Дремлюженко Сергій Григорович
Склад для хіміко-механічного полірування поверхні кристалів аiiibiicvii (tl4hgi6, tl4pbi6, tl4cdi6)
Номер патенту: 117363
Опубліковано: 26.06.2017
Автори: Фочук Петро Михайлович, Парасюк Олег Васильович, Дремлюженко Сергій Григорович, Федорчук Анатолій Олександрович
МПК: C09G 1/02, H01L 21/302
Мітки: tl4pbi6, хіміко-механічного, аiiibiicvii, кристалів, tl4cdi6, tl4hgi6, полірування, склад, поверхні
Формула / Реферат:
Склад для хіміко-механічного полірування кристалів AIIIBIICVII (Tl4HgI6, Tl4PbI6, Tl4CdI6), що містить аеросил (марок А-175, A-300), луг, окисник, гліцерин, воду, який відрізняється тим, що заявлений склад додатково містить моноетаноламін, а як окисник застосовують гексаціаноферат (III) калію (K3[Fe(CN)6]), при наступному співвідношенні компонентів: аеросил (марок А-175, А-300) 0,17 моль/л, ...
Спосіб вирощування монокристалів cdte та його твердих розчинів cdxzn1-xte, cdxmn1-xte
Номер патенту: 113185
Опубліковано: 26.12.2016
Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Фочук Петро Михайлович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Дремлюженко Сергій Григорович, Колісник Михайло Георгійович, Мисевич Ігор Захарович, Корбутяк Дмитро Васильович, Вахняк Надія Дмитрівна, Захарук Зінаїда Іванівна, Раренко Іларій Михайлович
МПК: C30B 13/10, C30B 13/02, C30B 1/00 ...
Мітки: монокристалів, спосіб, cdxmn1-xte, cdxzn1-xte, твердих, вирощування, розчинів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...
Процес отримання монокристалів in2hg3te6
Номер патенту: 105367
Опубліковано: 10.03.2016
Автори: Колісник Михайло Георгієвич, Галочкин Олександр Вікторович, Дремлюженко Сергій Григорович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Захарук Зінаїда Іванівна
МПК: C30B 13/12, C30B 13/10, C30B 1/00 ...
Мітки: монокристалів, процес, in2hg3te6, отримання
Формула / Реферат:
Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...