Патенти з міткою «легуванням»
Спосіб цементації сталевих деталей електроерозійним легуванням
Номер патенту: 101715
Опубліковано: 25.04.2013
Автори: Тарельник В'ячеслав Борисович, Братущак Максим Петрович, МАРЦИНКОВСЬКИЙ ВАСИЛЬ СІГІЗМУНДОВИЧ
МПК: B23H 9/00
Мітки: цементації, спосіб, легуванням, сталевих, деталей, електроерозійним
Формула / Реферат:
1. Спосіб цементації сталевих деталей електроерозійним легуванням, при якому використовують як анод графітовий електрод, а як катод - сталеву деталь і після цементації виконують подальше електроерозійне легування одержаної поверхні деталі вуглецем, який відрізняється тим, що подальше електроерозійне легування поверхні деталі виконують тим же графітовим електродом, що і цементацію, але поетапно, при цьому на кожному подальшому етапі знижують...
Спосіб цементації сталевих деталей електроерозійним легуванням
Номер патенту: 66993
Опубліковано: 25.01.2012
Автори: МАРЦИНКОВСЬКИЙ ВАСИЛЬ СІГІЗМУНДОВИЧ, Тарельник В'ячеслав Борисович, Братущак Максим Петрович
МПК: B23H 9/00
Мітки: деталей, електроерозійним, сталевих, легуванням, цементації, спосіб
Формула / Реферат:
1. Спосіб цементації сталевих деталей електроерозійним легуванням, при якому використовують як анод графітовий електрод, а як катод - сталеву деталь і після цементації виконують подальше електроерозійне легування одержаної поверхні деталі вуглецем, який відрізняється тим, що подальше електроерозійне легування поверхні деталі виконують тим же графітовим електродом, що і цементацію, але поетапно, при цьому на кожному подальшому етапі знижують...
Спосіб одержання композиційного матеріалу на основі заліза легуванням бором та металами
Номер патенту: 93730
Опубліковано: 10.03.2011
Автори: Тігарєв Володимир Михайлович, Чернієнко Василь Васильович, Граменицький Володимир Анатольевич, Заболотний Олег Васильович
МПК: B22F 3/12, B22F 7/00, B22F 3/26 ...
Мітки: легуванням, заліза, матеріалу, одержання, металами, бором, основі, спосіб, композиційного
Формула / Реферат:
Спосіб одержання композиційного матеріалу на основі заліза легуванням бором та металами, який включає формування пористої матриці з порошку заліза і просочувального евтектичного сплаву з суміші порошків заліза, бору та легуючих металів у вигляді брикету прямим пресуванням, укладання брикету на поверхню матриці, сумісне нагрівання матриці та брикету до температури плавлення евтектичного сплаву, просочення ним пористої матриці, покриття її...
Спосіб отримання покриттів електроіскровим легуванням вуглецевих сталей
Номер патенту: 54314
Опубліковано: 10.11.2010
Автори: Стечишина Надія Мирославівна, Терещенко Василь Петрович, Некоз Олександр Іванович, Стечишин Мирослав Степанович
МПК: B23H 11/00
Мітки: легуванням, отримання, вуглецевих, покриттів, спосіб, сталей, електроіскровим
Формула / Реферат:
Спосіб отримання покриттів електроіскровим легуванням вуглецевих сталей, який включає підготовку поверхні матеріалів знежиренням та подальше електроіскрове легування, який відрізняється тим, що перед нанесенням електроіскрового легування сталь витримують у розчині сірководню концентрацією 300...500 мг/л протягом 80...100 годин.
Спосіб цементації сталевих деталей електроерозійним легуванням
Номер патенту: 82948
Опубліковано: 26.05.2008
Автори: Тарельник В'ячеслав Борисович, МАРЦИНКОВСЬКИЙ ВАСИЛЬ СІГІЗМУНДОВИЧ, Белоус Андрій Валерійович
МПК: C23C 8/00
Мітки: електроерозійним, цементації, деталей, сталевих, спосіб, легуванням
Формула / Реферат:
1. Спосіб цементації сталевих деталей шляхом електроерозійного легування графітовим електродом-анодом вказаних деталей - катодів, який відрізняється тим, що як матеріал катода використовують низьковуглецеві леговані сталі аустенітного класу, причому легування здійснюють з продуктивністю 1,0-5,0 хв./см2 і з формуванням поверхневих шарів товщиною від 4-5 до 320-350 мкм.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що електроерозійне...
Спосіб алюмотермічного зварювання рейок заливанням проміжного металу з легуванням стального виливка в зоні головки рейки
Номер патенту: 28055
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Мульдер Герхардус Йоханнес, Макрей Дональд, Штайнхорст Міхаел, Кустер Франк
МПК: B23K 23/00
Мітки: легуванням, рейок, зварювання, алюмотермічного, стального, рейки, зони, головки, заливанням, спосіб, виливка, проміжного, металу
Текст:
...слой на поверхности железа. В основные компоненты термитной смеси оксид железа и алюминий малой зернистости ~ вводят добавки зернистых частиц стали для замедления реакции, а также, в зависимости от особенностей свариваемого материала, добавки компонентов сталеобразования, таких как С, Мп, Сг, V и Мо Образующаяся при сгорании термитной реакционной смеси расплавленная сталь необходимо О т ю о 00 оГ 28055 го качества пригодна для...
Спосіб алюмотермічного зварювання рейок заливкою проміжного металу з легуванням сталевого відливка в зоні головки рейки
Номер патенту: 28056
Опубліковано: 16.10.2000
Автори: Штайнхорст Міхаел, Мульдер Герхардус Йоханнес
МПК: B23K 23/00
Мітки: відливка, головки, зварювання, сталевого, металу, алюмотермічного, спосіб, заливкою, проміжного, рейок, рейки, зони, легуванням
Текст:
...порядка 2500°С, причем более легкие по своему удельному весу шлаки (АЬОз) образуют плавающий слой на поверхности железа В основные компоненты термитной смеси - оксид железа и алюминий малой зернистости - вводят добавки зернистых частиц стали для замедления реакции, а также, в зависимости от особенностей свариваемого материала, добавки компонентов сталеобразования, таких как С, Мп, Сг, Vn Mo . ю о 00 см о» 28056 Образующаяся при сгорании...
Спосіб визначення концентрації глибоких центрів у широкозонному напівпровіднику польового транзистора на прямій gaas – gaalas гетероструктурі з селективним легуванням
Номер патенту: 26626
Опубліковано: 11.10.1999
Автори: Макарова Тетяна Викторівна, Коджеспірова Іна Федорівна, Еппель Володимир Ілліч, Горєв Микола Борисович, Прохоров Євген Федорович, Уколов Олексій Тихонович
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Мітки: спосіб, прямій, gaalas, центрів, визначення, широкозонному, глибоких, концентрації, напівпровіднику, селективним, легуванням, транзистора, польового, гетероструктурі
Формула / Реферат:
Способ определения концентрации глубоких центров в широкозонном полупроводнике полевого транзистора на прямой GaAs-GaAlAs гетероструктуре с селективным легированием, включающий приложение к барьеру Шотки обратного смещения V и импульса прямого смещения Vим, измерение тока и вычисление искомой величины, отличающийся тем, что к омическим контактам (истоковому и стоковому) прикладывают постоянное напряжение Uси, соответствующее линейному...