постоянное напряжение Uси, соответствующее линейному...