C30B 13/10 — з додаванням легирующего матеріалу
Спосіб вирощування монокристалів cdte та його твердих розчинів cdxzn1-xte, cdxmn1-xte
Номер патенту: 113185
Опубліковано: 26.12.2016
Автори: Дремлюженко Сергій Григорович, Демчина Любомир Андрійович, Колісник Михайло Георгійович, Вахняк Надія Дмитрівна, Раренко Іларій Михайлович, Мисевич Ігор Захарович, Фочук Петро Михайлович, Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Захарук Зінаїда Іванівна
МПК: C30B 13/26, C30B 1/00, C30B 13/10, C30B 13/02 ...
Мітки: спосіб, твердих, cdxzn1-xte, вирощування, розчинів, cdxmn1-xte, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...
Процес отримання монокристалів in2hg3te6
Номер патенту: 105367
Опубліковано: 10.03.2016
Автори: Дремлюженко Сергій Григорович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Галочкин Олександр Вікторович, Колісник Михайло Георгієвич, Захарук Зінаїда Іванівна
МПК: C30B 13/10, C30B 1/00, C30B 13/12 ...
Мітки: монокристалів, отримання, in2hg3te6, процес
Формула / Реферат:
Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...